a*****x
发帖数: 901 | 1 忽略一切细节，H-H用Boltzmann描述的是决定钠离子电导的物质（或者说其状态/位置
）的分布，按以后的观点就是决定gating的参数。所以对voltage-gated channels来说，
可以理解成voltage sensor的状态（由其位置决定）, 或者channel本身状态。
这和钠离子本身是绝对不能混淆的。 |
k*****1
发帖数: 454 | 2 你不要把voltage-sensor 和 离子通道等同起来。
你这个结论直觉上不对。离子电流的产生大致有四个阶段：voltage-sensor激活->
voltage-sensor 形变->离子通道形变->自由离子(free ion)通过。其中两个形变过程
通常会被假设为瞬间发生，所以剩下两个过程，“voltage-sensor激活”和“自由离子
通过“共同决定了Pi/Po.
比如在这篇review文章里面，就专门提到"The substitution of hydrophobic
residues in S4 segment of Smith-Maxwell et al. (90) and Ledwell and Aldrich
(48) indicates a high degree of cooperativity in the last
step of channel opening, which was incorporated as one
more concerted step in the three-state four-subunit model
and built in for the eight-state model." 如果我理解没错的话，voltage-sensor
未激活/激活的概率应该不等同于离子通道打开的概率Po，更确切说voltage-sensor激
活的概率是离子通道概率的一部分；尤其影响离子通道模型的最后一步。
【1】The Voltage Sensor in Voltage-Dependent Ion Channels，FRANCISCO
BEZANILLA，PHYSIOLOGICAL REVIEWS， 2000.
说， |
D*a
发帖数: 6830 | 3 不明白你们为啥吵吵就要开新帖吵呢，说得不都是一个事么。 |
k*****1
发帖数: 454 | 4 哈哈，我承认我是无聊。
这个其实还真不是一件事情。因为太细节了，所以我就不在这重复了。搞生物的人就是
这样，特别喜欢纠缠在细节上。
【在 D*a 的大作中提到】
: 不明白你们为啥吵吵就要开新帖吵呢，说得不都是一个事么。
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