g*******r
发帖数: 140 | 1 Generally speaking, tt is easy for buck to achieve more than 90% power
efficiency. For light load, PFM has to be applied to achieve high effieincy.
While the power efficiency is quite depending on the output/input as well,
so you'd better to check some specific datasheet for detailed informations.
If you are using an IC component, start-up should have been well handled by
the chip itself, no need to care too much about it.
Regarding to your loading range (10mA~200mA), if your input is 1.8V and
o |
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g******u
发帖数: 3060 | 2 你可以去linear.com，st.com之类datasheet写得很详细的公司查查application note.
具体还是很复杂的。
the |
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a****l
发帖数: 8211 | 3 microcontroller太高级了,所以可能没有bit operation,不过很多sub-
microcontroller是有很多bit operation的。比如ST10系列，你可以参考"ST10 FAMILY
PROGRAMMING MANUAL",或者看一个比如ST10F276的datasheet,有专门的bit operation
的指令：
BCLR ：Clear direct bit
BSET ：Set direct bit
BMOV(N) ：Move (negated) direct bit to direct bit
BAND, BOR, BXOR ： AND/OR/XOR direct bit with direct bit
BCMP ：Compare direct bit to direct bit
位比较使用的时候是这样的：
Mnemonic : BCMP bitaddrZ.z, bitaddrQ.q
Format: 2A QQ ZZ qz
Bytes: 4
这些控制器都有一块内存是专门照bit寻地址的，所以至少在汇编/机器指令层上这些
bit是 |
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j***j
发帖数: 324 | 4 频率调制的范围是很广的，我已经说了，在ACAC DCAC领域（一般都是大功率），
frequency modulation 也很常用。在DCDC里面，resonant converter 也常用
frequency modulation，因为可以做到soft switching，开关loss 可能并不大。
但在lz的问题里面的pfm实际上指的只是一般dcdc converter light load 一种工作模
式。并不是广义上的frequency modulation。实际上这里的pfm 并不能通过控制
frequency 来控制电路的operation，跟广义上的frequency modulation不太一样。只
不过大家都约定俗成这个名称罢了。（就像通讯中的phase modulation跟control中的
phase不是一个意思。）datasheet里面这么写也没啥错，因为assume读者至少有些相关
背景，不会去扣字眼。
如果你想讨论你说的种种大功率的case，给一个具体的topology ＆ control
structure吧，大家可以讨论讨论。 |
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n***r
发帖数: 25 | 5 I am not sure whether charge pump noise is specified or not. One datasheet I
looked before was not specified. |
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f*****0
发帖数: 489 | 6
wow! for someone who hasn't used such an opamp, you sounded like an
expert.
question?
can you tell us which ones you were referring to when you talked about
the datasheet not having noise data from the charge pump?
http://www.google.com/search?
hl=en&q=rail+to+rail+amplifier+with+integrated+charge+pump&btnG=Google+S
earch&aq=f&oq=&aqi=
no, the ADI chip couldn't have possibly been the one used by the
original poster here so you can skip that - I am sure you don't
understand it anyway. |
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n***r
发帖数: 25 | 7 Let me go over with you again.
;the gain of the amp is 500k/10=50k x, approaching most opamp's open loop
;gain, if not more.
Let's replace the 10 ohm with 0 ohm. Will your inverting amplifier theory
work? will the transimpedance amplifier work? Admit it, you were misled by
the 10ohm resistor then you came up with a wrong AC bandwith analysis.
;at that king of gain, the bandwidth of the opamp is very low, likely <10hz -
;check out the opamp's datasheet.
Wrong! The bandwidth of the Transimpedance |
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r********g
发帖数: 868 | 8 用的是SN74LS221D, CLR Bar 接高, A 接地, B 进来一个不是很规则的脉宽约10-15ns
的3.3V脉冲, Rext和Cext之间用的是普通的陶瓷电容,不是用的推荐的有正负极的电容,
结果没有出来脉冲. 我觉得原因可能有两个: 第一个是B的脉宽太小,但用的是边缘触
发,应该没问题;另一个可能是必须要用正负极的电容, datasheet上有这么一句: due
to the internal circuit, the Rext/Cext terminal never is more positive than
the Cext terminal. 清大牛们帮忙分析下原因,谢谢 |
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a****y
发帖数: 255 | 9 Suggested schematic from Hall sensor' datasheet is used, so it is not the
way I use it. |
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g*****u
发帖数: 14294 | 10 “而日本的能用十年”
-没有这么厉害。
電池什麼型號? 先比較一下Datasheets再說. |
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s*******y
发帖数: 4173 | 11 谢谢，
我去看看datasheet， 主要还是懒：（，
不想搭电路。 |
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g******u
发帖数: 3060 | 12 我不懂微观的，算是板级开发吧。datasheet的functional block还勉强能看懂。
我做的产品大致算是power electronics, motor control, analog, digital的混合． |
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s****y
发帖数: 104 | 13 我想你可以买些555定时器做延时，再买一个多路器(Mux)的片子，再买一个计数器的片
子用来驱动Mux的地址管脚，比如00接通第一个设备，01接通第二个设备，10接通第三
个设备，然后清零再从00计数开始。计数器的时钟可以同另一个定时器来做，过一个设
定的延时，就输出一个pulse让计数器加1 最主要的是让Mux工作，地址端也可以不用
计数器，用其他解决方案 很简单的数字电路，买几个片在在面包板上搭下验证一
下就好了 数字电路的电源可以随便找一个5V 或3V DC电源，根据datasheet看就行了
LED
LED |
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c*****n
发帖数: 1877 | 14 能不能滤除高频噪音主要看阻抗大小，不管是正的还是负的。电容在谐振频率处阻抗最
小，也就是滤波效果最好。100pF的陶瓷电容器，你确定谐振频率小于500MHz?其实不用
猜，很多生产厂家有datasheet或者一个简单软件可以查阻抗与频率的关系。
比如murata
钽电容的优点是在相同体积的条件下容量大很多，缺点是等效电阻比较大。现在也有不
少低等效电阻的钽电容，它们是传统铝电解电容器的替代品。
pH |
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g******u
发帖数: 3060 | 15 How accurate you want?
On every datasheet, there is a equation of junction Vs. Body temp. |
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p*****t
发帖数: 966 | 16 越准确越好吧
我看到的DATASHEET上都没有啊 Tj和Tc之间是有公式啊
但是和thermal resistance和dissipated power都有关的啊 |
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c**e
发帖数: 5555 | 17 寄希望于课上学东西都是不大现实的，最多给你扫下盲。如果真有兴趣学，自己认真看
些书，再找些paper和产品的datasheet看看体会一下，最好有机会动下手。如果只是上
过课，什么都没做过，找engineer的工作人家直接当你什么都不会。 |
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v******r
发帖数: 69 | 18 For medium to high power, undergrad level, I recommend the one by Univ of
Minnesota prof. It's the best in the field, now maybe in 4th ed.
For low power and DC/DC, the one mentioned above by Univ of Colorado prof
Erickson.
For graduate level (but also a good introductory), and for control topics,
the best is the one by MIT prof.
Yes the best systematic, good coverage PELS books are by academics.
Datasheets and appnotes are not recommended for someone wishing to have some
solid fundamentals. |
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E*****a
发帖数: 757 | 19 哈，你老人家不做这行，提的想法就是不同 :)
guvest说的差不多，不是技术先进吗，不是好不好，而是有没有用
多数地方就是没有用!
你可以找个简单的datasheet看看模拟的多简单，如果情况比较单一，足够应付了
那些想象的用途基本不存在呀 |
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E*****a
发帖数: 757 | 20 然后选个chip，现在这类的东西，一个系列全有。绝对有你想要的这款
chip是现成的了，剩下的就是按datasheet搭起来。
一般都有demo circuit直接可以用。
apps
in
designer |
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E*****a
发帖数: 757 | 21 你的理解很对。一般的做法是对top fet，平衡switching loss 和 conduction loss
也就是gate charge和Rdson
一般很少用pfet做大电流的，小电流的高频率的也很少，因为pfet的速度慢，gate
charge
很大， parasitic Cds cap也很大，虽然drive比较直接，但是没有人喜欢用。所以你
基本
就认为都是nfet好了
怎么做到gate charge 小呢，这个是device范畴，IR，fairchild什么的专门搞这个。
反正你就去找datasheet比较就好了。Qg包括Cgs 和Cgd的。 |
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a*d
发帖数: 376 | 22 很有意思发现很多dcdc的controller的feedback的pin从没从光耦反馈回来，看了好几
个datasheet都这样，按理说不应该啊，有人用过类似的片子从光耦接出来过么，3x |
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g******u
发帖数: 3060 | 23 简单地说，温度升高对所有参数都有影响。
但如果变很热，它可以消耗的功率就迅速降低。
switching speed也会变，主要是因为gate thresold变化。
另外重要的是Id/Vds/Vgs，avalanche，都随温度变化较多。
建议随便找个功率MOSFET datasheet看看。 |
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O*****O
发帖数: 17 | 24 我之前是用公式建模，其中的参数就来自photovoltaic module产品的datasheet。 |
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b********4
发帖数: 39 | 25 加上ESD保护芯片，例如PRTR5V0U2X、PRTR5V0U2AX、PRTR5V0U4D，查datasheet里边有
例子 |
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j******g
发帖数: 1098 | 26 MTK的AP，RF，baseband都集成在一起的那个产品
好像只是封装成一个芯片，但是内部还是多个晶圆。
具体要去查datasheet
MTK的设计能力还是比英飞凌这样的厂商差。
我觉得MTK的东西省电的重要原因是他的gsm芯片不是智能手机芯片，上面不跑OS，频率
不用太高。 |
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g****t
发帖数: 31659 | 27 chevy目前说，还是用LG的电池.八十个cell左右串联.电池最高4.x伏.
不管辅助电池什么的.只管电机驱动车这块,
chevy volt最大功率会高到60kW.
刹车造成充电的最大功率会达到20kW或者更高.
1分钟充放电最高会切换几十次.
全电驾驶时，平均功率如果按交通部的几个driving profile来算,
大概每小时平均会有40kw左右,不然做不到它标称的里程数.
这么高的功率，这么复杂的负载，
咱这版上,恐怕也就您老这种大拿,敢于说 power 部分“没问题”,
"不关键".
目前来说EV的power management做phd论文是绰绰有余的。
就是你说的电力电子的学术会，这也是很经常的topic.
你以为它是查查datasheet就能做出来的小家电的电源？
(别说EV这么复杂的负载了,就是热处理用或者焊接用的60kw这级别的炉子，
如果你能做到80%的加热效率。我出20万刀收购图纸---你可以mark my words.
)
另外不妨说说你对pirus知道些什么.给大家展示下你有多内行.
提醒你句,这是两种power要求完全不同的车.
GM要出的volt，我确 |
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a********e
发帖数: 381 | 28 找个 digital synthesier的datasheet看看 |
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c*****v
发帖数: 839 | 29 On Pg4 of the datasheet there's Vout UVLO. On Page 26, An undervoltage
lockout circuit on the USB PowerPath VOUT pin shuts down and prevents both
buck and LDO from enabling when Vout pin voltage drops below 2.6V. I am not
sure whether this is to protect the battery. One other situation for Vout
ULVO is that the battery is being removed.
detect |
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a*****s
发帖数: 6260 | 31 我见过的IC产品如果能用在医疗上面，都是要在广告和datasheet里专门吹嘘的。
否则都是一句话：不可以用在人命相关的应用上。 |
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N*******g
发帖数: 1089 | 32 看电路或者一些Datasheet上， 经常在一些PIN上加一些电容， 怎样准确的选择这些电
容值？ 有没有相关的文章讲这些的？ |
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E*****a
发帖数: 757 | 33 BIG question
有！就是看datasheet里头的说明。都会认真告诉你，为什么加，加多少 |
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l***g
发帖数: 1035 | 34 totally depends on the pin functions.. for filter/gain opamp or RC it might
be for time constant or cutoff freq. for power supply or digital pins it mig
ht be just a filter. for oscillator circuit it is whatever datasheet says. |
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c*********6
发帖数: 858 | 35 小电容是RF滤波的，根据电容的resonant frequency来选择滤掉干扰，一般 18pF的
resonant frequency 在1.8G~2.2G, 33pF的在~900MHz,不同封装的resonant frequency
不一样，具体查电容datasheet.
还有靠近power pin的电容是用来提供transcient current，可以查看《高速数字信号
设计》中的有关PDN说明 |
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g******u
发帖数: 3060 | 36 if you are not doing high speed designs, decoupling cap choice is mostly
based on experience and datasheets. |
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d****o
发帖数: 1112 | 37 这个和高速不高速没关系吧
难道这个不是power distribution design的一部分吗？
基本要点是把power impedance在所有的频率内控制在target impedance以下，这样才不
会出现电压降低到允许范围以下的事情。
而且是和负载紧密相关的。
相信计算和验证，别信所谓的经验或者datasheet. |
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d****o
发帖数: 1112 | 38 hmmm....sometimes...but eventually you want to design something robust, don'
t you? so don't trust your experience or even datasheet, do your own calcul
ation when you design something, and verify your design carefully.
I am surprised that it seems you don't really get the idea of power integrit
y...sorry to say that. |
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T******T
发帖数: 3066 | 39 Ditto, Honestly, pure digital HW is kinda dry after a while.
Countless days are spent review schematics, finding parts, talking to
vendors, reading datasheets, matching net/pin names etc. After a couple of
them, it gets old fast. I think the most interesting part of digital HW
design comes when the spec requirements becomes strict which forces people
to actually focus more on performance rather than just functionality.
Stuff like 100mV of voltage swing margin on a digital SOC core rail with
h |
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d****o
发帖数: 1112 | 40 just checked for you, 24FC512, VIN=0.7*VCC
when your VCC for this part is 5V, it requires VIH at 3.5V, so your 3.3V pul
l-up does not work.
when you drive this chip with 3.3V, it might not work at all.
5V pull-up should work as long as your microcontroller's IO can handle that.
Read microcontroller's datasheet before rework your board.
SCL
VI
dat |
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a*m
发帖数: 6253 | 41 multilevel need to be alligned to same one for I2C.
check processor datasheet to see if it can tolarate 5V for their I2C port.(
should be cause for low speed, the IO pad should not have active pull up
inside). On the bus, pull the bus to 5V as before, caus otherwise the
EEPROM is not gonna work stable.VIH may be like 4.5 or sth around for 5V
digital.
low speed I2C is default opendrain, and you need to use highest voltage for
the bus IO. The pull up res should be ok to use the same as before.
Ot |
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A***7
发帖数: 290 | 42 I don't have the regulator part # , nor the datasheet, :(.Actually no
informaiton about the regulator is available.
Maybe my question is too general to answer. Here is an example, I am looking
for Micron 512Mb DDR DRAM, MT46V128M4P. Vdd=2.5V, Vcore=1V. If Vdd is
increased to 4 V, how about the Vcore?
Thanks again! |
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m******n
发帖数: 18 | 43 XC6VSX475T
datasheet has only package size 35x35 with 1mm pitch. Since it is a flip-
chip based BGA, does anyone know the actual die size and flip chip pitch?
Thanks!!! |
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g****t
发帖数: 31659 | 44 通过阅读讨论，不亲自做过，就能精通xxx;
你这说的是印度人？
另外很明显我觉得你没做过任何一个产品。基本不懂我说的鲁棒性是什么意思。
例如典型的一种，你设计了这个产品，但是用户完全忽视你的datasheet的细节，
拿去乱用，然后出了问题。这种问题不到发生的那一刻，你很难知道。
然后这种问题你不解决也不行。
这种问题怎么可能像你所说的“前人research过并且catgorize过”？
你去找任何一个application engineer了解点就明白了。
最后讲句老话:事非经过不知难。
entry
你说的research太低端了，根本就不能算research。我说的research是industry里面原
创性的research.新的电路topology，更高频率的probe技术，新的通信算法等等。为灌
水发paper型的academic research是个人都会.
实际上大多数"产品工程难题"可以通过搜索research paper解
决，注意不是灌水型academic paper而是industry-related research paper。即使是
产品鲁棒性，绝大多数 |
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a********e
发帖数: 381 | 45
"你设计了这个产品，但是用户完全忽视你的datasheet的细节，
除非你做的是前所未有的世界上从来没出现过的产品。大多数（注意不是全部）此类问题确实是有人research过的。做之前就得注意collect这方面的东西
另外是否“亲自做过”才能懂，那要看怎么定义亲自做的程度了。很多同一领域的东西是触类旁通的，当然触类旁通的容易程度或者说亲自做的投入程度 和IQ以及教育背景相关。
另外你说"你去找任何一个application engineer了解点就明白了"。此类问题得向DE咨询，多数AE只会向内部反馈应用中出现的五花八门的问题；而DE才是负责将这些问题categorize到各个细分领域的角色。Categorize后的问题才是有价值的，如果你亲自做过产品的话会明白我这话是什么意思。
好吧，不说了，我承认没做过产品 :)
last but not least, 没必要看不起印度人。看不起别人的人多半会被人看不起。 |
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s*********9
发帖数: 241 | 49 说了这么多，谁能给推荐一个初步教材啊？比如说楼上上上..说的那个freeRTOS，我刚
找了个doc读了读，有点初步的认识了，就是RTOS大概要做的事儿是一些multitask的管
理，任务queue的管理，mem分配，还有个idle的时钟来背景运行做task切换吧。不知道
说的对不对啊，请指教。
是不是大部分的embedded的os换汤不换药，主要的任务就是这些（当然我觉得应该更多
细节吧），就是具体内部的reg定义和外围器件不一样啊？
就拿这个embedded linux来说吧，我有linux的操作系统，我还停留在最最基本的操作
上，对于这个系统的文件管理系统一无所依，更别说网络了，需要从kernel开始学吗？
还是有什么更容易的方法呢？有没有相关的文档，就比datasheet能简单一点的，介绍
性的资料啊？
先谢过啦！ |
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g******u
发帖数: 3060 | 50 我的标准是，看哪些家的datasheet写得最干净清楚，我就认为有前途。 |
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