w**k
发帖数: 6722 | 1 这里都是ETF
发包子吧
AADR AAIT AAXJ ACIM ACWI ACWV ACWX ADRA ADRD ADRE ADRU
ADZ AFK AGA AGF AGG AGLS AGND AGOL AGQ AGZ AGZD AIA
AIRR ALD ALFA ALTS AMJ AMLP AMPS AMU AMZA AND ANGL
AOA AOK AOM AOR ARGT ARKG ARKK ARKQ ARKW ASEA ASHR
ASHS AUNZ AUSE AXJL AXJS AXJV AYT AZIA BAB BABS BAL
BAR BBC BBH BBRC BCHP BCM BDCL BDCS BDD BFOR BIB BICK
BIK BIL BIS BIV BIZD BJK B... 阅读全帖 |
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C********7
发帖数: 1035 | 2 title: "Coupling of synthesized InP/ZnS core/shell nanocrystals to TiO2
nanotubes using electrophoretic deposition for quantum dot sensitized solar
cells"
Materials physics and Applied physics discipline
Journal Impact: >3.0
Send me your name, email, affiliation, list of publications, and a couple
sentences describing your expertise. Candidate with matching background will
be recommended. |
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m**********y
发帖数: 205 | 3 Got it, in case someone need, post below to check the code in the I-94 for
the usa city you enter.
CODE LOCATION
ABE Aberdeen, WA
ABG Alburg, VT
ABQ Albuquerque, NM
ABS Alburg Springs, VT
ADTAmistad Dam, TX
AGA Agana, Guam
AGN Algonac, MI
AGU Aguadilla, PR.
AKR Akron, OH
ALB Albany, NY
ALC Alcan, AK
AMB Ambrose, ND
ANA Anacortes, WA
ANC Anchorage, AK
AND Andrade, CA.
ANTAntler, ND
ASTAstoria, OR
ATB Ashtabula, OH
ATL Atlanta, GA
AXB Alexandria Bay, NY
BALBaltimore, MD
BAU Baudette, MN.
BCY Bay C... 阅读全帖 |
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w**a
发帖数: 4743 | 8 中華民國（台灣）
產假八星期；懷孕三個月以上流產者則四星期。
受僱六個月以上者100%；未滿六個月者50%。
育嬰假，僱用三十人以上事業單位之受僱者，於任職滿一年後，於每一子女滿三歲前
得申請。期間至該子女滿三歲止，但不得超過二年。前半年帶薪60%, 之後無薪, 由勞
工保險支付。
3天陪產假，100%
育嬰假需在嬰兒滿三歲前提出
父母可輪流分別申請各半年60%的有薪育嬰假及無薪育嬰假。
阿富汗
90天，100%
澳大利亚
18周 (尚待上、下議院通過。若通過, 2011年1月1日起實施)[7]
1年
「有薪產假」的工資是聯邦最低工資的水平, 即是每星期 544澳元 。
但規定主要的嬰兒照顧者, 每年人工不可超過15萬澳元。因為主要協助對象是低至中收
入人士。（尚待上、下議院通過。若通過，2011年1月1日起實施）[7]
巴林
45天，100%
孟加拉国
12周，100%
柬埔寨
90天，50%
10天家庭原因事假
中华人民共和国
90天，100%；难产者，增加产假十五天；多胞胎生育者，每多生育一个婴儿，增加产假
十五天；晚育者，增加产假30天；实际上女职工大多数都符合晚育规定，实际产... 阅读全帖 |
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H***z
发帖数: 582 | 10 陈涌海，1967年生，北大物理系86级学生，科学家乐手，中科院半导体所半导体材
料科学重点实验室主任、博士生导师，杰出青年基金获得者。 主要从事半导体低维结
构材料偏振光学、应变自组装量子点（线）材料和器件、半导体自旋电子学等研究，主
持了国家973、自然科学基金等多项研究课题。在Phys. Rev. B，Appl. Phys. Lett.等
刊物发表论文80余篇。 研究量子、纳米之余，弹琴复长啸，纵情民谣中。在校期间，
与许秋汉、杨一等同道中人组建未名湖乐队。代表作《将进酒》。
取得的主要学术成绩：用偏振反射差分光谱（RDS）研究了GaAs/Al(Ga)As、InGaAs
/GaAs、InGaAs/InP等（001）面量子阱的平面内光学各向异性，得到了一系列国际上尚
无报道的新结果，证实了该技术很适合用于表征半导体异质材料界面有序结构、原子偏
析、界面化学键组成等界面性质；利用连续介质模型计算了应变自组装量子线周围的应
力场，很好地解释了量子线斜对准现象；利用图形化柔性层、低温生长柔性层以及注氢
柔性层等技术获得了柔性衬底材料，并探讨了柔性衬底在缓解应变方面的物理机制；近
十年在... 阅读全帖 |
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w*****e
发帖数: 74 | 11 周治平的老底，Gatech不少人都知道。一个吹他的？嘿嘿
知道内情的，不愿意揭他的底而已。
邮科院和北半做半导体光电的人，很多年前我都打过交道。邮科院做半导体光电的，后
来出来了一拨，还到美国，开了公司。It offers a complete ISO 9001:2000 registered solution for all of your InP and GaAs foundry services needs. |
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c******7
发帖数: 1177 | 12 能否展开讲讲？我比较好奇。
他和国光，谁忽悠了谁？
registered solution for all of your InP and GaAs foundry services needs. |
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w*****e
发帖数: 74 | 13 他以Gatech的Prof. 和一个重要的研究中心Director身份拿的长江学者。他在Gatech 的真正职位是什么
，你可以问Gatech 的同学。
邮科院出来的人在美国开公司，没有美国学历、文凭，还有人投资给他们做GaAs InP器件，人家还是有真本事的。 |
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g*******w
发帖数: 140 | 14 I do not know too much about these stuff. But definitely NJStar is not a goo
d choice. If your OS is XP, then there should be no problem with Chinese inp
ut. Try using the built-in Chinese input in Win XP. |
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s*****g
发帖数: 5159 | 15 你试试就\cite一个reference看看有没有问题？
如果没问题，可能是某个bib entry有jf不支持的域。
如果没有，看看bbl文件是不是正常出来了，如果出来了，把\bibliography去掉，\inp
ut{xxx.bbl}。 |
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x**g
发帖数: 40 | 16 Hi, Melonm and the other daxia, please help me.
i have the following questions:
1 it is not working as i follow your instruction, idon/t
know why. maybe i didnot understand exactly. and then i
reinstall the sun solaris. it lets me configure the
networking. i choose non-networking, and then i filled out
the hostname i want. and then i chose the graphic time zone.
that is done. i don't know where to configure the
networking. and then i type domain name and nameserver in
hostname.elxl0 and then inp |
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b********e
发帖数: 109 | 17 我在Fortran PowerStation 4 下使用一个程序，发现不能debug,可以设置断点，但是程
序并不停。于是考虑移植到Visaul Fortran 6.6下，发现可以调试，也可以编译通过，但
是执行是却遇到stack overflow的问题，后来发现是一个子程序的数组定义有问题，但是
在Powerstation4 下却可以执行。那个子程序数组定义如下：
SUBROUTINE GHMAT7(NE,CONE,TUINV,TDLDA)
COMPLEX TUINV(NROWS,NROWS),TDLDA(NROWS)
INTEGER CONE(NE,4),VB_ID
COMMON N,NP,INP,IPR,ITX
COMMON /GEOMET/NROWS,NCOLM
结果发现程序运行到第一行和第二行是均发现溢出，为什么Powerstation中可以通过运
行呢？
BTW, NROWS值为600。 |
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S*******r
发帖数: 83 | 18 做MOCVD还行，长长InP，GaAs, GaN也还有公司要，其他的化合物半导体就免了吧。不
过话说回来，谁愿意一辈子做MOCVD啊 |
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H*****l
发帖数: 702 | 19 哥们，你别害人了
3-5的基本都要green card
都是些很难进的主，比如boeing spectrolab, raython,cree
人家可能作的是high k dielectrics，还成，年景好，推荐推荐去个intel,ibm不成问题
几天前去onsite回来，一起面的人，有在intel ibm工作了20年的Sr. Engineer
就这年景，还InP,GaAs, GaN?
啥也不说，准备开始在EE劝退device physics,simulation,process...赫赫
大家都去做analog ic把。。。VLSI都要开始劝退了。。。娃哈哈哈 |
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c******k
发帖数: 1140 | 20 自己制作的半导体光放大器，用的那种multi-QW 的InP的材料，作个ridge waveguide,
波导长度~800um.发现奇怪的是加几个mA电流，都有光发出来。本来是用来做成光放大
器的，现在有光出来，就不好了。
查了商业的半导体光放大器，典型的工作电流都在500mA, 我做的怎么加几个mA 就出光
了？要命的是就想让它有放大作用，不能出光啊，难道增加偏置电流会确会使半导体光
放大器变成一个light source？ 谢谢解惑！ |
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c******k
发帖数: 1140 | 21 制作的 Quantum well InP半导体光放大器(SOA)，在加16mA的电流时，就已经在1550nm
出现激光。但这不是我们想要的。
有什么办法或者技巧，甚至再作什么处理能减弱这一激光效应，使得光放大功能得以实
现？谢谢！！因为商业的14管脚封装的SOA,偏制电流可加到200mA，甚至300mA，从而得
到12dB以上的增益。 |
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c******k
发帖数: 1140 | 22 Thank you for your interest.
1.To keep the same current density on the waveguide, the bias current for
the middle contact is always 1.8 times larger than that of the contact 1 and
contact 3. If I inject current for all three contacts, the center lasing
wavelength would be around 1546nm. See the attached picture.
2.We made this FP laser on our own with a pretty standard procedure, and the
commercial available substrate is InP with 6 AlGaInAs quantum wells (Well:
6nm Al0.27GaIn0.71As Barrier: 10n |
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c******k
发帖数: 1140 | 23 When I am injecting current to the InP lasers, I am always using a thermal-
electric cooler (TEC) control, and the setting point of temperature is 20C.
So you are saying the 14nm wavelength shift corresponds 30-40C temperature
change. But because of the TEC, I don't think so the laser device could have
so high temperature change.
I talked to my boss, and he is thinking the larger wavelength shift could be
due to the refractive index change with the increasing of injection current
.There is a pap |
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c******k
发帖数: 1140 | 24 老板购要再购买一片商业的 MQW InP wafer. 但是商业公司给你的wafer信息就是
Photoluminescence (PL) peak在什么波长， 其他的参数人家不管。
我们已经购买了一片，PL wavelength 在1509.1nm. Spectral width at FWHM: 1440nm
-1542nm. 然后我们制作了一个 1.0mm long FP laser, 首先测 ASE spectrum （低于
阈值电流）, 发现峰值波长在1520nm, 然后多加电流让laser 发激光，lasing
wavelength 就在1515nm.
实际上我们期望一个在1535nm左右发激光的laser diode. 那么问题是我们购买的wafer
的 PL peak wavelength 不合适？还是怎么样？ 如果是wafer问题，一般来说制作一个
普通的FP laser diode, 希望激射波长在Lambda 1， 而wafer 的PL peak 在Lambda 2
，他们之间有什么经验性的公式或者有什么一个差值范围可以follow吗?
谢谢！ |
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s**g
发帖数: 66 | 25 Si is not so bad. But III-V can be a big concern (GaAs/InP).
Above all, I just hate the noise (24/7)! |
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H*****l
发帖数: 702 | 26 How about HgCdTe.....
III-V is really bad
esp InP and AlGaInP
do not know what a crazy guy developed AlGaInP.....fxck |
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f*****0
发帖数: 489 | 27
ma=10-3 amp;
ua=10-6 amp;
pa=...
but that doesn't matter for this discussion. your original question is
poorly framed. sounds like you want to amplify a weak a/c current signal
burried in a strong DC signal into a voltage output.
to convert a current signal into a voltage output doesn't require a
transimpedance amplifier.
then, you have the issue of separating the a/c signal from the dc
signal. there are many ways to solve that: a capacitor; a transformer; a
dc servo; or even digitizing the inp |
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H*****l
发帖数: 702 | 28 silicon 天生就不发光把
SiC，GaN天生就发光把
所以。。。
昨天和Dr.Robert Bower聊天，老头子说，UCSB和Intel玩了半天也是在silicon mount
一个InP来发光的
cornell的lipson不知道现在进展怎么样了
就算是passive modulator的话，silicon based的速度也太慢了
active的话。。。还是死了心吧 |
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z***o
发帖数: 1254 | 29 极少。而且年代久远， 单论指标的话现在的CMOS 都比它强。 现在InP SiGe的ADC可能
还多些。 |
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H*****l
发帖数: 702 | 30 I agree, actually, i can't disagree
and
who cares if it can survive or not as a reasonable source on grid parity...
there are certain areas calling for solar energy application
otherwise, United solar,emcore and spectrolab would die out decades ago...
just like InP or GaN transistor makers..they have a tiny but stable market
to feed in...and
now it provides jobs...esp. good for fresh semiconductor/circuit/optical/
material graduates....who want to stay in U.S. after graduation...
so thanks, sola |
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H*****l
发帖数: 702 | 31 从很多会议上和intel的人私下聊
他们自己是不信的
况且为光互连搞的inp on silicon laser diode不是和ucsb的合作已经在拿出第一个
show and talk device以后关门放狗了？
全silicon的话，passive还差不多，难道准备用silicon做active?真的用那个什么元素
去doping?
反正现在看到得结果都是magnitude很小，而且疑似激光。。只是因为peak很窄所以
claim似乎好像可能是激光也。。。 |
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H*****l
发帖数: 702 | 32 他们长得挺不错的
而且caltech也在做同样的事情，用ge/sige/inp template
最后， spectrolab 也在做相同的事情
作半导体，其实很简单，不需要大脑
只要有体力和热情就行了 |
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j****n
发帖数: 3465 | 33 我以前是做InP的，用Au etchant的时候都没发现腐蚀半导体的问题，这次做GaAs麻烦
大了。 |
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s*******a
发帖数: 17 | 34 GaAs and InP , but GaN is ok. |
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c********n
发帖数: 258 | 35 给楼主推荐一篇paper：）
Current Status of Large-Scale InP Photonic Integrated Circuits |
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s*****3
发帖数: 1673 | 36 前面打错了 是 InP or GaAs ？
另外很好奇，这种III-V的国内有fab做么？还是在台湾做？ 长epi呢？ |
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s*****3
发帖数: 1673 | 37 你好，请问一下是Laser device的epi吗？GaAs or InP substrate ? 多谢 |
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u*****s
发帖数: 23 | 39 Thanks first. Our project is concerned the integration of spintronics with
traditional semiconductors such as Si, InP, GaAs.
Are u also majored in this direction? |
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c*s
发帖数: 2145 | 40 发信人: titanz (天石), 信区: NanoST
标 题: 半导体禁带宽度
发信站: 瀚海星云 (2004年05月01日14:05:41 星期六), 站内信件
IV族：
Si 1.119
Ge 0.6643
SiC 2.6 or 2.994 （2.6好像是闪锌矿的）
III-V族：
AlP 2.45
AlAs 2.9(直接带隙）
AlSb 2.218（直接带隙）
GaP 2.26（间接带隙）
GaAs 1.424
InP 1.34（直接带隙）
InAs 0.356（间接带隙）
II-VI族：
ZnO 3.2
ZnS 3.6(闪锌矿）
ZnSe 2.58（闪锌矿）
ZnTe 2.28（闪锌矿）
CdS 2.53
CdSe 1.74
CdTe 1.50（闪锌矿）
IV-VI族：
PbS 0.42
PbSe 0.29
PbTe 0.32 |
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x**u
发帖数: 21 | 41 我学ABAQUS 仅3月. 确实是用CAE 写.INP FILE. 仅局陷于修改一下*MATERIALS
但是你不用CAE, 如何定义PART GEOMETRY, 特别是复杂的PART? |
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s*******s
发帖数: 133 | 42 刚开始学ABAQUS, 版本是6.5-1, 随便找了个自带的EXAMPLE, 用ABAQUS读里面的*.INP,
结果出来一些WARNING, 比如:
WARNING: The following keywords/parameters are not yet supported by the input
file reader: |
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f*******r
发帖数: 204 | 43 ABAQUS的inp文件不是指令集，他的数据结构和ansys很不一样，所以没有什么可比
性。它CAE借鉴了很多三维设计软件的思想，反正我是挺习惯的，CAE里没有的keyw
ords可以自己在数据文件里加。 |
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M***n
发帖数: 480 | 44 看几个例题的keywords吧。然后写出inp看看对不对就知道了。
记得CAE那个dynamcis explicit是对的。 |
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l***o
发帖数: 510 | 45 你指的是光学整流方法吧？
LiNbO3,LiTaO3
ZnTe,InP,GaAs,GaSe...
DAST,MA1:MMA...
基于飞秒放大级输出，现在用的最多的是ZnTe
GaAs |
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w********o
发帖数: 10088 | 46 不是啊，我做GaN hemt生长的
以前搞过一些InP laser和GaN方面的LED测量，仅限于此，对GaN的光学器件了解的很少
。。。 |
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g***e
发帖数: 4074 | 47 看看周期表，III-V族的半导体要空穴参杂一般采用Zn，要电子参杂一般用Si。而象(Ga
,Mn)As则是磁性半导体。
用空穴参杂的半导体做衬底，应该跟以后的加工（形成器件）有关吧，和P type 的硅片一样。本人不是学半导体材料和器件的，所以不是很确定。
感觉是在空穴参杂的半导体上比较容易进行外延。
有经验的同学可以说明一下。 |
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l**********n
发帖数: 72 | 48 That's great! Thank you for your information.
Actually my current interest is that it's possible to make InP or ZnO
nanotubes with around 50 nm in diameter and separation around 200 nm very
efficiently. If I grow the p-type nanotubes along x direction and then n-type
nanotubes along y direction, it's possible to obtain many LEDs on the grid
points with density about several tens per micron square. Since the
distribution of crossing points is highly organized, and electron transport
within the na |
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