j****n
发帖数: 3465 | 1 干刻完之后如何去掉SiNx, SiO2呢？用HF/BOE泡掉？HF/BOE不是也attack AlGaAs吗？ |
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j**y
发帖数: 7014 | 2 你查一下HF对SiNx/AlGaAs的selectivity
我印象中还是可以用的 |
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c********n
发帖数: 258 | 3 请问Al0.7Ga0.3As用什么溶液比较容易etch？
我的substrate长有三层300nm厚的GaAs，它们被四层200nm厚的AlGaAs分隔开，
我试了buffered HF(Leodyne BOE 15:1)泡了2小时，解理面上通过SEM可以看到
由于AlGaAs被从解理面etch,而GaAs不被etch,已经可以看到明显的分层。
然而最上面一层的AlGaAs按理说也应该被Buffered HF全部Etch掉才对,因为它整个
面都暴露在Buffered HF溶液中，但是现在最上面一层AlGaAs好像还是完好无损，
只是侧面被etch。
难道表面上有氧化膜之类的东西？还是说Buffered HF etch AlGaAs就是非常慢?
layer结构如下 |
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J*******3
发帖数: 1651 | 4 我国半导体物理研究进展
夏建白 黄 昆
半个世纪以来，半导体的研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地
位.这是因为半导体不仅具有极其丰富的物理内涵，而且其性能可以置于不断发展的精
密工艺控制之下.传统的晶体管、集成电路以及很多其他半导体电子元件都是明显的例
证.半导体超晶格和微结构则是近年来开拓的新领域，它在一个新的水平上体现了以上
半导体的特点，这个领域的开拓正有力地推进半导体研究和新一代高技术的发展.
除了半导体超晶格和微结构以外，表面、界面和杂质、缺陷是半导体物理的两个传
统研究领域，研究历史较长.这两个领域都是和半导体材料、器件性能的改善有密切的
联系，因此预期今后将继续发展下去.表面、界面方面最突出的进展是扫描隧道缇档姆
⒚鳎挠τ靡言对冻隽吮砻婧徒缑姹旧淼姆段?
半导体材料是半导体物理研究的基础，半导体新材料、新结构的研制成功大大促进
了半导体物理研究.生长半导体超晶格材料的分子束外延等技术是超晶格领域能够形成
并不断发展的基础.最近，多孔硅、C60、GaN等每一种材料的... 阅读全帖 |
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S*******C
发帖数: 7325 | 5 ☆─────────────────────────────────────☆
LoneWolf (孤独的狼) 于 (Wed Aug 11 22:31:17 2010, 美东) 提到:
1。
中国文化讲，己所不欲，勿施于人。
西方文化讲，Winner takes all。
在中国文化，当我们考虑一个方案时，总考虑是否公平，
对方能否接受。
在西方文化，当他们考虑一个方案时，他们考虑的是
怎样谋求最大利益，而不会考虑是否公平，对方能否
接受。
因此，当我们和西方打交道时，必须知道这一点，
把他们打痛打惨，他们才会让步。
中国同情弱者，西方崇拜强者。
举例说明：
毛泽东在对美斗争中，明确地提出，敌人在战场上
得不到的东西，在谈判桌上也同样得不到。当美国
在越南战场上战败时，尼克松就只好到北京。中美
关系就大发展了。
正确学习西方应当得出的结论：
要和美国搞好关系，必须先把美国打趴下。
2。
维维搞疆独，我们该怎么办？
中国的传统思维是以心换心，要对维维更好，
来感化他们。这传统思维所产生的政策就是
“两少一宽”。结局大家都看到了，就是
7.5事件。
西方的思维就不同。美国霸占了印... 阅读全帖 |
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l*******e
发帖数: 1485 | 6 这不是好容易碰到牛人了，赶紧问嘛。。。。楼歪了，等您来扶正了。。。
MetalGate/n-GaAs/n-AlGaAs/AlGaAs/GaAs
偏置电压可能就是默认0吧。
dope情况都是默认的，也就是头两层是doped，下面隔离层和沟道层都是undoped。这个
隔离层和沟道层能带问题困扰我好久了。。。。一直百思不得其解。难道是因为有了
Metal Gate, 沟道层undoped GaAs的Ec-Ef也跟着缩小了？ |
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l*******e
发帖数: 1485 | 7 我是用snider的那个1d possion.exe 看不见code吧。
我贴个能带图。可以明显看到沟道层undoped GaAs Ec-Ef<0.2, 这也跟教材上一致，但
我只是不明白为什么不是Ec-Ef=Eg/2.
下面是材料参数：
==================================
# A single heterostructure MODFET
# There is not sufficient confinement at the edge of the schrodinger mesh
# so the dreaded "Danger Will Robinson" message is generated.
surface schottky=.6 v1
GaAs t=0 Nd=1e17
AlGaAs t=300 Nd=1e18 x=.3
AlGaAs t=100 x=.3
GaAs t=5000
substrate fullyionized
v1 0.0
no holes
schrodi |
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j****n
发帖数: 3465 | 8 请问各位GaAs大牛，做GaAs/AlGaAs干法刻蚀的时候都用什么材料做mask？如果用oxide
的话，如何去调？直接在BOE中泡掉么？BOE会腐蚀GaAs/AlGaAs么？ |
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j****n
发帖数: 3465 | 9 谢谢楼上各位的热心！
其实也很简单，我们就是想做一个红光LED的结构，但是限于干法刻蚀设备的原因，
wafer结构里不能含In，是不是说就只能用AlGaAs做有源区了？AlGaAs的发光效率比
InGaAlP能差多少？（如果差的不是很大的话，我们也能接受）。另外，限于feature，
我们也不能把p型层设计得太厚，请教一下要怎么设计才能兼顾电学和光学两方面的要
求？ |
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r*****r
发帖数: 110 | 10 用AlGaAs做active layer是可以做红光LED,但是效率比InGaAlP差的不是一点点,因为
AlGaAs是间接带隙材料,InGaAlP是直接. |
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c***s
发帖数: 70028 | 11 “四大”员工过劳死、跳楼的消息年年风传，但年轻学子们还是义无反顾扑向这里。
25岁的潘洁生命已逝
忙季的频繁出差和密集加班，巨大的身心压力与职业病，令不少“四大”人选择在三至五年后离开这个系统
四月是灿烂的季节。25岁的潘洁，却死于四月。
热舞者，琵琶乐手，钢琴十级，跳高冠军，辩论队员……这些曾鲜活的形象在告别仪式上闪回，留予家人与友人珍藏。但对陌生人来说，潘洁只是一名普通的会计行业初级审计员。在连续加班三个月后，她患上脑炎，不治身亡。
2009年11月底，当接到普华永道的工作Offer时，潘洁把这个机会当做梦想的起步。她的梦想是进驻华尔街，或成为一名酒店高级财务总监，可以环游世界。
这个年轻的女孩确实跑了不少地方：2006年从上海交通大学毕业后，赴新加坡交流；2008年的四月，在日本留学，吃不惯生鱼；2009年夏，又去德国读书……
但死亡这趟旅行实在太远，整个青春像行李般被席卷而去，干净得恰如她日夜奋战后“平”掉的财务报表，满目皆零，空空荡荡。
“平啦，回家睡觉。”收到这条令自己“内牛满面”的指示时，是2011年3月29日下午4点，潘洁自年初便接手的一个大项目，终于告一段落。
两天后... 阅读全帖 |
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C*****r
发帖数: 171 | 12 大家帮帮忙，我需要以下两篇文章：
The effect of post-growth thermal annealing on the emission spectra of GaAs/
AlGaAs quantum dots grown by droplet epitaxy
Colorimetric Sensor Using Silver Nanoparticles for Determination of Hydrogen
Peroxide Based on a Flow Injection System
Email：[email protected]
(function(){try{var s,a,i,j,r,c,l,b=document.getElementsByTagName("script");l=b[b.length-1].previousSibling;a=l.getAttribute('data-cfemail');if(a){s='';r=parseInt(a.substr(0,2),16);for(j=2;a.length-j;j+=2){c=parseInt(a... 阅读全帖 |
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O**********m
发帖数: 781 | 13 Intel has been working on CMOS component of wireless, which is on Si
substrates, the wireless data tranmission is mainly on group III-V material
(such as GaAs, AlGaAs...etc), and Intel is not part of it. |
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s******l
发帖数: 1524 | 14 谁说量子效率要超过100%了?我说的两点都是降低噪声的,GaAs,AlGaAs材料的内噪声比
硅的低太多了.你看懂我说的了吗?我的观点就是即使量子效率到了极限也是可以通过降
低噪声来提高探测率的. |
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L**********s
发帖数: 12988 | 15 突然想到这个演讲，不知道有没有人以前看过？演讲者是现台大校长李嗣涔，演讲时，
他还只是台大电机系的教授。可惜他当了校长后，就没有继续这个争议性很大的实验和
研究。
李嗣涔，1974年毕业于“国立”台湾大学(台大)电机系学士班，并于1977年及1980年于
美国斯坦福大学电机系分别取得硕士及博士学位，主要研究 GaAs/AlGaAs 异质接面元
件的研究。为台湾地区早期研究非晶矽的学者，并为国际电机电子工程学会会士(IEEE
Fellow)，在该领域有一定声望。后来应台湾地区“国家科学委员会主委”陈履安等人
的邀请转入气功、特异功能方面的研究，而使其学术地位充满争议性。
李嗣涔为台湾大学电机系、电子所固态组、电机所医工组教授，并担任几个社团的
指导教授，先后有台大星舰学院、台大特异功能社。在台大校务行政方面，其于1996年
到2002年间担任“国立”台湾大学教务长，2005年通过台湾地区“教育部”遴选，担任
“国立”台湾大学校长。
李嗣涔教授并无宗教信仰，但于特异功能（神通）以及佛教、基督教、妈祖信仰等
的神灵相关求证性实验研究中，有突破性的发现。尽管他的实验遭到一些学者... 阅读全帖 |
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c********n
发帖数: 258 | 16 就是说还是有些氧化膜之类的，要用HCL先预泡一下，然后再用Buffered HF etch是把?
还是说HCl本身就是有效的etch AlGaAs的溶液? |
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c********n
发帖数: 258 | 17 这个会把GaAs层也etch掉吗？
我刚试了 1:8:8的 GaAs和AlGaAs都Etch得很快 |
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j**y
发帖数: 7014 | 18 这个是non-selective etch,
GaAs,AlGaAs,AlAs都能etch |
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c********n
发帖数: 258 | 19 多谢，请问这个是selective etch AlGaAs 而不etch GaAs的溶液吧？ |
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l*******e
发帖数: 1485 | 20 俩牛儿都现身了，赶紧顺路问个问题。
我用那个1d possion 仿真AlGaAs/GaAs HEMT, 就是直接用软件默认值，出来个能带图
。我所不明白的是：
1. 这个是无偏置电压对吧？
2. 这个Ec-Ef怎么才只有不到0.2eV? 这个难道不是无掺杂GaAs能带间隙的一半吗？也
就是（Ec-Ef）=Eg/2=1.42/2=0.71eV ?
3. 这个Ef 是由偏置电压Va来决定 Ef=Ef_metal-q*Va, 那么相应的Ec_GaAs如果不是由
Eg/2来决定，应该由什么来决定呢？
问题有点多啊，困扰我好几天了，烦请两位给指导一下。 |
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j****n
发帖数: 3465 | 21 我现在遇到的问题不是selectivity的问题，而是在我用oxide做mask以后，用BOE去掉
oxide时，发现BOE居然会腐蚀GaAs/AlGaAs。 |
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s*******l
发帖数: 146 | 22 wet etch: PR
dry etch: PECVD SiO2, then CF4 RIE SiO2. BOE attacks AlGaAs.
oxide |
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j****n
发帖数: 3465 | 23 我就说呢，每次dry etch完GaAs后，扔到BOE里面去oxide的时候，都发现表面变花了，
靠，早点知道就好了。BOE attcks AlGaAs是不是常识啊？我怎么连这个都不知道？ |
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s******p
发帖数: 4962 | 24 kinds of
我就说呢，每次dry etch完GaAs后，扔到BOE里面去oxide的时候，都发现表面变花了，
靠，早点知道就好了。BOE attcks AlGaAs是不是常识啊？我怎么连这个都不知道？ |
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w********o
发帖数: 10088 | 25 InGaAlP一般都lattice match么?如果是,换了AlGaAs reliability会不会有问题 |
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j****n
发帖数: 3465 | 26 好像这个材料系挺讨厌的，跟很多chemical都不compatible，因而在选择dry etch
mask上很受局限，不知道各位有经验的前辈们都是用什么材料做etching mask的？ |
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w********o
发帖数: 10088 | 27 SiN SiO2
你做干刻，这材料还不是一抓一把？
你这个材料湿刻也行吧 |
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j****n
发帖数: 3465 | 30 什么叫“Cl2 strip SiNx”？你是说用Cl2刻蚀掉SiNx？ |
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j****n
发帖数: 3465 | 32 刻SiO2、SiNx不是都要用含F的气体吗？Cl2怎么能刻蚀SiO2, SiNx呢? |
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H*****l
发帖数: 702 | 35 加了cl2还有什么吃不掉？
Cr都被吃掉了，不用说SiNx了 |
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j****n
发帖数: 3465 | 36 你这么说就有点纯抬杠了，别说加Cl2，你就是纯用Ar打，也能吃掉SiNx啊 |
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b*******h
发帖数: 2585 | 37 不明白, Cl2本来是用来刻GaAs, SiN 用来做harmask,就是抵御
Cl2的.
现在你反而用Cl2来去harmask,GaAs怎么办?
用很软的SF6去SiN 或者SiO2很常见 |
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j****n
发帖数: 3465 | 38 这其实是个selectivity的问题，不存在绝对不被etch的材料。即使是用来做hardmask
的SiNx,SiO2也是多少能被Cl2刻蚀的，只不过与此同时，GaAs被Cl2 etch得更快些。 |
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a*******e
发帖数: 121 | 39 SiNx，BOE
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s**********2
发帖数: 305 | 40 Hi
我们实验室有RIE, 我刚刚还用CF4刻蚀了Si3N4 的膜，大概几百个nm吧应该（具体不清
楚，老板给你wafer，Si3N4 on SiO2.）这个刻蚀应该看 具体参数设置吧。
只是会用RIE，具体理论，还不太清楚，没做这方面research。
希望能有帮助。
hardmask |
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m*****n
发帖数: 166 | 41 depending on what thickness you want to etch, you can even use regular
photoresist to do the dry etch. Some photosensitive polymers, such as bcb,
polyimide, are also good choices.
All about selectivity!!!!
You can use CH4 and hydrogen to etch III-V materila typically. Ar can always
be added to stablize plasma and add some directionality in etching.
Using Cl2 and Ar can get very unisotropic profile. |
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m*****n
发帖数: 166 | 42 you sue oxygen plasma to ash the organic masks. |
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g******9
发帖数: 11 | 43 请问超晶格中声子振动(Raman或DECP：Displacive Excitation of Coherent Phonons)
的品质因子（Q factor）怎么计算？
比方说 GaAs/AlGaAS 超晶格中的quality factor。
能大概说一下计算步骤或推荐相关的论文、书籍么？谢谢 |
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M***a
发帖数: 175 | 44 哪位兄弟能下到Journal of Nonlinear Optical Physics & Materials的文章？麻烦帮
帮忙。万分感谢！
“ALL-OPTICAL SWITCHES BASED ON GaAs/AlGaAs QUANTUM DOTS VERTICAL CAVITY”F.
D. ISMAIL, R. JOMTARAK, C. TEEKA, J. ALI, and P. P. YUPAPIN， Journal of No
nlinear Optical Physics & Materials， vol.20, No.2, pp.205-215, 2011
请使用文章链接：
http://www.worldscinet.com/jnopm/20/2002/S0218863511006030.html
请发到： m******[email protected] |
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l*****1
发帖数: 137 | 45 不知道哪位做过GaAs/AlGaAs多量子阱的degenerate four wave mixing实验？
我想知道需要什么样的detector去测量衍射信号？一般衍射效率能达到多少？对激光波
长是否非常敏感？有可能用IR viewer或者IR card之类的东西直接看到衍射光吗？
我们现在的实验条件如下：
250Khz， 200fs， 两束泵浦光10mW，探测光1mW，温度80K，激光波长785nm。 |
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M*********m
发帖数: 2024 | 46 At least you should tell us which kind of interface material are the holes
drifting in? GaAs, AlGaAs, ... the effective mass is different for different
"holes".
The tunneling process is the easiest to work out, suppose the difference in
surface energy is Vd, then the tunneling time scale is hbar/Vd and the
tunneling rate is exp(-sqrt(2*m_eff*(Vd-E))/h*d), d is the thickness of the
layer. If Vd is smaller than the kinetic energy of the holes, that's accounted
by diffusion. Of course there might b |
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g******9
发帖数: 11 | 47 请问超晶格中声子振动(Raman或DECP：Displacive Excitation of Coherent Phonons)
的品质因子（Q factor）怎么计算？
比方说 GaAs/AlGaAS 超晶格中的quality factor。
能大概说一下计算步骤或推荐相关的论文、书籍么？谢谢 |
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