由买买提看人间百态

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全部话题 - 话题: ingap
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w********o
发帖数: 10088
1
最近玩这个,发现不靠谱
InGaP/GaAs结构的band diagram模拟出来尽然是type-II的junction,算p-n节的
depletion width也差老鼻子了,跟手动套公式算的差太多
另外meshing也很tricky,动不动就不converge。写信给silvaco公司的人,把结构发给
他们,让他们算。今天收到回信,用附件的script跑了一遍,current算出来比实际情
况高了1e5倍,太不靠谱了。band diagram问题还是没结局。
h*******a
发帖数: 184
2
想对各种器件(MESFET,HEMT,CMOS,GaAs HBT,SiGe HBT, Si BJT 等)进行一下RF方
面各种性能的比较。找到了其他的器件的非线性模型,就是找不到GaAs HBT(如GaAs
InGaP)的非线性模型或design kit. 谁有?先谢了!
H*****l
发帖数: 702
3
泪流满面
a*******i
发帖数: 11664
4
要不我用sentaurus给你看看?XD
w********o
发帖数: 10088
5
你度假回来了?
回头我把structure发给你瞧瞧
q****e
发帖数: 793
6
Silvaco免费么?
w********o
发帖数: 10088
7
ask for a trial version
s*******l
发帖数: 146
8
这个需要自己校正每个材料的电子亲和势。silvaco的database有很多都不准。
H*****l
发帖数: 702
9
that is exactly what i told wokaowokaowokao over phone...
silvaco puts nonsense default value in all kinds of materials except for
silicon
a*******i
发帖数: 11664
10
sentaurus也是,都tmd什么垃圾参数,连Eg都不对
j**y
发帖数: 7014
11
Eg不对有点过了吧
这tmd的也能卖钱?
q****e
发帖数: 793
12
sentaurus有时候直接default上si参数。。。
所以我一般用的时候都把参数文件打开来仔细看看
S****d
发帖数: 298
13
请问如何在Sentaurus parameter database中添加新衬底材料、杂质及其力热电参数?
多谢。
q****e
发帖数: 793
14
有个文件叫 datexcodes.txt,我一般是把他拷到simulation的那个文件夹里
要新建什么材料的话把一些信息先加进这个文件,要不然系统不认,照着里面的格式加
就可以了
材料的参数一般都在.par文件里,在里面改就可以了,一般常用的model里面都有,改
参数就可以了,有些model的参数里面没有,那就只能看manual了,照着manual里写的
往里面加
S****d
发帖数: 298
15
那么比如说我现在加进去了InGaAs,我还想加进去杂质材料,比如datexcodes里的Si,这个是不是还要改parameter database,因为database里面InGaAs的文件系统还没建立起来? 改了database要怎样做才能让系统接收更新呢?谢谢。
q****e
发帖数: 793
16
你是说你要改里面的dopant吗?我一般就用complete ionization,如果要用incomplete
,又不想用系统自带的dopant的话可以加到datexdodes里。不过方法跟加材料不一样点
。加材料的话是加在material那个section里,dopant是加到variables那个section里
,一般是在datexcodes.txt的后面部分。

,这个是不是还要改parameter database,因为database里面InGaAs的文件系统还没建
立起来? 改了database要怎样做才能让系统接收更新呢?谢谢。
S****d
发帖数: 298
17
我想做扩散仿真,用Sentaurus Process

incomplete
a*******i
发帖数: 11664
18
on III-V?
q****e
发帖数: 793
19
这个还真没玩过,太高级了,用不上哈哈
S****d
发帖数: 298
20
但还是要谢谢,学到了device仿真的东西,有机会大家以后多讨论哪
w********o
发帖数: 10088
21
Si的肯定没问题,十年前tsupreme就可以干这个了
sentaurus既然是从tsupremem和medici变过来的,应该也没啥问题
III-V的过了这么多年,也该能做了吧,毕竟只是物理参数不同
a*******i
发帖数: 11664
22
no, III-V process is very different, I won't trust TCAD, esp the diffusion
process
S****d
发帖数: 298
23
Yes, III-V process is tough.
H*****l
发帖数: 702
24
他们到现在就是 GaAs 和GaP的 diffusion 模型靠谱把
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