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全部话题 - 话题: pcram
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f***y
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1
http://laoyaoba.com/ss6/html/38/n-642538.html
手机App上轻轻一按,装载有国产控制芯片的打印机里就吐出需要打印的照片,速度之
快,让苹果的airprint也自叹不如。这其中的奥妙就在于芯片上使用了下一代存储器
PCRAM。
近日,记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉,由该所宋志棠研究员课题组倾
注十几年心血,从基础研究做到产业化的PCRAM,如今已集成在芯片上售出1500万片,
实现销售额超过亿元。他们与中芯国际等企业,共同推进产业化,有望在每年市场价值
几十亿美元的嵌入式芯片存储器领域实现“弯道超车”。
挑战下一代存储器产业化
大到数据中心,小到一个小小芯片,都离不开动态内存(DRAM)。现在通用的DRAM有一个
致命的缺点,那就是怕断电———一旦断电,在内存中的数据就会瞬间消失,再也找不
回来。虽然也有可以随时保存数据的闪存(FLASH),可数据擦写、读取都很慢。所以,
尽管这些存储器在各种地方广泛使用,科学家总希望找到一种更完美的下一代存储器。
相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器:它通过电流和磁场的开关,让存储材
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f***y
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2
听说这组有新突破,将发表science.
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手机App上轻轻一按,装载有国产控制芯片的打印机里就吐出需要打印的照片,速度之
快,让苹果的airprint也自叹不如。这其中的奥妙就在于芯片上使用了下一代存储器
PCRAM。
近日,记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉,由该所宋志棠研究员课题组倾
注十几年心血,从基础研究做到产业化的PCRAM,如今已集成在芯片上售出1500万片,
实现销售额超过亿元。他们与中芯国际等企业,共同推进产业化,有望在每年市场价值
几十亿美元的嵌入式芯片存储器领域实现“弯道超车”。
挑战下一代存储器产业化
大到数据中心,小到一个小小芯片,都离不开动态内存(DRAM)。现在通用的DRAM有一个
致命的缺点,那就是怕断电———一旦断电,在内存中的数据就会瞬间消失,再也找不
回来。虽然也有可以随时保存数据的闪存(FLASH),可数据擦写、读取都很慢。所以,
尽管这些存储器在各种地方广泛使用,科学家总希望找到一种更完美的下一代存储器。
相变存储器(PCRAM)就是这样一种理想的存储器:它通过电流和磁场的开关,让存储材
料在晶体和非晶体间切换。由于改变的是材料... 阅读全帖
f***y
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3
本报上海6月28日讯(记者黄辛 见习记者朱泰来)今天,记者从中科院上海微系统与信
息技术研究所获悉,该所联合中芯国际集成电路制造(上海)有限公司开展的相变存储
器(PCRAM)研究,在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来,
合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突
破,实现了产业化销售。
我国作为消费性电子产品最大产销国,仅2016年度,存储器芯片进口近4700亿元,国产
芯片的自给率不足10%,发展自主新型半导体存储器的需求迫在眉睫。PCRAM具有非挥发
性、循环寿命长、写入速度快、稳定性好、功耗低和可嵌入功能强等优点,被业界认为
是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。
2003年起,微系统所研究员宋志棠在国内率先开展PCRAM研发。该所通过与中芯国际共
建联合实验室,重点围绕PCRAM的核心单项工艺开发以及涉及的基础科学问题、集成工
艺难题、产品性能测试和良率提升等技术瓶颈展开深入研究,成功研制了我国第一款拥
有自主知识产权的PCRAM芯片。8Mb芯片实现全部存储功能,获得国内外同行的广泛关注
,为我国在国际新一代半... 阅读全帖
v********a
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4
理论上来说,STTRAM具备了理想存储器的所有条件,而且貌似现在实现的前景也很乐观
,PCRAM需要reset电流过大,导致1T1R结构中的transistor不能继续scaling,所以现
在PCRAM storage density不是很大,还有一种RRAM,据吹也比PCRAM强。
谁是做memory的呀,多交流交流
f***y
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5
http://news.sina.com.cn/o/2017-11-10/doc-ifynrsrf3416067.shtml
11月10日,美国Science杂志以First Release的形式发表了西安交通大学与上海微系统
与信息技术研究所的合作论文——Reducing the stochasticity of crystal
nucleation to enable sub-nanosecond memory writing(降低晶体成核随机性以实现
亚纳秒数据存储),该工作从接收到在线发表仅10天。
处于数字全球化的今天,爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战,而
且目前商用计算体系架构内各存储部件,即缓存(SRAM)、内存(DRAM)和闪存(NAND
Flash)之间性能差距日益加大,其间的数据交换效率也已成为了电子设备发展的瓶颈
。因此研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失(即断电后数据不丢失)等
特点的新式通用式存储介质势在必行。基于相变材料的相变存储器(PCRAM)是最接近
商业化的通用式存储器,由国际半导体巨头Intel与Mircon联合推出的首款... 阅读全帖
f***y
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6
http://laoyaoba.com/ss6/html/38/n-642538.html
未来大陆PCRAM存储器有望实现“弯道超车”
做成器件,还得能应用,才能实现产业化。这时,珠海埃派克科技股份有限公司通过科
技新闻报道找到了宋志棠。从2011年起,该公司几乎年年投入上亿元研发经费,为企业
未来的技术优势投资。
“高校可以做一千片芯片,拿最好的一颗来发论文,但企业却要找出最差的那颗来改进
技术。”丁励说,最新研发的打印机芯片,如今已售出1500万片,4个月来用户反映出
错率低于千分之一。
d********8
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7
老老实实做,别老想着弯道超车,PCRAM要是有前途牙膏厂股价早上天了。前几年复旦
发过篇science,记得是个类似的半吊子,基于隧穿,速度在sram和dram之间,当时也
搞得挺轰动,有什么后续没?
m**********t
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8
一、自旋电子材料与量子器件研究中心简介
自旋电子材料与量子器件研究中心是一个面向未来后摩尔时代信息处理与存储可持续发
展的研究机构,瞄准5纳米以下新型电子量子器件技术发展前沿,围绕自旋电子及其他
低维电子材料研究方向,开展以低维电子系统的介观结构-物理特性-埃米制备技术为核
心的物理基础及量子器件研究工作,并以新型量子信息处理及存储工艺的研究和实施带
动后摩尔时代运算技术的持续发展,实现在该领域的理论、工艺与研究方法的创新。研
究中心将通过整合西安交通大学相关学科资源、强化科研平台建设、引进国际一流人才
,逐步发展成为具有国际水平的、在国内外有重要影响的基础研究基地,最终建成世界
一流的学术研究机构。
1.中心主任
闵泰教授,“千人计划学者”(全职)
汪宏教授,“长江学者”(全职)
2.主要研究方向
1)低维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论;
2)低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟(ab-initio,micro-magnetic,compact
);
3)新材料(石墨烯,拓扑绝缘体、MX2,磁性超薄膜等)的埃米生长技术(磁控溅射,
ALD,CVD)和物理表征(... 阅读全帖
c**y
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9
你说的那种比PCRAM强的RRAM是什么呢?
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