s*****e
发帖数: 16824 | 1 那是因为光速是能从麦克斯韦方程里直接推出来的，这个数字是由真空介电常数决定的。 |
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t**x
发帖数: 20965 | 4 说你傻逼你还不信
听说过介电常数没有 这才是光学要考虑的。
要不骂你傻逼。
: 你一个傻逼吃软饭的，就不要冒充光学大牛了。光可以在真空中传播，有个鸟的
介质啊？
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l****p
发帖数: 27354 | 5 你个傻逼不知道介电常数是个概念，概念也能当介质？ |
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t**x
发帖数: 20965 | 6 你这种烂人就别丢人显眼了，
岂止是概念
有微观依据和解释
你还是别丢人了。最重要的光学东西给你说了你没反应
也就在美国混
: 你个傻逼不知道介电常数是个概念，概念也能当介质？
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发帖数: 1 | 7 过去F-22、F-35以及歼-20战斗机的隐身吸波材料都是被动隐身手段，主要是通过物理
结构实现电磁波的折射，或者被材料吸收，但实际上，电磁波的传播性质和传输介质的
折射率密切相关。例如，同一频率的电磁波在不同介质中会有不同的现象。那么，如果
能按照人们的心意调节介质的电磁参数，如介电常数或磁导率，则可以实现对电磁波传
播的控制，达到人们的各种目的。然而，由于之前不存在负的折射率材料，因此无法使
得介质的参数连续变化，达到完美控制的效果。
实际上，歼20改进型战斗机将使用的新的超材料将人类隐身技术带入了一个新时代
：它既不是让电磁波反射，也不是让电磁波吸收，而是通过在物体表面覆盖特殊的超材
料，引导着被物体阻挡的电磁波绕着走，从而实现完美隐身，据央视节目介绍，这种新
型材料不仅被制造出来，而且已经实现了量产，这是全世界第一条超材料量产线，其战
略意义十分重大。
例如，歼20战斗机的综合射频技术就是用几个分布式宽带多功能孔径取代目前平台
上为数众多的天线孔径，采用模块化、开放式、可重构的射频传感器系统体系架构，并
结合功能控制与资源管理调度算法、软件编程，同时实现雷达、电子战与通信、导航... 阅读全帖 |
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f*******y
发帖数: 8358 | 8 光速并不是不变的。跟介电常数有关。
: 还有，光速恒定也是扯鸡巴蛋的假设，十万个凭什么啊！ 大家认为光速恒定无
非就是
: 因为光速太快鸟测量偏差过大干脆就认定鸟光速恒定，反正这个结论在有限的观
察尺度
: 内跟事实很近似，这个没问题，可是大家的毛病在于认定鸟一个假设就把一切都
限于这
: 个假设使得理论自洽，这也是俺这样坚定的唯物主义者鄙视现代物理的一个原因
。以光
: 速恒定为假设通过观察红移现象而断言宇宙大爆炸的人想象力太他娘的丰富鸟！
佩服，
: 佩服。然而，基于错误的假设有可能得到荒谬的结论。这就好比假设某猥琐男操
鸟女王
: 就认定此猥琐男权力无比之大一样可笑。光在宇宙空间传播凭啥就不会变慢啊！
一块积
: 木在光滑平面滑动速度必然会越来越低，原因就是因为不存在理想真空和理想光
滑，光
: 子因为粒子小质量轻速度高受别的物质影响不大，可是物质的本质到底是啥啊？
在宇宙
: 中能不能存在某些粒子部分吸收光子能量而又不至于其湮灭？或者确实导致其速
度有所
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s*****r
发帖数: 11545 | 9 Then why do we have to believe in big bang theory?
: 光速并不是不变的。跟介电常数有关。
: 非就是
: 察尺度
: 限于这
: 。以光
: 佩服，
: 鸟女王
: 一块积
: 滑，光
: 在宇宙
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t**d
发帖数: 6474 | 10 通过提高电容板的表面积是没有发展前途的，因为储能比不上锂电池。最终的出路是开
发高介电常数材料，并通过提高充电电压来提高储能。超级电容的安全比化学电池更令
人关注，因为一旦正负极短路或击穿，瞬间放电就跟炸药差不多。 |
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y***i
发帖数: 11639 | 11 美国公司据说有锂电池4倍能量密度的电容了。只是量产还是问题
http://www.360doc.com/content/11/0302/14/6080218_97443669.shtml
009年4月22日 EESTOR公司引入了第三方认证机构进行认证，洛马公司及通用、ZENN公司
负责人到场，确认装置在3500V电压下 介质介电常数达到22000点，储能密度超过400WH
/KG（是目前锂电池能量密度的四倍），改性钛酸钡与钙镁硅酸盐涂层的击穿电压强度达
到了1100V/微米，而该装置只需要350V/微米的强度，材料性能大大好于预期。如果进展
顺利，热压工艺生产线可能将尽快生产出正式产品，该公司将按照合同在年底为武器商
及汽车商提供样品进行实测。 |
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o******d
发帖数: 679 | 12 我也是昨天才知道这个3D,其实很简单，老板给组里每个人都发信了
source和drain之间的电流正比于 transistor的电容
电容大，在给定电压下，表面附着的电荷就多，导电能力就强
C=k*A/d k介电常数，A 面积， d间距
最早期减小SiO2厚度d，后来到了12A，漏电流大了，
然后提高K,换 HfO2
这个所谓的3D就是把inversion layer面积A增大了而已
my 2 cents |
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a*****n
发帖数: 13835 | 13 纯净物质要根据温度和压力的不同，呈现出液体、气体、 超临界气体萃取三种典
型流程固体等状态变化，如果提高温度和压力，来观察状态的变化，那么会发现，如果
达到特定的温度、压力，会出现液体与气体界面消失的现象该点被称为临界点，在临界
点附近，会出现流体的密度、粘度、溶解度、热容量、介电常数等所有流体的物性发生
急剧变化的现象
温度及压力均处于临界点以上的液体叫超临界流体(supercritical
fluid，简称SCF)。例如:当水的温度和压强升高到临界点(t=374.3 ℃，p=22.05 MPa
)以上时，就处于一种既不同于气态，也不同于液态和固态的新的流体态──超临界
态，该状态的水即称之为超临界水。 |
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t***n
发帖数: 546 | 15 光学只是个例子。物理上宏观的参数用得不要太多。具体用哪个，就看你研究的是什么
问题。
力学：摩擦系数，弹性系数，转动惯量
热学：热传导系数，膨胀系数，热容，温度
光学：折射系数，其实根本的还是介质的介电常数
电学：电阻率，电容，电感等。
大部分微观的区别，在宏观上都只是参数值的区别。或者是参数对应其他物理量，比如
对应温度的函数关系不一样而已。
★ 发自iPhone App: ChineseWeb - 中文网站浏览器 |
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l*****o
发帖数: 19653 | 16 波长和频率一回事儿。。。如果要加，也应该加介电常数。。。 |
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b*s
发帖数: 82482 | 17 peng!
波长和频率一回事儿。。。如果要加，也应该加介电常数。。。 |
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a***e
发帖数: 27968 | 18 要是其他都不变，真空介电常数为0
库仑力无穷大，原子系统就崩溃了
剩下就不用扯淡了
[在 ananatl (ananatl) 的大作中提到：]
：我们现在的物理规律都需要改变吗？
：
：........... |
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a***e
发帖数: 27968 | 19 是无质量粒子的共同速度和这个速度的普适性又不相干
凭啥真空介电常数处处相等 |
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a***e
发帖数: 27968 | 20 搞得好像强大的微观标准模型这个数就和真空介电常数无关似的 |
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e****x
发帖数: 692 | 21 其实光确实快，电缆介电常数比较大，波速确实慢不少。 |
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t****t
发帖数: 6806 | 22 差得也没这么多, 一般光纤的反射系数也有1.5以上的. 介电常数开个根号也就是2左右. |
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e****x
发帖数: 692 | 23 是的，估计将来介电常数还得降。
新材料不知道什么时候出来。
右. |
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r****o
发帖数: 105 | 24 本文献给YL
（九） 沉淀，沉淀，沉淀
上一部分我匆匆提到了用硫酸氨沉淀来去掉PEI(Polyethyleneimine）的步骤。
不常做生化的同学可能对硫酸氨沉淀的方法不熟悉。但其实这种沉淀是蛋白质纯化中
及其重要的一种方法。说实话我过去也很少接触，但是在这个课里面，四组实验中有
三个都用到了这个方法，可见其重要性。
硫酸氨沉淀是怎么做的呢？其实很简单，把磨细了的硫酸氨粉末往样品溶液里
倒就行了，蛋白就会相继沉淀下来。由于不同的蛋白，在不同的硫酸氨浓度下被分
别沉淀下来，这种方法把蛋白质样品粗粗的分离一下。这种方法对大量样品尤其好
用，因为比较方便快捷便宜。硫酸氨沉淀的优点是什么呢？最大的优点是这东西虽
然能让蛋白质沉淀下来，但是不会让蛋白质变性，所以沉淀下来的蛋白质一般可以
重新溶解。
其实沉淀蛋白质的方法有很多种，但是对于娇贵的蛋白质来说，很多常用方法
都太harsh了。我举两个例子把：TCA沉淀大家都熟悉的。TCA是个强酸，施放出
来的质子中和了蛋白质的负电荷，只留下正电荷与TCA形成不溶物，从而变性。
丙酮沉淀，通过改变介电常数来降低蛋白质的溶解度，从而沉淀， |
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d*******3
发帖数: 148 | 25
07年,传统的以SiO2为基础的MOSFET走到尽头，取而代之的是高介电常数，俗称high-k
材料，以HfO2为代表，moore's 得以继续延续，65nm 到 45nm, 再到 32nm,以及今年的
22nm，不过这些都是基于2-D结构，但要再scaling到22nm以下，2-D结构也要到了头，
面临严重的short channel effect.于是最近呼声甚大的3-D MOSFET 摆上的桌面
所谓的3-D MOSFET结构也已经研发了十多年了，主要是以Intel为代表的Tri-gate 和
其他公司的 FinFET.
EUV光刻在22nm以下技术的是关键中的关键... |
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c*****n
发帖数: 1877 | 26 需不需要匹配和总线的速度也是有关系的。100MHZ的信号在介电常数为3的电路板中传播
，波长也有1米，而一般电路板中总线的长度远小于波长，所以匹配是不需要的，特别是
对于慢速总线，比如I2C,McASP这种总线。 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 27 【 以下文字转载自 Physics 讨论区 】
发信人: abalone (hope), 信区: Physics
标 题: 换project了，向各位前辈请教一下
发信站: BBS 未名空间站 (Mon Feb 16 09:50:33 2009), 转信
现在由于老板的要求，要转到计算电磁场方向
具体的就是要计算一些nm-um尺度的二维材料的有效介电常数
现在自己也不懂，组里也没人懂
除了本科学的一点电动力学之外完全不了解其他相关的东西了
因为计算电磁场方向似乎很杂（很多是电子系的人在做）
不知道我这个方向具体应该看些什么类型的书籍或者综述
麻烦各位给推荐几本书或相关文献
谢谢先 |
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e********y
发帖数: 38 | 28 RF上面决定电流不是你这样算的。先算出pcb上面microstrip的特征阻抗（由width，频
率，depth，介电常数）决定。如果能够达到匹配就可以算出电流。如果不匹配就要算
出反射系数，然后才能决定电流 |
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p*****t
发帖数: 966 | 29 这么讲吧
LZ是1W带internal matching的PA,记住，是输出口已经匹配到50 Ohms的。 那么你在设
计输出端的传输线的时候，特征阻抗就是50 ohms.但是如果只是给出特征阻抗，那会有
无数种的设计，你可以设计成很细，也可以很粗。要是用CPW的话，也会有很多设计。
和介质的厚度，介电常数等都有关，当这些确定的时候，就可以考虑power density.
一般PCB的power density和金属层的厚度关系最大。如 100微米厚，7毫米宽的铜层可
以通过10安培的电流。
然后就是估算你的电流。LZ现在考虑的是1W的输出级上的电流，那个可能不是最重要的
。从你的片子来看的话，频率肯定在10G以内。假设是CLASS AB的PA，drain
efficiency是20%的话，那射频功率和耗散功率之和为5watts,假设是5V的drain
biasing, 那power supply上的电流大概在1A左右。RF输出级的RF电流会很小，就几百
个毫安，具体的，你可以用反射系数和电流的公式在MATLAB里plot一下，找出峰值电流
就可以。但是我觉得对于你的设计，完全没有必要 |
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F*********n
发帖数: 52 | 30 hehe,谢谢各位大侠的回答，mitbbs果然藏龙卧虎阿。
其实做得是板级的布线，但是因为做在高介电常数的材料上，射频传输线线宽只有
10mil(250um),所以有点担心。主要的直流损耗是通过比较宽的布线引入的，另外板子
下面加了heat sink，应该没有问题。
DC |
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g******s
发帖数: 733 | 31 两篇论文，一篇是（力/ 电压^2)，另一篇是（力*距离/电压^2)，请问是不是其中一个
错了，还是两个都对？
先谢了！ |
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M***y
发帖数: 2252 | 34 第一个 F/m = J/V^2*m = N*m / V^2*m = N/V^2
第二个不知道为啥多了一个m |
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ET
发帖数: 10701 | 35 normalized过了吧？
标准的应该是F/m |
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N******2
发帖数: 436 | 40 连微波传输的3维波导都能模拟，32KHz当然没问题了。
你去参加seminar,他们会给你一个小册子，上面有些入门介绍。你这个问题很简单的，
就是按照实际的形状做好一个真实尺寸的截面，然后把这个2维截面往z方向延伸到1万
尺，两万尺，按你需要的长度。把各个区域的导电性，介电常数等等什么的设好，边界
条件设好，源端把32KHz的激励信号加上，就可以模拟了，如果要在不同的地方加负载
，那就按需要加。读读comsol的文档和例子，讲的挺不错的。
这个问题在专门做FEA的人那里太简单了，不值一提。我估计是comsol技术支持的人是
搞软件的，不懂具体的专业问题，所以胡乱回答。你看mitbbs有没有FEA版或者科学计
算板，要么在国内找个人做做，无数的人都用这个。你先模拟一下就知道情况怎么样了
，无需费那么多事做实验，最多是模拟完验证一下而已。
型。 |
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c***r
发帖数: 4631 | 41
降低介电常数。
反射特定波长的光。
artificial tissue 的骨架。
做过滤膜。
吸附某些分子，例如乳糖，病毒。
做催化剂，提高表面积。 |
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E*******r
发帖数: 370 | 42 应该可以用带空洞的材料
加热或其他条件下一些基团能分解，在材料中形成空洞
就像有某种低介电常数的材料一样 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 43 对呀，一个很大的问题在于
DFT算出来的到底是什么？
介电常数这个概念如何在原子尺度下定义？ |
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a*****e
发帖数: 4577 | 44 epsilon_infinity
请问用英文怎么说的？
多谢 |
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S*******e
发帖数: 85 | 45 不用电动力学。就是一个圆柱电容，介电常数是坐标函数，要是没理解错，就看成电容
并联，对X求积分。
) |
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d*b
发帖数: 21830 | 46 这是你的作业，当然留这你自己思考了。大的idea我已经给你了。你如果这个都不能思
考的话，我看你干脆还是跟花儿姐一起跳楼算了。
还有更trick的，比如算入射光的极化变化的。大致也一样。从电容组入手算总电容，
然后反算介电常数。再用电动力学算极化。 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 47 现在由于老板的要求，要转到计算电磁场方向
具体的就是要计算一些nm-um尺度的二维材料的有效介电常数
现在自己也不懂，组里也没人懂
除了本科学的一点电动力学之外完全不了解其他相关的东西了
因为计算电磁场方向似乎很杂（很多是电子系的人在做）
不知道我这个方向具体应该看些什么类型的书籍或者综述
麻烦各位给推荐几本书或相关文献
谢谢先 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 49 1.我假设的是graphene排成的阵列
2.见wiki，在光学波段，半导体是interband transition, 这样的，金属的话自由电子
应该是主要的 |
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