j***e
发帖数: 287 | 1 【 以下文字转载自 Working 讨论区 】
发信人: jecce (jecce), 信区: Working
标 题: 请教找工作定位问题
发信站: BBS 未名空间站 (Thu Feb 18 14:09:34 2010, 美东)
本人新鲜phd，今年5月份毕业。正在痛苦挣扎的找工作。从去年12月份一来，投简历不
下100，只有一个电话面试，还fail掉了，连个骚扰信都没有。把我的简历发给工业界
的朋友看，反馈说还不错，可是为什么毫无消息呢？我觉得很可能是个人求职定位出了
问题，希望已经在职场上打拼的或者是也在找工作的xdjm指点指点，帮帮忙，多谢！
我的背景是这样的。master期间做的是电磁场仿真，用过商业仿真软件，写过代码，可
phd期间作的是半导体器件物理方向，自己写code仿真了电子在nMOS中的运动。总体来
说，我有一些电磁场的背景，也有半导体物理的背景，可是都不精。说到电磁场，工作
很难找（这也是当初换方向的原因），做天线设计，自己觉得不自信。所以我找工作的
关键词大都是集中在semiconductor device physics领域，可是发现很多职位,包括
dev |
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t******3
发帖数: 29 | 2 9点开始，到4：15结束，中间午饭1小时，1对1面了8个，全部技术问题，没有HR,和以
前项目有关的就不说了，基础的总结起来有：
1） MOS 管的小信号模型，有两个变化，一个人问了Source Degeneration的增益，还
有一个问Cascade电流源的输出阻抗。
2）MOS 管的工作区域，具体问题是问电压摆幅
3）Bandgap问题， 一个是直接叫画电路图，另一个是画好了大概的电路图，叫你给运
放标正负，给MOS管标P,N，并且问PMOS好还是NMOS好
4)传输线问题，输入阻抗50Ohm, 负载是电容，输入Step电压，画出传输线两端的电压
图形
5)Folded Cascade运放
6）给出运放，电阻和电容，如何产生方波，三角波
7）画出Filter电路图，为什么要做双Tone仿真
8）怎么得出放大器的Offset, 用什么仿真方法
9）版图中Dummy的用处是什么？
10)还有一些他们项目中的问题，直接给个电路图，问是干什么用的
暂时先到这，想起来再补充 |
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t******3
发帖数: 29 | 3 今天的比较简单，基本的问题只问了两个
1、三端NMOS，Gate接偏置电压Drain接R到VCC，Source接Current source(DC),问从
Source看进去的阻抗是多少？做了什么假设
2.三端运放，负端接OUT，电源电压是1.8V，正端接STEP电压源，0.8V～1.3V，问输出
是什么，做了什么假设 |
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v**********x
发帖数: 197 | 4 nand gate would have large delay for large number of inputs, as these inputs
constitute a chain of NMOS.It also has charge redistribution problem?
NOR gate is faster but needs a large area.
Not sure if above things are what you are looking for. |
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f****i
发帖数: 20252 | 5 你说的“发关机信号”指啥？CMOS不管是接通NMOS，或是PMOS，内阻最多几十欧。
有哪家的controller“发关机信号”是弄成High Z状态的？ |
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p******h
发帖数: 577 | 6 下面是我的国内一个朋友发给我的情况，不知道有没有这方面的建议可以提供？
另外，我如果想咨询医生的话，该去那里问？ 多谢。
下面是我一个朋友给我发的。我在美国不太认识学医的，只好发到这里来。
如果，有那位朋友，有这方面的消息，请告知。
刚巧昨天我们去了上海，跑了两家知名医院，其中一家就是华山，那个专家王毅说我妻
的病是视神经脊髓炎（NMO)，而非多发性硬化(MS)，以往两
者的界限比较模糊，
如今已明确，建议使用半年的环孢素A和大剂量的维生素C，β-1a干扰素只对预防多发
性硬化复发有用，对预防视神经脊髓炎复发没什么实际意义。
而且β-1a干扰素（利比）价格极其昂贵，自费药。我妻已经过了急性发作期，正在逐
步恢复中，最近刚开始注射此药，听了他一番话，又有点迷惘。
另一家同济医院与宁波的诊断基本相同，说不管是多发性硬化还是视神经脊髓炎，治疗
和预防方法几乎一样，还是建议用干扰素。你方便的话帮我问问，在美国此两种疾病分
别用何种方法预防？ |
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f******I
发帖数: 769 | 7
anti
for multiple sclerosis, i don't think those anti-myelin antibody means a
whole lot, MS is diagnosed clinically, and elevated antibody titier does not
increase the risk for MS from clinically isolated syndrome, unless there is
some new development,
for MS there is increased monoclonal band on csf,
devic's disease the main features distiniguish it from MS is the spare of
brain, where in MS the brain MR and spinal MR were abnormal, but in NMO the
brain MRI is often normal; also when you look |
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b******8
发帖数: 24 | 8 The test for the NMO-IgG( anti aquaporin-4, AQP4) used the blood sample, not
the CSF.
anti |
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h**j
发帖数: 29 | 9 我表姐的小孩得了一种罕见的神经系统方面的病NMO，病情严重，因为罕见，国内的医
生没有好的办法治疗。美国有个医疗所这方面很有名。我们正在联系医生。如果能够赴
美治疗，将会是巨额的医疗费。
请问各位兄弟姐妹又没有从国内赴美治疗方面的经验？有没有可能申请一些经济援助呢？
谢谢大家了。 |
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w****r
发帖数: 245 | 10 大侠，分类都分好了，求神签
# Basic Materials, Agricultural Chemicals
AGU Agrium Inc.
AVD American Vanguard Corp.
CAGC China Agritech Inc.
CF CF Industries Holdings, Inc.
CGA China Green Agriculture, Inc.
CMP Compass Minerals International
COIN Converted Organics Inc.
IPI Intrepid Potash, Inc.
MON Monsanto Co.
MOS Mosaic Co.
NOEC New Oriental Energy & Chemical
POT Potas... 阅读全帖 |
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j***e
发帖数: 287 | 11 本人新鲜phd，今年5月份毕业。正在痛苦挣扎的找工作。从去年12月份一来，投简历不
下100，只有一个电话面试，还fail掉了，连个骚扰信都没有。把我的简历发给工业界
的朋友看，反馈说还不错，可是为什么毫无消息呢？我觉得很可能是个人求职定位出了
问题，希望已经在职场上打拼的或者是也在找工作的xdjm指点指点，帮帮忙，多谢！
我的背景是这样的。master期间做的是电磁场仿真，用过商业仿真软件，写过代码，可
phd期间作的是半导体器件物理方向，自己写code仿真了电子在nMOS中的运动。总体来
说，我有一些电磁场的背景，也有半导体物理的背景，可是都不精。说到电磁场，工作
很难找（这也是当初换方向的原因），做天线设计，自己觉得不自信。所以我找工作的
关键词大都是集中在semiconductor device physics领域，可是发现很多职位,包括
device engineer等等，除了要这方面的背景，大都还要fabrication, or processing,
or cadance/spice之类的仿真软件经历，我都没有。这也很可能是为什么我投了这么
多简历都石沉大海的主要原因。可 |
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T***c
发帖数: 17256 | 12 我觉得能吹，脸皮厚敢闯最重要
我以前认识一在这边读本科的小留，成绩据说也不错，ee的，面试前让我给他临时抱佛
脚复习几道题，发现他分不清nmos和pmos。。。
然后人家混得上好
他还没身份，也是靠opt h1工作的 |
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T***c
发帖数: 17256 | 13 但是EE的读到毕业不分NMOS PMOS啊。。。 |
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c**e
发帖数: 3760 | 15 http://news.yahoo.
com/s/livescience/20070820/sc_livescience/timetravelmachineoutlined;
_ylt=AuRuge.NmO.gsNnrzVdWA56s0NUE
zooropa，可行否？我想回去开始学琴。 |
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l*b
发帖数: 4369 | 17 嗯，见识了一下差距。
中学搞noi的地方太少，没有规模效应。像nmo,npho,ncho之类的，每个重点学校都有5-
10个老师在搞。noi这种，一个城市不见得有3-5个老师搞。辅导老师的个人水平差距非
常明显。 |
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f***o
发帖数: 161 | 18 用 TEMPO 和 IBDA (iodobenzene diacetate) 可以。
ref. Li, Y.; Hale, K. J. Org. Lett. 2007, 9, 1267. |
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a******w
发帖数: 898 | 20 做一个氧化1,4-diol成内酯的反应，发现其中一个醇羟基选择性氧化了，这个醇4位有
个羰基氧。似乎是这个羰基氧原子诱导的选择性氧化，但是我查了查文献没有发现羰基
诱导的例子。请问哪位高人熟悉，TPAP能否和氧配位？或者给个和羰基氧原子配位的例
子？ |
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d*******g
发帖数: 3972 | 21 为啥要用纯的OsO4啊，用OsO4+NMO不行么，或者AD-mix |
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l*****x
发帖数: 3431 | 22 难道是为了抑制subatrate noise coupling
看到一片类似的paper，不过是deep N-well里头做NMOS的，也许可以帮你理点头绪
“Impact of Deep N-well Implantation on Substrate Noise Coupling and RF
Transistor Performance for Systems-on-a-Chip Integration” K.Chew,etc.,
ESSDERC2002 |
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s***e
发帖数: 35 | 23 P-well里应该是NMOS吧？triple well technology？ |
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i******n
发帖数: 15 | 24 i've heard of NMOS in nwell, actually, it is used as moscap |
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l*******k
发帖数: 1974 | 25 pic16c711供电电压是5V。现在的电路用这个管脚直接驱动一NMOS gate。因为逻辑关系
，需要用这一管脚去驱动一PMOS gate。PMOS关段需要gate电压达到Vss。所以想用RB1
的输出接一个上拉电阻到15伏。不知道会不会有问题。
有经验的高手们指点指点。
谢谢。 |
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c*u
发帖数: 916 | 26 hehe, 这些都是纸上谈兵，是皓首穷经的TA的雕虫小技，如同孔乙几的知识，估计
实际应用中大拿高手们根本是天马行空，才不会管这些。
Circuit比较大，比如你可以把整个模块，甚至整个芯片叫做一个Circuit，一个
circuit中可能有各种电压源对各个Device供电。比如你可以用一个5V的电压源
给一个circuit供电(VCC)，然后这个circuit中还有一个Voltage Regulator把5V
变成3.3V，对一个MOSFET(device)供电(VDD)。当然如果你把你的小Circuit定义
成那个MOSFET，VCC又变化成3.3V。
如果你把VDD当作对Drain的供电，当然也可以，但是要记住nMOS和pMOS的Drain
的供电一正一负，同理NPN和PNP的BJT的Collector 供电也是不一样的，如果细究，
就会发现各种书籍，文献中错误百出，所以保险的方法是不用这些莫名其妙的东西，
直接标注电压值。 |
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f*****0
发帖数: 489 | 27 Q4/Q5 should have been pmos but are drawn as nmos.
the schematic doesn't work because it doesn't make any sense. when Vb goes
low, Q4/Q5 are turned on. That will short Vdd through Q1/Q2's be junctions.
not sure what you want the schematic to do. |
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s*******y
发帖数: 60 | 28 应用背景: 要monitor某处（此处可以用电容代表）的电压 要求这个电压小于一个
threshold (100mV 左右) 用一个正反馈电路实现 当此处的电压小于threshold的时候
正反馈电路关断 当此处电压超过threshold的时候 正反馈电路打开 用大电流给该处放
电 降低电压 当电压下降到threshold以下 正反馈电路关断 要求用 NMOS 或者
PMOS实现 如不行就用 bipolar 实现 |
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c*******l
发帖数: 4801 | 29 P+和N+是电源接触contact的地方，减小电阻
那俩黑的是gates,一个给NMOS，一个给PMOS.是poly
这个都是课上讲的。
VLSI其实不难，主要是size那些gates, wells, dopes, etc |
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a******w
发帖数: 774 | 30 Noise，对于一个input pair来说，是PMOS or NMOS 的noise更好，请解释主要是什么
东西引起的。如果降低noise，gm需要减少还是增加？
看到这个面试题，希望能有人指教一下 |
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s*******y
发帖数: 4173 | 31 TRANSISTOR有两种噪声，
热噪声肯定是gm大了比较好，
flicker noise我的理解是和gate面积成反比，
pmos是相对比nmos flicker noise小，但那主要
是因为面积大，可那是牺牲的是频率。当然还是
要看你的应用，对那些频段的噪声比较关注，
corner frequency 想在那。 |
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c****s
发帖数: 2487 | 32 同面积的pmos flicker也比nmos小，而且差别还不小
具体原因前面有人说了，unknown, 呵呵
至少我周围的人都说不清楚
网上有文章讨论跟mobility的关系
但这两个应该不直接相关 |
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h*****3
发帖数: 91 | 33 我用structure editor 先建立了一个简单的3d NMOS结构。然后用sentaurus device跑
仿真，可是每次都是：
Reading grid '1_msh.tdr' ... (TDR format) done.
(Number of grid points is 7261.)
Adding interfaces and contacts ...
Tried to use non-existing contact 'source' !
然后就不行了。
我在建立模型的时候明明有定义contact的。不知是什么原因，应该怎么办呢？
初学Sentaurus, 还请各位前辈指导阿。
感激不尽！ |
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z******8
发帖数: 25 | 34 1.Recent progress in SiC DMOSFETs and JBS diodes at Cree
Industrial Electronics, 2008. IECON 2008. 34th Annual Conference of IEEE
Publication Date: 10-13 Nov. 2008
2.State of the Art 10 kV NMOS Transistors
Power Semiconductor Devices and IC's, 2008. ISPSD '08. 20th International
Symposium on
Publication Date: 18-22 May 2008
这两篇在IEEExplore里都有，哪位帮忙发在附件里吧，谢谢。 |
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H********o
发帖数: 346 | 35 可以用单NMOS做bias current source，单PMOS做CS放大器。
然后把这个CS的input接到input pair的single end output。
整体作为一个OP-AMP，用相同的接法做filter。
有必要时，可以在output stage加个zero cancellation。 |
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y*****e
发帖数: 31 | 36
increase,
Look at the first pic, if the left side current has a little bit increase,
the NMOS gate voltage goes up, make the right side current go up, the
through the pmos mirror, make the left side current even bigger.
What's the differnt?
than |
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r****e
发帖数: 122 | 37 我装了个cadence, analog design environment提取netlist时 对voltage source
不能提出type (pulse, sine etc).
对nmos pmos 也提不出model name...估计还有别的错误 是什么地方需要设定？Thanks! |
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x****g
发帖数: 2000 | 38 前级的gain是一呀
假设两个nmos的size相等, gain＝gm1/gm2=1 |
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h*******y
发帖数: 896 | 39 大家不要生气，不要生气，生气会犯嗔戒地。 我来根据我的理解把这
个唐僧的详细说说吧。
以下分析以普通常见的case为例：
1）前面讨论的问题是在这样的：以NMOS为例，M1在最下面，也就是
连到ground上，M1的gate是真正的input；M2是cascode器件，其gate
被一个bias驱动。然后这种结构的load一般来说是PMOS current
mirror的结构，简单说就是两个PMOS cascode的连到一起，其gate都各
有自己的bias驱动(M4在上，M3在下）；或者是load是简单的电阻。楼
上xikang说问题是“which contribute to more nonlinearity”
2）要明确非线性是一个大信号问题，不属于小信号的范畴。而我们推导
的那些gain的公式都是以小信号为基础的。如果这4个MOS器件都仅仅
保持DC的bias而只在saturation区域工作是，是不会有任何非线性出现的。
只有当input swing（比如input是sine波形）开始增大，大到某个器件
开始进入linear区，非线性问题就产生了。那么谁先进入linear区呢 |
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ET
发帖数: 10701 | 40 问个简单问题，
single-ended nmos amplifer, 如果是current 用来biasing,
增加这个current, gain 增加还是减少？（saturation region)
这玩意，output resistance 用1/(lammda*Id)来看是减少的
gm=sqrt(kn(w/L)Id)是增加的，最后的增加还是减少难道不是还要看具体值？ |
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ET
发帖数: 10701 | 41 对于第一个，我也想到过了。
我关心的，不会在某个区域，gm的变化比gds的变化快？如果考虑从subthrehold regio
n all the way 到strong inversion.
第2， 对于n transistor differentinal input ota with ideal current source bia
sing, Vs 会变小导致vgs变大也能理解。
那么如果是single ended nmos with drain ideal current source呢？
就如你写出来的公式里，能让drain current在这时候增加，vds只能增加这样算出来的
gain是增加的。
2 |
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s*****o
发帖数: 22187 | 42 1.在low power应用里面比较多见，如果Id~10nA，一般都工作在subthreshold。还有时
如果matching不是很重要，OPAMP的input pair也可以工作在subthreshold以提高gain
。常见的IPTAT电路I=Vt*logM/R，也需要两个NMOS(1:M)工作在subthreshold，才能实
现以上电流关系。总的来说，当你需要用MOS来实现Id~Is*exp(Vg/Vt)的指数关系时，
可以让MOS工作在subthreshold。 |
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h****8
发帖数: 599 | 43 register file 的结构和6-T sram是不一样的 多了一个nmos下拉管 但写操作还是一样
的 |
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ET
发帖数: 10701 | 44 mos switch - 假设就是一个nmos, drive 一个cap.
据说，如果bandwidth & resoution给定，那么这个mos switch是确定的， 为啥？当然
，input signal, clock frequency 也是给定的。
1. drive的cap是给定，通过bandwidth， 可以算出Ron, 如果选择最小channel length
, 那么W的确是可以算出来。实际中是这么算的吗？
2. cap 没给定的话，给了bandwith & resolution, 那么这个cap & transistor size怎
么算？
3. 这个clock frequency有啥讲究吗？ 到底应该clock在哪里？ |
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ET
发帖数: 10701 | 45 pmos 做为input transistor对这个topology不太make sense.
因为pmos 的source都希望接在most positive supply.
另外biasing pmos也困难。因为对pmos,current draw from vdd, 对nmos, sink curre
nt to ground. |
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d********g
发帖数: 11948 | 46 那如果是nmos input 画对的话呢？ feedback 在哪里
curre |
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E*****a
发帖数: 757 | 47 你好像说的是pmos的linear regulator.
什么叫反馈是不是一样？需要把问题具体下来。
基本上每个都不一样。都是根据需要调参数的，或者重新design的。差别很大。
而且也会用nmos,或者bipolar，种类很多。
就好比问，四个轮子的车是不是一样的？回答就是，根据不同需要，差别可以极大 |
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a****l
发帖数: 8211 | 48 如果电压在中间(2.5)的时候两个管子都是截断的,那么中间vout不就是和两边断开来了
吗?怎么还会有电压?
PMOS and NMOS are in cut off mode.
still don't understand it, run the simulation by yourself, with NO load.
Then tell me what you get. |
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f****3
发帖数: 502 | 49 我在cadence里面仿的时候没有负载，类似的结果，只是中间不是那么平了，而是率陡
的斜率
这个只是在网上找的图，给大家看一下，我只是想问问物理原理，至于结果是否100%的
准确，无关重要
吧
time, PMOS and NMOS are in cut off mode.
still don't understand it, run the simulation by yourself, with NO load.
Then tell me what you get. |
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f****3
发帖数: 502 | 50 我重新仿了一下这个pspice的电路，没加负载，一样的结果，所以说负载不是关键。
time, PMOS and NMOS are in cut off mode.
still don't understand it, run the simulation by yourself, with NO load.
Then tell me what you get. |
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