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发帖数: 172 | 1 前段时间我负责设计一块电源功率器件的驱动芯片，被要求在别人以前的设计基础上修
改，大模块不变，但要把电流尽可能降低，同时由单相改为多相并增加一些新的功能。
其中有一个电荷泵电路，原理图如下。当控制输入为高时，Cpump（由5V工艺的MOS管做
的电容）的下端接地，上端被充电到（5-0.6=4.4V）；当输入变为低时，Cpump的下端
电压为Vboot， 上端电压为Vboot+4.4V，这样M4开通，将Hi_Gate电压迅速提升到Vboot
而打通上管。该设计已经产品化，在一般情况下工作正常，没发现什么问题。
但我在异常仿真时发现有一个很严重的问题：当电感电流boosting的时候（也就是上管
关掉下管开通时，电感电流通过下管流到地。如果这时突然同时关掉上下管，电感电流
就将通过上管的寄生二极管（bulk diode）流到Vin，SWITCH node 的电压就跳变到(
Vin+0.6V)，同时电感电流还将通过M0（这时候是导通的）和M1的寄生二极管（bulk
diode）流到Cpump，Cpump的两端电压被充到Vin-0.6V。如果Vin大于12V，这个5V工艺
的MOS电容将被打穿... 阅读全帖 |
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