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c***u
发帖数: 843 | 2 做AlGaN FET的求内推!!!! 苦逼的phd啊!!! |
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R****a
发帖数: 6858 | 3
我国UVLED生产和研发取得重大突破
近日，青岛市科技局支撑的“UVLED财产化核心技能攻关”项目取得重大突破，由
青岛杰生电气有限公司研发生产的UVLED发光强度超越2.0毫瓦，首要技能目标到达世界
领先程度。
UVLED（发光波长低于340nm的紫外线）体积小，光密度高，无污染，具有远大的使
用前景，可被普遍使用于消毒、水和食物处置、新型通信、生化检测、皮肤病医治等范
畴。青岛杰生电气有限公司不断努力于氮化物半导体范畴的立异、研发和出产，曾经成
功开拓出克己的特种高铝组分MOCVD设备和UVLED产品，并取得多项国度专利。该公司生
产的波长280nm UVLED灯经国度级第三方检测机构检测，在20毫安延续直流电流下，发
光强度超越2.0毫瓦，外量子效率大于2.5%，UVLED灯模组标定输出功率超越32毫瓦，产
品功能曾经到达国际抢先程度，量产产品本钱远远低于国外同类产品，有望敏捷推行到
消毒灭菌等使用范畴。当前，杰生公司已开端批量生产波长为280nm的UVLED灯，设计年
产规划到达1000万粒。
据调查，半导体深紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测... 阅读全帖 |
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C*G
发帖数: 7495 | 4 “发光强度超越2.0毫瓦”
我老虽然文科男，但是中学物理上貌似不是这么说的。
现在基本上买几大厂商的设备，附送AlGaN圆片生长工艺，专人去调试成功，参数达标
。商品化主要是稳定性/可靠性/容错率/。。等问题
hiahia |
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C*G
发帖数: 7495 | 5 LED业，不像芯片业对集成技术的高要求，
利润和技术的大头都在上游，比如，设备/材料源/外延片工艺。
UVLED和蓝光/红光等LED中下游技术都类似，天朝比较成熟
AlGaN/GaN等类似的设备和工艺，换到芯片方向就是GaN基的功率和射频器件，IR和EPC
都换装采用了GaN基模块，美海/空军电子系统换代正在扩展，应对高频高场高辐射强电
磁脉冲的物理对抗。--这些就对功能材料单元和集成的工艺要求就高了，天朝当前还是
盲人摸象。cree和海军实验室等军方科研单位的合作产业化线都是优秀的。
hiahia |
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R****a
发帖数: 6858 | 6 我国UVLED生产和研发取得重大突破
近日，青岛市科技局支撑的“UVLED财产化核心技能攻关”项目取得重大突破，由
青岛杰生电气有限公司研发生产的UVLED发光强度超越2.0毫瓦，首要技能目标到达世界
领先程度。
UVLED（发光波长低于340nm的紫外线）体积小，光密度高，无污染，具有远大的使
用前景，可被普遍使用于消毒、水和食物处置、新型通信、生化检测、皮肤病医治等范
畴。青岛杰生电气有限公司不断努力于氮化物半导体范畴的立异、研发和出产，曾经成
功开拓出克己的特种高铝组分MOCVD设备和UVLED产品，并取得多项国度专利。该公司生
产的波长280nm UVLED灯经国度级第三方检测机构检测，在20毫安延续直流电流下，发
光强度超越2.0毫瓦，外量子效率大于2.5%，UVLED灯模组标定输出功率超越32毫瓦，产
品功能曾经到达国际抢先程度，量产产品本钱远远低于国外同类产品，有望敏捷推行到
消毒灭菌等使用范畴。当前，杰生公司已开端批量生产波长为280nm的UVLED灯，设计年
产规划到达1000万粒。
据调查，半导体深紫外光源在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、... 阅读全帖 |
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t*******a
发帖数: 198 | 7 主持或承担科研项目：
1.主持黑龙江省教育厅骨干教师项目“微投影显示的LED光学引擎研究” 项目编号：
1251G031（ 2011年3月—2013年12月，5万）
代表性论文 :
1.SUN Wenjun, Chromaticity Uniformity Test Based on Array CCD for
Projection Display, The Proceedings of SPIE 2009.6
2.SUN Wenjun, Micro-Motion Exposure Method Based on Electrostriction PZT,
The Proceedings of SPIE 2009.6
3.SUN Wenjun, Design of LED Optical Engine for Micro-Projection Display of
DMD，Optical Technology 2009.9
4.Feng Chunhai, SUN Wenjun, New LED Illumination Optical Engine for Micro-
Project... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 8 中国电科（CETC）第五十五研究所（NEDI）微信公众号4月12日报道，该所重点实验室
张凯博士发表在国际半导体器件权威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的论文
《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三
维鳍式GaN高线性微波功率器件》被国际半导体行业著名杂志《Semiconductor Today》
进行专栏报道，受到国内外业界关注。
张凯博士的论文聚焦重点实验室近期在GaN高线性技术方面获得的多个重要突破，创新
提出三维GaN FinFET微波功率器件,克服了GaN平面器件瓶颈，极大改善了跨导平整度，
大幅提升GaN器件线性度,同时维持高的输出功率和效率，为下一代移动通信高性能元器
件奠定基础。本成果也是首次展示GaN三维器件相对于二维器件在微波功率应用的优势
与潜力，有力推动了GaN三维器件的实用化进程。该成果研制过程中得到国家自然科学
基金、预研基金等课题的支持。
NEDI提出的高线性GaN FinFET器件以及跨导特性
SemiconductorT... 阅读全帖 |
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A***N
发帖数: 219 | 9 Key word: integrated diamond heat spreaders, AlGaN/GaN, HEMTs, thermal
management, simulation.
Impact factor: 1.5~2
Please send me message with your background, and I will refer whoever
matches best.
有一位candidate的背景和这篇稿子的内容完全符合， 他PhD时是做 GaN HEMT devices
fabrication and modeling, 本科是学heat transfer, 做过device simulation and
thermal simulation。因此我把这篇审稿机会refer给他了。 |
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j***e
发帖数: 287 | 10 非常需要这篇文章,但是网上没法下载, 哪位大狭帮个忙?
万分感谢!!
"Effect of polarization fields on transport properties in AlGaN/GaN
heterostructures"
J. Appl. Phys. 89, 1783 (2001) |
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n******r
发帖数: 16 | 11 这里只是帮老板转发一下（个人觉得不管是实验条件还是待遇都很好）。有兴趣的可以
申请（这些职位在Sandia网站上能找到，有兴趣的也可以发信问我，我尽量回答）：
2 Postdoc openings in Nanophotonics
We have two postdoc openings in experimental Nanophotonics. The postdocs
will work in the general areas of plasmonics/metamaterials combined with
semiconductors and/or optical nanomaterials.
The positions are at the “Center for Integrated Nanotechnologies”, a DOE
Nanoscience user facility run by Sandia. Postdocs will have free access to
state of the art facilities http://cint.san... 阅读全帖 |
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A***N
发帖数: 219 | 12 Key word: integrated diamond heat spreaders, AlGaN/GaN, HEMTs, thermal
management, simulation.
Impact factor: 1.5~2
Please send me message with your background, and I will refer whoever
matches best. |
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s****x
发帖数: 326 | 13 有谁还需要审稿吗?
期刊是, Sensors & Actuators: B. Chemical. 题目是 Investigations of the
reference electrode-free GaN/AlGaN/GaN-based sensor response towards acidic
and basic solutions.
如需要, 可以站内回信给我.秀一下你能审这个,比如你的背景. 以我的口气写一小段转
稿信. |
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h******y
发帖数: 2025 | 14 http://www.hulunbeier.com/minzu/elunchun/htm/e04.htm
鄂伦春语属阿尔泰语系满－ 通古斯语族－通古斯语支。 无方言差别。鄂伦春族没有本民
族文字，通用汉语。
语音
①单元音在元音体系里占优势，在固有词里不出现复元音。元音分长短。有元音和谐现象
。i 、i：、e：、[、[： 、o 、o：、u 、u： 是一类（阴性元音）， I
、I：、E：、a、a：、C 、C：、υ 、υ：是另一类（阳性元音）。同一类元音按照一定
规则在词里保持和谐，如 atFυkυn“少”，[mUn“唇”，C:rlkta“肥料”，o:d[n“大
绒”，ImUkF[“油”，υlgan“回声”。除了性属和谐以外，还有唇状和谐，如宾格附加
成分有4种元音形式，加在含有不同唇状元音的词干后：algan-ma“脚”，[nIn-m[“母亲
”，CrCn-mC“驯鹿”，mowon-mo“银子”。②辅音系统比较简单，有b、p、m、f、w、d
、t、n、l、r、dV、tF、F、n、j、g、k、N、x 等19个。辅音在词里出现的情况有以下一
些特点：一是不同于某些满－通古斯语，N可以出现在词 |
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发帖数: 1 | 15 What Happened To GaN And SiC?
Early predictions were overly optimistic, but these technologies are
starting to make inroads.
About five years ago, some chipmakers claimed that traditional silicon-based
power MOSFETs had hit the wall, prompting the need for a new power
transistor technology.
At the time, some thought that two wide-bandgap technologies—gallium
nitride (GaN) on silicon and silicon carbide (SiC) MOSFETs—would displace
the ubiquitous power MOSFET. In addition, GaN and SiC were suppos... 阅读全帖 |
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G****n
发帖数: 145 | 16 But Andrei Shleifer, who won the clark medal is the real deal!
The law and economics of self-dealing[PDF] from uva.nl…, R La Porta, F
Lopez-de-Silanes, A Shleifer - 2005 - nber.org
... Andrei Shleifer Department of Economics Harvard University Littauer
Center M-9 Cambridge,
MA 02138 and NBER a*******[email protected] Page 3. 1 1. Introduction. Over the
last twenty
years, both academic and practical approaches to corporate ...
Cited by 462 - Related articles - Library Search - BL Direct - All 71
vers... 阅读全帖 |
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a*******i
发帖数: 11664 | 17 some:
1. nitrides没有合适的substrate. 很多人在用各种方法做GaN substrate, 可能近一
两年内会有突破,但是成本和时
间是个问题. 号称要提前3-6个月预定.
2. high dislocation density, partially due to lack of substrates
3. p-doping, 不完全是growth problem
4. AlGaN/GaN, or AlN/GaN interface roughness not good, 去问wkwk, 他做这个
5. for InGaN/InN on GaN, large lattice mismatch, for high In composition
InGaN, you may have phase
separation |
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A*****N
发帖数: 6 | 18 最近要硕士毕业了，开始找工作求内推。
硕士期间做的是三五族氮化物的发光二极管。基本从器件设计，MOCVD材料生长到工艺
以及包装测量这整套流程都是在自己手里过的。有比较丰富的超净间经验。也发过几篇
相关的期刊。觉得做过的工作还是比较系统的，学得东西多但是不精。
但是好像这里做这个方向的公司不多，就Cree。结果投了过去就没有声响了。
而且作为一个硕士根本去不了研发部门（要求明确是博士）。而我能去的工程师职位往
往和硕士的工作不是很契合，有些东西工业上的东西根本没有学过，比如DOE什么的。
现在很迷茫。。。
希望能有大牛或者猎头看到能够只条明路，推荐一些公司或者职位。
谢谢啦！ |
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r******o
发帖数: 1851 | 19 好像美国很多招III－V的职位都要求绿卡或者公民，比较恼火，但是还是有一些公司可
以投的 |
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B*G
发帖数: 13438 | 20 完全没必要集中在光电或者三五族上，多投半导体公司吧 |
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A*****N
发帖数: 6 | 22 也在投半导体公司，比如做硅片的，也试了一些做RF或者power的。感觉不是很有信心
，毕竟没有在这些领域投入过很多精力，就是懂些原理而已，不深。 |
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b********d
发帖数: 720 | 25 bless everyone in this post, inlcuding me! |
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m********g
发帖数: 21 | 26 即使是专门做led的phd想找完全对口的工作也不是那么容易。 |
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b********d
发帖数: 720 | 28 很多人都申了吧
我也申了这家的，也同样没消息
没消息很正常的，我好几个refer的都同样没消息呢
DOE不需要学，做过实验的人其实都有概念的
慢慢熬吧，也许哪天就熬到一个offer了？ |
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k*******n
发帖数: 17 | 33 cree我同实验室的人就去了，在湾区，没那么难去吧
话说我最近IBM和cree投的都没反应 |
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y*******e
发帖数: 133 | 35 Room-temperature deep-ultraviolet lasing at 241.5 nm of AlGaN multiple-
quantum-well laser
Takayoshi Takano1, Yoshinobu Narita1, Akihiko Horiuchi1 and Hideo
Kawanishi1
+ View Affiliations
Appl. Phys. Lett. 84, 3567 (2004); http://dx.doi.org/10.1063/1.1737061 |
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A***N
发帖数: 219 | 36 Key word: integrated diamond heat spreaders, AlGaN/GaN, HEMTs, thermal
management, simulation.
Impact factor: 1.5~2
Please send me message with your background, and I will refer whoever
matches best.
有一位candidate的背景和这篇稿子的内容完全符合， 他PhD时是做 GaN HEMT devices
fabrication and modeling, 本科是学heat transfer, 做过device simulation and
thermal simulation。因此我把这篇审稿机会refer给他了。 |
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w********o
发帖数: 10088 | 37 mocvd长的AlGaN当barrier的上2000没啥问题了，MBE长得上1500没问题
如果Al组分高的话，mobility一般会低一些，也和做这个的人不多有关 |
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L*m
发帖数: 235 | 38 2015诺贝尔物理奖
获奖人：Arthur B McDonald、Takaaki Kajita
获奖领域：实验高能物理
获奖原因：发现了中微子震荡，并因此证明了中微子具有质量
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Measurement of the Rate of νe+d→p+p+e− Interactions Produced by B8
Solar Neutrinos at the Sudbury Neutrino Observatory
Q. R. Ahmad et al. (SNO Collaboration)
Phys. Rev. Lett. 87, 071301 – Published 25 July 2001
Direct Evidence for Neutrino Flavor Transformation from Neutral-Current
Interactions in the Sudbury Neutrino Observatory
Q. R. Ahmad et al. (SNO Collaboration)
Phys. Rev. Lett. 89, 011301 – ... 阅读全帖 |
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