l**********n
发帖数: 72 | 1 For Mott-Wannier excitons in bulk material, the binding distance is around 10
nm, and you can compute the energy like the hydrogenic system. For III-V
semiconductor family, the binding energy is around 1-10 meV, GaAs for example,
the binding energy is 4.4 meV. For II-VI semiconductors, the binding energy is
around 10-40 meV, such as for ZnSe, 21 meV. In quantum wells, the binding
energy of the excitons should be 2-3 times larger.
You could use absorption experiment to measure the exciton peaks. |
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c****3
发帖数: 10787 | 2 这里有更详细的描述
http://www.frogheart.ca/?p=18585
a photon hits a receptor called a chromophore, which in turn produces an
exciton — a quantum particle of energy. This exciton jumps from one
chromophore to another until it reaches a reaction center, where that energy
is harnessed to build the molecules that support life.
But the hopping pathway is random and inefficient unless it takes advantage
of quantum effects that allow it, in effect, to take multiple pathways at
once and select the best ones, beh... 阅读全帖 |
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c****3
发帖数: 10787 | 3 你不是觉得现在的物理无所不能吗
你解释一下下面的现象：
a photon hits a receptor called a chromophore, which in turn produces an
exciton — a quantum particle of energy. This exciton jumps from one
chromophore to another until it reaches a reaction center, where that energy
is harnessed to build the molecules that support life.
But the hopping pathway is random and inefficient unless it takes advantage
of quantum effects that allow it, in effect, to take multiple pathways at
once and select the best ones, behaving more like... 阅读全帖 |
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Z****n
发帖数: 149 | 4 http://jpsj.ipap.jp/link?JPSJ/57/1119
J. Phys. Soc. Jpn. 57 (1988) pp. 1119-1126 |Next Article| |Table of Conten
ts|
|Full Text PDF (1012K)| |Buy This Article|
Kinetics of Photoluminescent Excitons in Polythiophene Films during Electroc
hemical Doping
Keiichi Kaneto, Shigenori Hayashi and Katsumi Yoshino
Faculty of Engineering, Osaka University
(Received September 24, 1987)
Migration of photoinduced excitons has been studied from the quenching of ph
oto-luminescence during in situ electrochemi |
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n*********r
发帖数: 18 | 5 All rights reserved!
(Draft version)
(3) Recombination of electrons and holes to form excitons.
Spin 1/2 electron and spin 1/2 hole can form 4 spin combinations, 3 triplets
and 1 singlets. If singlet and triplet capture cross-sections are equal, it
implies only 25% efficiency for generation of singlet excitons. This factor
is
assumed to be insensitive to both devices and materials. Since the ground
state is typically singlet, the transition from triplet to singlet is usually
forbidden by spin c |
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n******e
发帖数: 6 | 6 “3）multi-excitons, 尽管最近研究很多，但是要产生多激子，要求吸的光子的能量
大于
带隙的三倍以上，这样要吸收全谱的太阳光，半导体的带隙要求就很窄，这样材料的稳
定性，器件的寿命就难保证。”
目前研究multi-excitons吸光的材料主要是PbSe,Ge,Si nanoparticle等等，为什么窄
带隙半导体稳定性就一定会差呢？从Nozik的理论计算到Martin green的实验，结果好
像还不错。 |
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C********5
发帖数: 194 | 7 nanofan 和pallysally的回答都很好呀，不知有人笑什么。
我来补充一下：
对于半导体而言， 光子作用到半导体上， 会产生空穴和电子分离。这个空穴和电
子是邦在一块儿的，叫作Exciton。这个Exciton的波函数跟H原子的波函数很类似，
(不同的是他的能量低，半径大。)因此他也有波尔半径。
当纳米颗粒小于这个波尔半径时， 电子和空穴就会有更高的能量， 在重组时会发
射高能量的光子。具体就是因为在纳米颗粒中薛定额方程边界条件发生改变(如
pallysally所
说)。
大家热心助人。冷言冷语不好。 |
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c**m
发帖数: 1632 | 8 You have to state your scenario clearly, not like this, hide your research
interest......
Exciton absorption is another old topic. Schmitt-Rink has developped a Green
function model for semiconductor lasers and usable. Exciton itself is
already a wide topic, and that really depends on your research interest and
scenario. |
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s*********s
发帖数: 18 | 9 Thanks for your good explains and good comments.
The following responds to your one by one
单层graphene谁能加gate打开gap？？？
As mention above,i didn't mention the conclusion that monolayer graphene can
open band gap. But researcher have been shown that monolayer graphene nano-
mesh and nano-ribbon can open band gap under the applied electric field.
1.强磁场下当然是形成朗道能级啦，不过graphene有零能的LL，弱场下应该没有gap
The effect of the applied perpendicular magnetic can induce the splitting of
Landau Level and the zero-energy L... 阅读全帖 |
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j*******d
发帖数: 142 | 10 No, Polariton is the coupling state of photon and electron (exciton)
Polaron is the coupling state of PHONON and electron (or with exciton)
they are different. |
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p***n
发帖数: 17190 | 11 錢 乃是生產能力的量子化
量子化之後要走量子力學
馬克思拿去做簡單的兩個階級,用腦的跟用勞力的
說是用腦的是資本家用勞力的是工人
還不考慮階級躍遷
這就有問題
因為一堆號稱用腦的碼公會躲在能隙的中間
導致了資本家會躍遷到工人工人會躍遷到資本家
也就是 exciton quenching.
特別是當 系統中灌入了很多的能量(錢)時
也就是說< 靠著階級分裂而存在的共產黨
在系統中灌入了太多的錢導致階級模糊掉
等於否定了自己存在的價值
天意啊....(就是累積發行量太多了意思) |
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x*******6
发帖数: 994 | 12 Please contact recruiter directly.
#1) One of my longest-standing clients has just received a $31 million
round of Venture Capital funding and is aggressively expanding, hiring
multiple positions for world-class CMOS semiconductor engineers. The
company is a leader in the field of next-generation nonvolatile memory and
is now working with a number of major customers, Their innovative memory has
the potential to replace both flash and DRAM. This is a chance to work on
leading-edge, advanced no... 阅读全帖 |
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b*****9
发帖数: 8922 | 13 ☆─────────────────────────────────────☆
geenon (geenon) 于 (Fri Aug 27 23:29:54 2010, 美东) 提到:
我们组前2个月面的一个PHD，top25左右的学校出来的，当了2年post doc，没找到
faculty。在我下面已经工作三周了。带这种PHD干活真的很郁闷。代码写的很一般，基
本没有模块化的概念，对一些小问题死扣，然后总来跟我争论。我告诉他那东西能work
就行，不重要，要注意整个project的进度，他非给我搞出一堆改进的方案，从实际角
度考虑根本不make sense，而且那些问题都是边角余料，用不着花什么功夫。这人总认
为自己什么都是对的，觉得念了PHD出来能力就有多强。说心里话，他每天搞的那点东
西基本没啥用，真正需要解决的问题他反而看不出来。跟他说，他还总是一套一套的逻
辑。
现在感觉书念多了真能把人念傻。什么是没用的，什么是有用的都分不清。social能力
基本没有，这样的人在微软一辈子也混不上来。现在真庆幸当初quit了PHD来业界找工
作。要不现在就是别人lead我，不是我... 阅读全帖 |
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g********e
发帖数: 1638 | 14 208 邬俊波
(MSE) 男 1977/08/20 中国华能集团公司 工程与材料科学 2010年
06月毕业于[美国]斯坦福大学 [美国]SunPower公司 研发主管工程师/R&D Staff
Engineer
名校的威力太大了，这位千青有自己的主页，文章少的很。
http://peumansgroup.stanford.edu/Junbo_Wu
Junbo Wu
Contact Information
Email: wujunbogmailcom
Mobile: (650) 704-4362
Office: CISX 218X
Contact Address: CISX (Paul J. Allen Building), Stanford University, 420 Via
Palou Mall, Stanford, CA 94305
Research Project
Organic Solar Cells. Semiconductor device physics, Material proce... 阅读全帖 |
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i*****n
发帖数: 514 | 15 The exciton dynamics in tetracene thin films
Tetracene thin films are investigated by time-resolved photoluminescence on
picosecond to nanosecond time-scales. The picosecond luminescence decay
dynamics is confirmed to be independent of temperature, but the ns timescale
luminescence dynamics is highly temperature dependent. |
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a*****c
发帖数: 3525 | 16 【 以下文字转载自 NCAA 讨论区 】
发信人: exciton (激发子), 信区: NCAA
标 题: 我们需要补充一下football的 知识 (转载)
发信站: BBS 未名空间站 (Sun Oct 19 11:41:14 2008)
发信人: hns (hns), 信区: MedicalCareer
标 题: 我们需要补充一下football的 知识
发信站: BBS 未名空间站 (Sat Oct 18 22:29:00 2008)
有机会到临床OB.结果发现自己和医生病人没什么共同语言，主要原因是自不懂
football,医生一见面，医生病人一见面都是谈论这个，然后才是主题。现在是打得火
热，老刀那里的OSU很强大呀。
搜了一下规则：
美式橄榄球的基本规则
在球类运动里，美式橄榄球的规则比较复杂。但这并不意味着非得读懂晦涩的规则手册
才能看橄榄球。事实上，只需要5分钟你就可以看懂橄榄球比赛。当然，如果要深入了
解它就是另外一回事了。
美式橄榄球是一种激烈对抗的比赛，进攻一浪接一浪，每次进攻之间稍有间歇由进攻队
决定下一步采取何种策略。一些队员高大强壮，另一些矮小灵活。 |
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s***a
发帖数: 4921 | 17 ☆─────────────────────────────────────☆
exciton (激发子) 于 (Sat Dec 16 11:47:23 2006) 提到:
effective July 1，2007
又是一个女校长，美国的女权运动欣欣向荣啊！
☆─────────────────────────────────────☆
wumaths (maths) 于 (Sat Dec 16 16:47:59 2006) 提到:
me2
☆─────────────────────────────────────☆
a9 (嗯) 于 (Sat Dec 16 18:22:31 2006) 提到:
same here
☆─────────────────────────────────────☆
wumaths (maths) 于 (Sat Dec 16 19:21:44 2006) 提到:
女强人啊 |
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s***a
发帖数: 4921 | 18 ☆─────────────────────────────────────☆
thone (newcomers) 于 (Mon Nov 20 19:32:29 2006) 提到:
刚刚考了驾照，买了车。
帮忙推荐几个吧，准备明天联系联系保险的事情。
谢过了先！
☆─────────────────────────────────────☆
squall ( b ) 于 (Mon Nov 20 20:16:28 2006) 提到:
co-ask.
拿到permit了，哈哈哈哈
☆─────────────────────────────────────☆
exciton (激发子) 于 (Mon Nov 20 20:30:52 2006) 提到:
High Street上的一个safeco的代理，据我所知很多中国学生用，挺便宜的。
AUGUSTINE INSURANCE AGENCY
(614) 267-1973
Good luck!
☆─────────────────────────────────────☆
thone (newcomers |
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d**j
发帖数: 23329 | 19 re【 在 exciton (激发子) 的大作中提到: 】 |
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a****s
发帖数: 8624 | 21 400到370我们都是exciton和lambda physics的，溶剂是dioxin。其实380到340的话用
pyridine 1 double一下就好了吧？pyridine 1打个两个月都没问题。 |
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d*******l
发帖数: 2567 | 23 exciton迁移率太低，有机键容易被光子打断，导电玻璃电阻太高，等等 |
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c****h
发帖数: 14 | 24 形成的exciton，lifetime有什么区别？diffusion rate有什么区别？
谢谢 |
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l*****o
发帖数: 82 | 25 It's a strange question.
IMO, as long as a the gap is much large than thermo electron/exciton/...
energy(kT, k is the boltzman constant, T is the temperature), it's OK.
But if u prefer make some inorganic semiconductor transistor alternate,
just choose similar gap. |
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m******i
发帖数: 834 | 26 这是我看过的合成尺径最小（2nm）的ZnO纳米棒的报道，不过文章有点老，2004的。
Zinc Oxide Quantum Rods
Ming Yin, Yi Gu, Igor L. Kuskovsky, Tamar Andelman, Yimei
Zhu, G. F. Neumark, and
Stephen O’Brien*,
J. AM. CHEM. SOC. 2004, 126, 6206-6207
Abstract
Nanoscale zinc oxide (ZnO) rods of diameters close to the Bohr-exciton
radius (~2 nm) can be prepared from a simple acetate precursor, resulting in
ligand-capped rods of ZnO, highly dispersible in nonpolar solvents. Zinc
oxide, ZnO, is a wide band-gap semiconductor with applications i |
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m******i
发帖数: 834 | 27 据Nanowerk报道， Large-scale and high-density semiconductor arrays with one-
dimensional ("1D" - where one dimension of the structure is nanoscale)
nanostructures have been extensively studied for their potential application
in future electrooptical devices. Among them, zinc oxide (ZnO) is
considered to be very attractive for high-efficiency short-wavelength
optoelectronic nanodevices because of its large exciton binding energy of 60
meV and high mechanical and thermal stabilities. ZnO nanorod/ nano |
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x********8
发帖数: 167 | 28 前面几个SEMINAR讨论了很多单壁管近红外荧光受pH值和分子的影响，单壁管能发光，
而且发光行为恰好验证了Dresselhaus早年对于单壁管电子结构的计算，确实是一个很
好的实验研究方向。但是分子如果和单壁管共价键结合的话，近红外发光常常被完全淬
灭掉，不是一个好现象，前面提到的做敏感sensor应用就是用到biotin和单壁管的非共
价键结合的性质，这样荧光可以恢复过来。最近又看到一篇Science杂志上最新的关于
单壁管微区荧光研究，用到了单分子光谱技术，观察到了在单根单壁管在长为670nm区
域的荧光动力学变化。这个手段确实很厉害，居然把单个激子对的非辐射复合过程给拍
出来了。
Stepwise Quenching of Exciton Fluorescence in Carbon Nanotubes by Single-
Molecule Reactions
Laurent Cognet,1,2* Dmitri A. Tsyboulski,2 John-David R. Rocha,2 Condell D.
Doyle,2 James M. Tour,2 R. Bruce |
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b*****e
发帖数: 10 | 29 ＂对于半导体而言， 光子作用到半导体上， 会产生空穴和电子分离。这个空穴和电
子是邦在一块儿的，叫作Exciton。＂
对有机半导体，是适用的．但对大多数传统的无机半导体来讲，激子束缚能很小，小到
在室温下，其热扰动就足以使激子解离，因此光生载流子基本上都是自由的． |
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e***r
发帖数: 37 | 30 我说nanofan的说法比较好笑主要是我不知道通俗的解释是那么说的，
我一直是觉得是波函数的空间confinement也就是边界条件造成了
density of state的变化，才产生了exciton的电子空穴对的能量分裂。
也许通俗的解释更形象，但是我觉得跟物理本质有很大差异，所以觉得
这个说法很好笑，没有冷言冷语的意思，抱歉。 |
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w********g
发帖数: 186 | 31 没有太看懂你的第二段话在说什么...
建议参考这篇文献看一下吧
Exciton energy transfer in nanotube bundles
P. H. Tan, A. G. Rozhin, T. Hasan, P. Hu, V. Scardaci,W. I. Milne, A. C.
Ferrar
PACS numbers: 78.67.Ch, 71.35.-y, 78.55.-m, 71.35.Cc, 73.22.-f
人都没做过么？
vis区域的这个荧光和NIR （800-1700 nm）荧光发生机制有什么不同么？ |
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s*********s
发帖数: 18 | 32 graphene 研究的一个问题（请教前辈）：
graphene 在电场的gate的作用下，可以打开bandgap,i.e bilayer----- tunnable
bandgap, trilayer -----overlap band gap.
1.那么在perpendicular magnetic field 的作用下，graphene 的情况如何呢？
bandgap 能打开？ 还是打开excitonic condensation gap?还是其他情况？？
2. four-terminal graphene device 在perpendicular magnetic field 的作用下，发
现测量的电阻（不是hall effect 磁阻）线性或者非线性的随着磁场增加而增加，也就
是： R vs B， 这个如何解释？
希望前辈指教！ |
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B****p
发帖数: 18 | 33 简单地讲，fermi golden rule 应用到固体（就晶体吧）上，主要是要计算激发态的态
密度 (density of states）。 这是一个多体问题。
现有的计算方法有一些，如基于平均场DFT的能带理论（包括DSFT, DFT+U, TDDFT)，基
于格林函数的GW法，基于CONFIGURATION INTERACTION的cluster model。。。用什么方
法，主要看你想解决什么样的问题。
另外，固体的元激发有很多，不知道你具体想了解那种？ i.e. phonon, plasmon,
core electron, Compton, exciton...
我觉得你的题目其实和你问的内容关系不大。光和物质的作用包涵激发态的研究（如x-
ray，电子的非弹性散射），但他的内容要广的多。
激发态，你可以看一下入门书“Unoccupied Electronic States: Fundamentals for
Xanes, Eels, Ips and Bis (Topics in Applied Physics) by J. C. Fuggle (Author
), J. |
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M***a
发帖数: 175 | 35 V. Savona, L. C. Andreani, P. Schwendimann and A. Quattropani
“Quantum well excitons in semiconductor microcavities: Unified treatment of
weak and strong coupling regimes”
Solid State Communications, Volume 93, Issue 9, Pages 733-739, 1995.
链接：
http://dx.doi.org/10.1016/0038-1098(94)00865-5
请发送到m******[email protected]
谢谢！ |
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Z****n
发帖数: 149 | 36 【 以下文字转载自 Chemistry 讨论区 】
发信人: Zlatan (IB), 信区: Chemistry
标 题: paper help,3x!!
发信站: BBS 未名空间站 (Wed Nov 4 03:27:07 2009, 美东)
http://jpsj.ipap.jp/link?JPSJ/57/1119
J. Phys. Soc. Jpn. 57 (1988) pp. 1119-1126 |Next Article| |Table of Conten
ts|
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Kinetics of Photoluminescent Excitons in Polythiophene Films during Electroc
hemical Doping
Keiichi Kaneto, Shigenori Hayashi and Katsumi Yoshino
Faculty of Engineering, Osaka University
(Received September 24, 1 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 37 Reviewer说
It is well known that DFT (density functional theory) does not account for
many-body phenomena such as polaritronic/excitonic resonance in the
calculation of the dielectric function.......
DFT is more applicable to metals where many-body phenomena are much weaker.
I would like the authors comment on that.
这个所谓的many body effect是啥意思？
他是在批判DFT里面把电子当成独立粒子，以至于算激发态算的不准吗？
第二句话，不是很明白什么样的材料属于many-body phenomena is strong/weak
我文章算的是semiconductor, 也不知道reviewer为啥非要提金属 |
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C**R
发帖数: 1047 | 38 IM(1/epsilon)是对光子吸收的几率。对光子吸收的cross section，就像你说的，使用
来算。排除exchange-correlation的近似外，dft计算的是ground state，而
且计算的不是真正的wave function。这个dft算出来的single electron k-s orbitals
，严格讲只对charge density 有意义，本身没有实际的物理意义。但是经验上发现，k
-s orbitals的能级和实验上可以吻合，所以可以暂时认为有意义。
好，再回到光子吸收的问题上，这个时候实际上是个exitation的问题。如果你还记得
hartree-fock的话，你就知道，当你把某个electron放个位置的话（比如2p放到3d)，
实际上你的core electron是要重新relax的（如果core hole/exciton life time足够
长的话）。这就是说,你的光子吸收，probe的不是ground state valence band to
conduction band的hopping问题，而是有excit |
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c**e
发帖数: 236 | 39 深奥。。。谢谢
对于材料的光学性质呢？
比如exciton
absorption spectrum会随温度有怎样的变化呢
gives |
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c**e
发帖数: 236 | 40 谢谢
是不是测量emission随温度的变化
可以看出exciton和phonon的peak变化不同 |
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l*****1
发帖数: 137 | 41 我有一个问题请教:
请先看附件中的简图，GaAs单量子阱样品, 样品温度保持在40K, 用能量对应于量子阱
的重空穴吸收峰的光子激发GaAs单量子阱，可以在量子阱中激发出激子（exciton），
我的问题是，光子的wave vector （k） 是否全部传递给了激子？如果是的话，激子的
in plane wave vector 应该是k// = k sinθ，这种理解是否正确？
我现在有一个实验，需要在GaAs单量子阱中生成具有一定in plane wave vector的激子
，我希望这个in plane wave vector是可以控制的，上面提到的是我现在的想法。即使
我的想法是对的，也不完美，因为这种方法生成的激子in plane wave vector有一个极
限，不会很大。哪位有更好的方法，可以在GaAs点量子阱中生成可控in plane wave
vector的激子。 |
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s*********s
发帖数: 18 | 42 graphene 研究的一个问题（请教前辈）：
graphene 在电场的gate的作用下，可以打开bandgap,i.e bilayer----- tunnable
bandgap, trilayer -----overlap band gap.
1.那么在perpendicular magnetic field 的作用下，graphene 的情况如何呢？
bandgap 能打开？ 还是打开excitonic condensation gap?还是其他情况？？
2. four-terminal graphene device 在perpendicular magnetic field 的作用下，发
现测量的电阻（不是hall effect 磁阻）线性或者非线性的随着磁场增加而增加，也就
是： R vs B， 这个如何解释？
希望前辈指教！ |
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