S****i
发帖数: 1785 | 1 今天蛋疼做了实验，在50纳的金膜grating结构上对combine了DNA的15nm Au NPs做了
extinction spectrum，发现竟然blue shift，查了半天文献也没搞清楚是啥原因造成
的，有高手大牛能给点解释吗 |
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m*******0
发帖数: 119 | 2 谢谢。
这个我买了。
有的报道说粒径有15nm，有的报道有75加减15nm
请问，这纳米颗粒表面是什么基团？羟基？
我问过Alfa公司，他们说他们没有做过表面基团分析，只说是“无修饰” |
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x****n
发帖数: 98 | 3 看了几个人的回复，以为半导体产业就是芯片设计吗？
其实差得更远的是工艺和成品控制，而从上到下都不重视工艺，却不知工艺成品率低，
公司就没利润，发展不起来，更不用说有些能设计出来但就是造不出。单靠画图就够了
吗？
现在几家都往23,19,16,15nm的process方向做，Z G目前是做什么？ |
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A****s
发帖数: 932 | 4 实验室里搞的。英特尔2003年实验室里就搞出15nm 的工艺了. 高K材料半导体业界都搞
了20年了。22nm 的关键不是材料，是光刻。光刻机世界上只有两个公司生产，Nikon
和ASML.
of
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f***y
发帖数: 4447 | 5 http://www.eepw.com.cn/article/201703/345450.htm
SEMICON China 2017开幕日即3月14日，上海微电子装备(集团)股份有限公司(后简称“
SMEE”)宣布，SMEE 与荷兰公司 ASML 签署战略合作备忘录(MoU)，为双方进一步的潜
在合作奠定了基础。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201703/345450.htm
根据这项合作备忘录，ASML 和 SMEE 将探索就 ASML 光刻系统的特定模块或半导
体行业相关产品进行采购的可能性。此次MoU的签署代表 ASML 继日前与上海集成电路
研发中心(ICRD)宣布合作之后，进一步深入参与中国的IC产业的发展。
光刻机被称为“人类最精密复杂的机器”，制造光刻机更被比作是在微观世界里“
造房子”——成像系统由几十个直径为200~300毫米的透镜组成，定位精度都是纳米级
。微米级的瞬时传输控制技术，犹如两架空客以1000/小时公里同步高速运动，在瞬间
对接穿针引线;玻璃镜面加工等精度，误差不会超过0.5毫米。
为了在更小的物理空间集... 阅读全帖 |
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t*******a
发帖数: 4055 | 6 SEMICON China 2017开幕日即3月14日，上海微装备(集团)股份有限公司(后简称“
SMEE”)宣布，SMEE 与荷兰公司 签署战略合作备忘录(MoU)，为双方进一步的潜在合作
奠定了基础。下面就随手机小编一起来了解一下相关内容吧。
根据这项合作备忘录，ASML 和 SMEE 将探索就 ASML 光刻系统的特定模块或行业
相关产品进行采购的可能性。此次MoU的签署代表 ASML 继日前与上海集成电路研发中
心(ICRD)宣布合作之后，进一步深入参与中国的IC产业的发展。
被称为“人类最精密复杂的机器”，制造光刻机更被比作是在微观世界里“造房子
”——成像系统由几十个直径为200~300毫米的透镜组成，定位精度都是纳米级。微米
级的瞬时传输控制技术，犹如两架空客以1000/小时公里同步高速运动，在瞬间对接穿
针引线;玻璃镜面加工等精度，误差不会超过0.5毫米。
为了在更小的物理空间集成更多的电子元件，单个电路的物理尺寸越来越小，主流
光刻机在硅片上投射的光刻电路分辨率达到50-90nm。超高的技术难度使得光刻机在全
世界集成电路设备厂商中形成... 阅读全帖 |
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t******e
发帖数: 2504 | 7 目前DRAM的最前沿，是三星的1z nm DRAM, 10nm级别DRAM, 分为1x(18nm),1y(15nm),
10z(10nm), MU目前还是1y， 比三星落后了。
而且三星的1z， 是用EUV制程，比immersion制程的产品，要好不少。 |
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b********h
发帖数: 7210 | 9 5 off 15NM 和3offNM 合用有点难度 |
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L***s
发帖数: 9258 | 10 现在的问题是有多少东西真的需要15nm？上这样的生产线和上真空管显示屏是一个道理。 |
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t****g
发帖数: 3434 | 11 不是原始硅片，是流片出来后的价钱。
一个12英寸硅片，上面可以有很多个小芯片(die，或者chip)。 一个 die = 一个完整
的电路。如果做的是CPU呢？ 更贵。 简直就真的是他爹（die)了， 都不能叫cheap（
chip）了。
简单算一算：
12 inch 硅园片面积(换算成平方毫米）： 大约是70650;
Intel 用45nm技术做 MP Server CPU 价钱大于2000美刀;
其 die size 大约是： 300 到 600 平方毫米；
每片12 inch 硅园片共可以出100到200个CPU chip, intel 封装好后卖：100k 到 400k
USD.
要的 7000 USD加工费，只占到整个产品的销售额的 2% 到 7%. 贵吗？
高的有点离谱吗？
注意，上面用的是45nm技术，现在要到32nm, 22nm,15nm, 更贵。没有几家玩得起。 |
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a***e
发帖数: 27968 | 12 多新鲜啊，32按业界的说法是full node
45*0.7=32,intel正在全面量产i7,i5,i3一堆32nm
28nm是所谓的half node,就像TSMC玩45nm,然后现在玩40nm half node.
ibm的focus是量产32nm,开发28nm是tsmc等foundry的要求，跟32nm区别不大
下一步是22nm 不过22nm也就是明年，15nm也就是2014，再往下就真到极限了
不过2012也到了，不在乎了 |
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S*****n
发帖数: 6055 | 13 这个你慢慢摸索条件了。。。
别的不说
15nm和50nm就差很多呢。。。 |
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a***e
发帖数: 27968 | 14 GF spinoff要花很长时间整合
把一个IDM改成代工厂要花很多功夫
纽约的厂新建，买了charter
然后ibm的所谓HKMG走错路，
闹得32nm刚刚上线
计划执行能力，还是老英牛差
32-->28需要解决的问题不多，GF应该很快就能上28
half node对代工厂是个好主意
预研5年，其实现在是应该开始10nm研究了
22nm已经技术锁定了，15nm也就两年后，下来就是10nm
看着俺的carrier要撞墙了，nnd |
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a***e
发帖数: 27968 | 15 靠，年底22nm就该上了，再过18个月就是下一代，有人说15nm,有人说14nm
可不就是2年多点的事情？ |
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l**********1
发帖数: 5204 | 17 Pls go to
httq://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21926998
NB: http now is "httq" from some bug might happened while using direct URL
address here.
if FAQ (Just F A Q) 的 target scale is below 15nm i.e. virus likes HSV
now your only choice is SEM not fluorescence microscopy.
pls refer
2011 paper:
httq://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/21345968
Ps:
这里也是现炒现卖 没有楼上的提示
还得不到
科普 偶本人 和whom want to know sth about size scale:
30 nm Small virus (Picornaviruses)
httq://en.wikibooks.org/wiki/Cell_Biology/Introducti... 阅读全帖 |
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c******k
发帖数: 1140 | 18 我举个例子是10nm的，我们实际上用的是30nm 的脉冲，经过四米的光纤传播后用光谱
分析仪测脉冲频谱， 发现 Delta_Lambda变成15nm了？ |
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c******k
发帖数: 1140 | 19 google了一些，都是窄带的filter用于光通信的，但是我们需要15nm的bandwidth @ -
3dB
在C-band, 谁有这方面的信息？ 多谢 |
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f*****k
发帖数: 195 | 20 我的micro fabrication 的流程：
clean glass
e-beam deposit Ti 15nm on glass
e-beam deposit Au 150nm on top of Ti
spin coating photoresist on Au
develop 4 micro structures
wet etching Au and Ti
这样做出来的micro structure 一加电压Au就peel off了， 为什么呢？
我看了文献，看很多人用sputtering 镀膜 而不是 e-beam，然后 lift off 而不是wet
etching。他们那样做出来的micro structure 好像很robust。
不知道是不是我的流程有问题呢？ |
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h*****3
发帖数: 91 | 22 So why we are pushing into 32nm, 15nm, nano...
Cost? speed? Function? Other reasons? |
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h*****3
发帖数: 91 | 23 So why we are pushing into 32nm, 15nm, nano...
Cost? speed? Function? Other reasons? |
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a*****s
发帖数: 3643 | 24 我有15nm的Silver，但是保了一层Oleic acid，Silver不太容易氧化。 |
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h**u
发帖数: 133 | 25 我用PENG XG的方法合成了CdSe QDots，然后打算用他们的SILAR方法在外面包裹ZnS的
shell，但是一般只能得到非常薄的shell，紫外红移大概就15nm左右。延长反应时间也
没有什么变化。不知道问题出在哪里。
1.合成shell时对无水无氧的要求有多高。做到跟合成CdSe时的条件就可以了吧？PXG的
文章里说用的都是air-stable的试剂，好像连氮气保护都不用了。
2. 每一步加料以后反应时间一般多长？整个反应时间需要几个小时还是要overnight？
比如说我想得到5个layer的厚度。好像是针对不同尺寸粒子的反应温度还要求不同（小
的低，大的高）。有的人反应结束后还要在低温反应一段时间，这个作用是什么？
3. CdSe放置一段时间后，再做这个shell，有没有很大影响。 |
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y***e
发帖数: 6082 | 26 作shell有干法和湿法两种，看你的估计用的干法，俺当年用湿法做的，很简单，你去
查查文献吧
我用PENG XG的方法合成了CdSe QDots，然后打算用他们的SILAR方法在外面包裹ZnS的
shell，但是一般只能得到非常薄的shell，紫外红移大概就15nm左右。延长反应时间也
没有什么变化。不知道问题出在哪里。
1.合成shell时对无水无氧的要求有多高。做到跟合成CdSe时的条件就可以了吧？PXG的
文章里说用的都是air-stable的试剂，好像连氮气保护都不用了。
2. 每一步加料以后反应时间一般多长？整个反应时间需要几个小时还是要overnight？
比如说我想得到5个layer的厚度。好像是针对不同尺寸粒子的反应温度还要求不同（小
的低，大的高）。有的人反应结束后还要在低温反应一段时间，这个作用是什么？
3. CdSe放置一段时间后，再做这个shell，有没有很大影响。 |
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a*****s
发帖数: 3643 | 27 PS小于15nm磁性就大大减弱了，几乎没有磁性了，个个磁性的particle的这个尺寸不一
样，基本上小于15～20nm，磁性就开始笑了 |
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T****i
发帖数: 2190 | 28 why?
try Fe2O3 from Alfa Aesar Profucts. mean size is about 15nm |
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T****i
发帖数: 2190 | 29 电镜照片看起来是差不多15nm，表面干干净净的，估计也就只有-OH |
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c******k
发帖数: 1140 | 31 我们有30nm的spectral width （FWHM）的 laser pulse, 经过一段光纤色散后，由于
色散脉冲宽度展宽了，请问这时的它的spectral width有变化吗？
后来自己也用光谱分析仪测了色散前和色散后的脉冲的spectral width. 结论是变窄了
（15nm）。但不清楚自己的测量是否正确。请牛人说说理论上是怎样的？谢谢啦 |
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c******k
发帖数: 1140 | 32 贴上两张OSA的图供大家参考：
几乎直接测量脉冲的spectral width : 32nm
然后经过四米的光纤后测量spectral width : 15nm
这种测量有什么问题吗？ |
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c*********r
发帖数: 19468 | 33 SLS AMG Black Series发布了，数据蛮漂亮哦：
6208cc，630ps（比基本型高59ps），峰值转速7400rpm（比基本型高600rpm，上
7000rpm了），升功率越过了100大关，红线拉上了8000rpm（量产的MB这算第一次吧？
比基本型高了750rpm，考虑到M159单缸容积高达776cc，又是十字曲轴，也没有用钛连
杆、钛进气门之类的，8000转大关还是不容易的），635nm（为了高转付出了15nm代价
），引擎干重205kg（这个功率密度在量产车NA引擎里应该是顶尖了）。这世道，BMW全
心全意搞turbo，高转NA全部停止发展，反倒是MB杀进了这个领域…… |
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