l***o
发帖数: 510 | 1 你指的是光学整流方法吧？
LiNbO3,LiTaO3
ZnTe,InP,GaAs,GaSe...
DAST,MA1:MMA...
基于飞秒放大级输出，现在用的最多的是ZnTe
GaAs |
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c*s
发帖数: 2145 | 2 发信人: titanz (天石), 信区: NanoST
标 题: 半导体禁带宽度
发信站: 瀚海星云 (2004年05月01日14:05:41 星期六), 站内信件
IV族：
Si 1.119
Ge 0.6643
SiC 2.6 or 2.994 （2.6好像是闪锌矿的）
III-V族：
AlP 2.45
AlAs 2.9(直接带隙）
AlSb 2.218（直接带隙）
GaP 2.26（间接带隙）
GaAs 1.424
InP 1.34（直接带隙）
InAs 0.356（间接带隙）
II-VI族：
ZnO 3.2
ZnS 3.6(闪锌矿）
ZnSe 2.58（闪锌矿）
ZnTe 2.28（闪锌矿）
CdS 2.53
CdSe 1.74
CdTe 1.50（闪锌矿）
IV-VI族：
PbS 0.42
PbSe 0.29
PbTe 0.32 |
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c***y
发帖数: 233 | 3 我想知道一些关于 ZnS, ZnO, ZnTe NCs 的信息
不知道哪位老大能告诉一下
多谢 |
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J*******3
发帖数: 1651 | 4 我国半导体物理研究进展
夏建白 黄 昆
半个世纪以来，半导体的研究在当代物理学和高技术的发展中都占有突出的地
位.这是因为半导体不仅具有极其丰富的物理内涵，而且其性能可以置于不断发展的精
密工艺控制之下.传统的晶体管、集成电路以及很多其他半导体电子元件都是明显的例
证.半导体超晶格和微结构则是近年来开拓的新领域，它在一个新的水平上体现了以上
半导体的特点，这个领域的开拓正有力地推进半导体研究和新一代高技术的发展.
除了半导体超晶格和微结构以外，表面、界面和杂质、缺陷是半导体物理的两个传
统研究领域，研究历史较长.这两个领域都是和半导体材料、器件性能的改善有密切的
联系，因此预期今后将继续发展下去.表面、界面方面最突出的进展是扫描隧道缇档姆
⒚鳎挠τ靡言对冻隽吮砻婧徒缑姹旧淼姆段?
半导体材料是半导体物理研究的基础，半导体新材料、新结构的研制成功大大促进
了半导体物理研究.生长半导体超晶格材料的分子束外延等技术是超晶格领域能够形成
并不断发展的基础.最近，多孔硅、C60、GaN等每一种材料的... 阅读全帖 |
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