c****g
发帖数: 18 | 1 Title: Fabrication of Integrated Field-Effect Transistors and Detecting
System Based on CVD Grown Graphene
ABSTRACT:
An integrated field-effect transistors based on large-area multilayer
graphene produced by chemical vapor deposition was fabricated in this work.
A planar Au sheet was used as gate electrode integrated with graphene FET to
obtain perpendicular electrical field between gate and graphene substrate.
Graphene film was transferred to cover indium tin oxides films which were
used as dra... 阅读全帖 |
|
m*******e
发帖数: 119 | 2 FET is the general name for all field-effect devices, such as MOSFET, MESFET
, JFET, thin-film transistor, etc. HEMT, also called MODFET, is a sub-group
of FET. All FET devices uses electric field created by gate voltage to
control the conduction level between source and drain (that's why they are
called field effect transistor).
In traditional FET devices, the channel region is doped with impurities.
Carrier mobility is reduced due to scattering by the impurity ions. To
enhance carrier mobility |
|
|
B********0
发帖数: 15 | 4 有JMS做过FET吗，我的上一次IVF fresh cycle失败了，DAY3 TRANSFER了两个8 CELL
GRADE A，移植当天的医生对我很有信心的样子，还开玩笑说我可能是TWINS。很好的胚
胎，可是BFN了，5555.。。
现在心情一直还是很BLUE，休息一个月，马上要开始FET了，医生建议我做CONTROLED
CYCLE。 有MM做过FET成功的吗？ |
|
h*****3
发帖数: 91 | 5 有人做过CNT FET 器件仿真吗？
用Sentaurus structure editor 可以建立CNT FET吗？ |
|
v********t
发帖数: 289 | 6 我觉得要是你打算做自然FET,可以等两个周期让IVF药的作用消失,再做.如果做人工FET
,没有什么大关系吧,看你自己身体状态了. |
|
M********8
发帖数: 3837 | 7 fresh+fet应该算一个cycle吧。这么想想就心理平衡了，好多人都不能好像你这样有那
么多冰冻的，每次都要上fresh呢。
你还有4个冻宝宝呢，别灰心。况且FET比fresh舒服多了，休息一下再做一次也不妨。
你介意不介意说你在哪个诊所？ |
|
S*********9
发帖数: 45 | 8 My first fresch cycle failed and did a frozen cycle early April. Now I am
having twins (just had first ultrasound this morning). So don't give up!
But I can totally understand you - I felt so upset after the first failure
and didn't have much hope for the FET. But it turned out the FET succeeded! |
|
p*****n
发帖数: 265 | 9 有个猎头发给我的,要找Power FET Device Design expert.
这年头招人的可不多,有兴趣的跟我联系.
JOB DESCRIPTION
Analyze electrical characterization (DC/AC), perform DC bench testing (if
necessary) and analyze physical in-fab data to gauge device performance and
diagnose device/process performance issues. Define unit process module
requirements and coordinate development activities with process engineering.
Generate and maintain Fab process flow and supporting documentation. Setup
Fab experiments (definition & paperwork), track/ |
|
c******r
发帖数: 76 | 10 大概需要到30-50V的gate
你们的back-side SiO2都是怎么弄掉的呢？用HF还是含氟的气体etch还是坚决不沾任何
F,用diamond knife挂掉一点然后silver paint沾到aluminum foil上？
求各位大侠分享你们fabricate FET microelectrodes devices的protocol(不愿意泄露
research秘密的给我私信，10包子回报，谢谢谢谢~）
我现在想到的一个可能性是因为我用CHF4或者用了sonication to lift-off(因为有些
gold粘得厉害，不超声波一下根本洗不掉），考虑下一个对比组完全不处理背面的氧化
层，用金刚刀瓜一小块，然后silver paint粘到aluminum foil,gate electrode插在
aluminum foil上。
如果这个可能性也排除了我就totally不知道怎么回事了，因为我对自己的整个
fabrication的操作流程还是很有信心没有任何出错的地方的 |
|
l**b
发帖数: 21 | 11 第一次搞这个东西，
FET在不同的气体中测Ids-Vg，怎么样算carrier concentration 和 mobility(或者算
在不同气体中的比例)? 有没有link可以学习一下？多谢! |
|
I***a
发帖数: 704 | 12 n-channel结型FET 的gate 不能是正电压吗？
to
it |
|
e*****s
发帖数: 78 | 13 Title: Tunable Work Function in Junctionless Tunnel FETs for Performance
Enhancement
Journal: AJEEE: Australian Journal of Electrical & Electronics Engineering
If you are interested in reviewing the manuscript, please send the following
information to me:
You name, degree, organization, title, email address, and one sentence
introducing your background. Thanks. |
|
l******u
发帖数: 2314 | 14 【原文参见：http://nanotofu.blogspot.com/2007/10/fet.html】
Carbon Nanotubes for Electronic and Electrochemical Detection of
Biomolecules
S. N. Kim, J. F. Rusling, F. Papadimitrakopoulos
Adv. Mater. 2007, 19 (20), 3214-3228.
Published Online: 21 Sep 2007 DOI: 10.1002/adma.200700665
Abstract References Full Text:PDF (Size: 1289K)
【简评】碳管在生物上的应用基本上分为两大类：一类是药物/基因输送，另一类便是
生物分子/体系检测。前者以水溶性碳管为主，Dai/Prato等先驱和一些后来者们正在继
续他们的冒险，他们自己曾经综述了不少；这后者以固相器件为主（当然也有水溶性碳
管用作光检测的），主要的正是包括电子和电化学检测。
对于碳管器件用作电子和电化学检测生物分子这个领域前几年上 |
|
s****g
发帖数: 75 | 15 感觉纳米sensor和FET的门槛比较低，很多人都在做，但觉得有点被做烂了。最近paper
IF 都不是很高。 要如何在这个领域找到一些新的idea呢？ |
|
|
a**e
发帖数: 381 | 17 今天是DAY １３ of Medicated FET cycle. Blood test shows E2 level 283, US
shows Lining 9. The nurse told me I'm ready for transfer on Tue, March 7th.
But is E2 283 too low for transfer?
有经验的JM 讲一下吧，急死我了。 |
|
m****y
发帖数: 733 | 18 1月份Fresh Cycle, 22个egg, 18 fertilized, 10 blastocytes.
1月Fresh Cyle transfer 2个，失败，8个frozen。
3月底FET，化了4个冻的，存活2个，transfer, 失败。
两次的HCG都几乎为零，根本没有着床。医生也说不出任何原因。两次的lineing, 一次
11mm, 1次10，都还可以。
现在心中一片迷茫，不知道下一步该怎么办。Package买了3次，要一年内用完，难道就
这样一次次的试下去？
想休息一下了。祝姐妹们都比我好运. |
|
k**a
发帖数: 1124 | 19 Comfort mm. I failed one fresh and two FETs without a positive HCG at all
so I totally understand how you feel. Just do not give up.
Your package of 3 should include 3 fresh cycles bah? |
|
m****y
发帖数: 733 | 20 Yeah, 3 fresh and 3 FET. I need to use them up before 38. |
|
D**********r
发帖数: 580 | 21 pat pat, 你怀上肯定是早晚的事, 别哭.
刚看的一个贴, 说assisted hatching on blast对成功率很有提高, MM下次FET可以试
试? |
|
k**a
发帖数: 1124 | 22 我两次FET都用assisted hatching了。据说冻过的好像壳容易硬一些，大夫建议用
assisted hatching. |
|
A****y
发帖数: 337 | 23 亲爱的姐妹们，
星期三晚突然接到爸爸电话，告诉我一直身体很健康的妈妈星期一突然病重，医院查验
，活检几处都发现癌细胞，怀疑淋巴癌或肺癌。现在妈妈十分虚弱，心率从周一起就高
于130，至今无法控制。因为国内五一节的缘故，昨天的CT和MRI都得等到下周二才拿结
果。爸爸受不了突然的打击，看着被病痛折磨得妈妈忍不住不停的哭。
我上周开始在Cornell做FET，昨天已取消了下周的transfer。
定好周日回国的机票，老公和我同行。
求姐妹们的祝福！！ |
|
f*******e
发帖数: 43 | 24 Big bless to you! ( I failed in the 1st transfer as well. Wait for the
next FET transfer. ) |
|
B********0
发帖数: 15 | 25 谢谢FAITHHOPE妹妹。你什么时候开始FET？医生建议你用自然周期还是用药呢？希望和
你多多交流一下。：-） 祝好运！ |
|
f*******e
发帖数: 43 | 26 自然周期加 Sonogram / Ultra Sound Monitor + blood work. 有可能会吃点激素药和
塞黄体酮。
现在例假刚结束，几天前做了Sonogram + blood work, 还没有让吃药. 等下一步再做
了Sonogram + blood work 再等医生决定安排时候开始FET.
我作的是Mini IVF. 取的少。 现在只有两个Frozen Embryo. 希望能成功。要不行的
话，以后还要再取卵。
祝好运！ |
|
y**h
发帖数: 574 | 27 I'm gonna have FET too. but the doctor want me to do the medicated one, I
prefer to do natural one. Hate too much hormones.
did your docrot suggest you do a heteroscopy? my doctor did. |
|
d****o
发帖数: 1112 | 28 这个得算啊
算你FET导通时Rdson=15mohm阻抗(这个已经非常好了）
40A电流在这个FET上产生24W的损耗
找FET的thermal resistance，看看junction的温度能达到多少
是不是超过FET的最大温度
然后看加什么样的heatsink能把温度降下来
1oz的copper估计够呛
散热 |
|
g******u
发帖数: 3060 | 29 have you tried 22 ohm as gate resistor yet?
There is another way to find the problem. Don't use the upper FET at all
since it's synchronous FET anyway, won't help much. Use a function generator
to drive the bottom FET, (put an optoisolator/signal transformer or fuse
there) and see if the FET still dies. |
|
c*******3
发帖数: 98 | 30 I would like to review ZnO growth manuscript.Thanks!
My CV is as follows:
JINGBO CHANG
Laboratory of Nanotech. for Sustainable Energy and Environment University of
Wisconsin-Milwaukee, 3200 North Cramer Street Milwaukee, WI 53211, USA
www.researchgate.net/profile/Jingbo_Chang/publications/
PERSONAL DETAILS
Date of Birth: 28th Sep. 1979 Gender: Male
Nationality: China Marital Status: Married
Tel. +1- 414- 688-1383 E-mail: c*****[email protected]
EDUCATIONS
☼ Post doc, major in Mechanical Engineerin... 阅读全帖 |
|
c****s
发帖数: 5892 | 31 周一，力拓矿业公司(Rio Tinto)子公司QIT-Fet et Titane称，在夏季的大部分时间内，公司将暂停采矿厂和冶金厂的运作，魁省的1,800名员工将受到影响。
Sorel-Tracy冶金厂将从7月12日关闭至9月9日，Havre-Saint-Pierre采矿厂将从7月关闭至8月31日。
QIT-Fet et Titane是经济衰退下的最新受害矿业公司。公司主席Jean-Fran?ois Turgeon称，"我们暂停运作是为了保证公司的未来，继续为所在地区的金融健康做贡献。""工会代表和商业伙伴的合作和理解将帮助我们度过困境。"
另外，该公司还表示，先前对2009年底将暂时停产的计划将于12月11日生效，比预计的早了一周。
QIT-Fet et Titane公司在Havre-Saint-Pierre和Sorel-Tracy两厂大约有2,000名员工。 |
|
E*****m
发帖数: 25615 | 32
實驗一下
假設我信 Flat earth theory, 我認為 FET 和靈性有關，這是我的判斷，
所以你就不能批評 FET 了。
把FET 代換成任何東西，你就什麼都不能批評了。
你的 deistic god 不在我的論述範圍內。 我只說 theistic god 的問題。
自愿就是 KEY WORD. 但是必須是真的自願，而不是不自願就會被剝奪某些機會。 |
|
E*****m
发帖数: 25615 | 33
實驗一下
假設我信 Flat earth theory, 我認為 FET 和靈性有關，這是我的判斷，
所以你就不能批評 FET 了。
把FET 代換成任何東西，你就什麼都不能批評了。
你的 deistic god 不在我的論述範圍內。 我只說 theistic god 的問題。
自愿就是 KEY WORD. 但是必須是真的自願，而不是不自願就會被剝奪某些機會。 |
|
s********r
发帖数: 19 | 34 Hi
Today, I have been looked down by an indian guy in my
company because I was confused by FET transistor. what a
shame! I just regard FET transistor as bipolar transistor.
How come?
I was graduated from Dept of materials science of USTB. I
remember the teacher taught me electronic technology is Xie
Chenxi. I doubt if he taught me about FET transistor or not. |
|
E*****a
发帖数: 757 | 35 现在有3个（或n个）电压值，
怎么样用简单的逻辑和模拟电路单元
搭个最简单的电路，从中选择电压最小的输出
比如A,B, C选最小的，比如B输出？
我想的办法比较笨：
先AB比较器，drive一个fet让小的通过，但是这一步就需要2个比较器，2个fet
如果是n个值，要(n-1)*2个比较器/fet
有什么简单思路么？谢谢 |
|
d****o
发帖数: 1112 | 36 做power fet的有infineon, vishay, fairchild
infineon的很好
不过lead time太长
有一家小公司，以前做RF FET的
看power fet不错，转过来做了
Rdson和别人差不多，不过Qc做的特别小
可惜效率差别太小，不明显
一般人也不敢用小公司的东西
LINEAR |
|
d****o
发帖数: 1112 | 37 优点：
远程控制方便，这个datacenter里面用的很多据说，而且每个power ic company都在做
用户不用担心电路是否稳定，节省测试时间，对于analog不熟的工程师来说比较简单
反应比较快？对负载变化很大很快的应用，比如CPU的Vcore比较有用
缺点：
太新，我一般对刚上市的power ic敬而远之，谁知道他的code有没有bug
麻烦，需要用I2C来控制，而且一般不提供集成的FET driver
效率似乎和传统的模拟方案差不多，电源的功耗主要在FETs和inductor上了，这些东东
和driver以及FET, inductor自身的特性更有关系吧，控制做得再精细能减少多少损耗？
一点浅见 |
|
h*******0
发帖数: 49 | 38 wish you the best luck! can you tell us more about medicated FET? why is
it better than natural FET? I have one frozen at John Zhang's clinic and he
only does natural FET. thanks
==
==
Scott |
|
A****y
发帖数: 337 | 39 Thank you! I don't think there's much difference between Medicated and
Natural FET in terms of outcome. Both proven achieved very similar pregancy
rate. The reason I chose Medicated FET is due to better manage my schedule
of work. I do have late ovulation surge which requires extra monitoring
during natural FET and it's stressful for me.
Good Luck!
he |
|
l********y
发帖数: 237 | 40 你的情况真的比版上很多姐妹强多了。 你有这么多blastocyte，就多试几次FET。 在
很多诊所FET和fresh的成功率差不多，很多人fresh失败FET成功，祝好运！ |
|
f***y
发帖数: 4447 | 41 https://news.mydrivers.com/1/661/661427.htm
目前全球最先进的半导体工艺已经进入7nm，下一步还要进入5nm、3nm节点，制造难度
越来越大，其中晶体管结构的限制至关重要，未来的工艺需要新型晶体管。来自中科院
的消息称，中国科学家研发了一种新型垂直纳米环栅晶体管，它被视为2nm及以下工艺
的主要技术候选，意义重大。
从Intel首发22nm FinFET工艺之后，全球主要的半导体厂商在22/16/14nm节点开始启用
FinFET鳍式晶体管，一直用到现在的7nm，未来5nm、4nm等节点也会使用FinFET晶体管
，但3nm及之后的节点就要变了，三星在去年率先宣布3nm节点改用GAA环绕栅极晶体管。
根据官方所说，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET
（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性
能，主要取代FinFET晶体管技术。
此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及
生产。
前不久三星还公布了3nm工... 阅读全帖 |
|
b*******a
发帖数: 78 | 42 晶体管前级
晶体管前级当然不限于场效应晶体管（FET）或双极性晶体管（BJT），晶体管的发展就
是为了更好的规格而来的，因此当晶体管制造技术逐渐成熟时，音响的用料也朝向全晶
体管的方向发展。晶体管与真空管的线路架构虽然类似，但却大不相同。晶体管体积小
，可以在有限空间的电路板中大量使用，因此可以将线路设计得更严谨、更精密，不同
的晶体管拥有不同的特性，适度的搭配便可以创造极佳的效果。
晶体管线路的发展仍然来自于真空管架构，差动是最长使用的放大方式，单差动、双差
动、电流源、达灵顿、串迭等等电路技巧，可以依照设计者的喜好像拼图一般逐步建构
，最简单的晶体管放大电路为单端放大，以一颗或以两颗晶体管直接放大；也可以利用
复杂的架构，缜密且严谨的盖出高塔。Mark Levinson、Cello Encore、Palette以及
Krell、Thershold等公司，是最喜好使用大量晶体管制造器材的公司。他们使用晶体管
有几个特色：
一、数量其多无比，可以使用两颗的绝对不会以一颗解决。
二、偏好双极性晶体管，虽然在特性上FET拥有较佳的性能，但也许是习惯加上喜好，
一部前级从头到尾几乎全是双极性 |
|
b*******a
发帖数: 78 | 43 IC前级
有人说6DJ8是为音响而设计的真空管，那么NE5534应该就是第一颗专为音响而设计的IC
。1981年对IC设计而言，尚不到发达的年代， Philips的子公司推出了NE5534 IC，宣
称特别为音响用途而设计，特点是采用双极性晶体差动输入，低阻抗输出，适合在前级
线路中使用。NE5534是一颗运算放大器OPAMP，它将放大器线路浓缩于一颗八支脚的IC
内，只要附加几颗电阻以及防止震荡的电容，就可以构成前级放大器中所需要的放大电
路。消息一出确实轰动业界，原本要使用不算少量零件构成的放大电路，竟然可以使用
一颗IC取代，不禁让设计师看了傻眼。不过当时大家普遍不相信IC的声音，总认为它的
特性甚差，声音不理想，因此并没有人愿意真正拿OPAMP来做前级的主要放大组件，除
了MBL 6010之外。
早期的OPAMP特性确实相当不理想，它的回转率低，杂音特性不佳，还得依照不同的电
路给予不同程度的补偿修正。但现代的IC性能可不能同日语，现代专为音响而设计的
OPAMP，具有如FET及真空管高输入阻抗的优点（具有数M奥姆的输入阻抗，其实比FET还
高），同时也有BJT低输出阻抗的优点 |
|
s**********r
发帖数: 88 | 44 电面大约20多分钟
问问题的人是技术部的（小公司，估计什么都懂一点的，不然就不会问的那么杂了）
前面自述自己，略微问一下
后面问问题
问了很多技术问题，他英语说得很快，再加上特别技术，导致我不少问题都让他repeat
了，其实本人英语不算差，日常工作都没有问题，只是工作不太技术
1. 大约问的是impedence的问题，没听太清，我猜测他问的是输入阻抗和输出阻抗匹配
，我回答了，他说大约是这个意思
2. 给一个不知道值的电容，给一个信号发生器，一个示波器，问如何测电容的值，可
以外加一点小的东西，我说的是用建一个filter，然后测值
3. BJT 和 FET，大概说了，BJT是个PN结组成的，一般模拟电路中用，FET是用作开关
电路...我不太清楚这个，再加上什么射极...英文更不会说了...然后就说不会了，他
说比不少人回答得好了
4. Virtue function，这个简单
5. 给一个LED 怎么判断是不是好的，我猜测是7段LED(好老的东西啊），然后说一段一
段的测试,也不知道对不对
6. 问了一个c嵌入式的问题和一个os的问题，既没听清楚，也没回答出来
7. 问了一个纳奎 |
|
b********d
发帖数: 720 | 45 夏天毕业的phd，女（参见头像）
skills:photolithography, dry/wet etch, sputter/e-beam evaporator deposition,
FET
conductivity measurement, AFM, electrochemistry, ellipsometry,UV-VIS,
surface profiler，thin film coating, Gaussian Computation,CAD,Python,MOSFET
做过的project主要涉及三方面：
1.photolithography,ebeam evaporator,dry/wet etch in cleanroom to fabricate
microelectrodes(channel of 3um). Also, I designed my mask with CAD.I did
everthing from designing mask, fabrication in cleanroom to dicing in the end.
2.grow thin ... 阅读全帖 |
|
c*******3
发帖数: 98 | 46 JINGBO CHANG
Laboratory of Nanotech. for Sustainable Energy and Environment University of
Wisconsin-Milwaukee, 3200 North Cramer Street Milwaukee, WI 53211, USA
Research Highlights
Graphene/SWNTs FET based platform for biosensor and water sensor
applications.
Graphene based hybrid materials for high-performance lithium-ion
battery applications.
High-performance photoresponse from SWNT/ZnO heterojunctions for UV
sensor
and solar cell applications.
High conducti... 阅读全帖 |
|
s**********2
发帖数: 305 | 47 小弟 材料物理背景，半导体 纳米材料生长 （nanowire, nanoparticle, thin film),
以及在 seminductor/Si solar cell， LED，FETs 方面的应用。相关技术：光谱，
XRD， SEM，TEM，MOSFET，Solar Cell Characterization including transient
electron transport,IPCE, etc. and FET noise)
只有个位数审稿，着急攒审稿，申请绿卡用。工作比较忙，非诚勿扰，也乐意花些小钱
寻求更多的帮助，愿意给予报酬，有相关审稿的，麻烦推荐一下。也在积极寻找
Editor帮忙，只是刚开始。打算半年后提交Eb1。希望斑竹不要删帖。
请站内信，可以付详细背景。多谢多谢。中一个，会主动奉上，互惠互利。
谢谢。本帖长期有效。
-------------------------
改成$30刀了。省的土豪不土豪的。
其实就是想快点攒审稿，不容易啊。 |
|
发帖数: 1 | 48 What Happened To GaN And SiC?
Early predictions were overly optimistic, but these technologies are
starting to make inroads.
About five years ago, some chipmakers claimed that traditional silicon-based
power MOSFETs had hit the wall, prompting the need for a new power
transistor technology.
At the time, some thought that two wide-bandgap technologies—gallium
nitride (GaN) on silicon and silicon carbide (SiC) MOSFETs—would displace
the ubiquitous power MOSFET. In addition, GaN and SiC were suppos... 阅读全帖 |
|
q****i
发帖数: 6923 | 49 那未来的应用呢？比如FET?SWNT在FET上怎么用？要pattern吗？ |
|
c*******l
发帖数: 4801 | 50 Iref这边的fet并没有sacturate，它怎么copy到输出那边的？
按说应该是source apply到saturated fet上，然后通过gate copy到另一边输出
因果倒置袅！！ :( |
|
