中国发明半浮栅晶体管 - CanadaNews版

本页内容为未名空间相应帖子的节选和存档，一周内的贴子最多显示50字，超过一周显示500字访问原贴

CanadaNews版 - 中国发明半浮栅晶体管

相关主题
● 王鹏飞真冤啊	● 中国IC：5年图强
● 中国发明半浮栅晶体管	● ZT:看《南方周末》借哭乔布斯污蔑文革
● 中国科学家晶体管开发取得突破	● 抄底收购奇梦达我国获得高端集成电路封装制造能力
● 为何如今却落后20年	● 中国最新一代集成电路(22nm)制造工艺研发取得突破性进展
● 复旦发表在Science的半浮栅项目正式开始产业化进程	● 新一届政府上任果然要大力发展集成电路
● 懂电路的来说说计算机为什么不能再快了	● 关注中国“芯”：中国1-8月在集成电路领域完成投资同比增长55.6%。来源: xwu622 于 2013-09-30 07:29:38 [档案] [博客] [旧帖] [给我悄悄话] 本文已被阅读：4
● 太阳神太烧钱	● 中国将斥资50亿美元支持集成电路产业ZT wsj
● 纳米研究的最新走向	● 琐男的春天来了

相关话题的讨论汇总
话题: 晶体管话题: 浮栅话题: mosfet话题: 集成电路话题: 发明

进入CanadaNews版参与讨论

(共1页)

U*E
发帖数: 3620

中国发明半浮栅晶体管有助获得芯片制造话语权
中国研究人员8日在美国《科学》杂志上报告说，他们在集成电路的基本单元晶体管研
究上取得突破，发明了一种名为半浮栅晶体管的新型基础微电子器件，可让数据擦写更
容易、迅速。据介绍，它的成功研制将有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯
片设计与制造上逐渐获得更多话语权。
研究负责人、复旦大学教授王鹏飞说：“我国集成电路产业主要依靠引进和吸收国外成
熟的技术，在微电子核心器件及集成工艺上缺乏核心技术。半浮栅晶体管的成功研制将
有助我国掌握集成电路的核心技术，从而在芯片设计与制造上逐渐获得更多话语权。”
据王鹏飞介绍，金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中的主流
器件，过去几十年工艺的进步让MOSFET晶体管的尺寸不断缩小，越来越接近其物理极限
，基于新结构和新原理的晶体管成为当前业界急需。半浮栅晶体管是在MOSFET晶体管中
内嵌一个广泛用于低功耗电路的装置----隧穿场效应晶体管（TFET）制成。它的优势在
于体积可更小，结构更简单，读写速度更快，且一片这样的晶体管的功效可比得上多块
MOSFET晶体管。

(共1页)

进入CanadaNews版参与讨论

相关主题
● 琐男的春天来了	● 复旦发表在Science的半浮栅项目正式开始产业化进程
● 中央将投入1200亿扶持集成电路产业中国芯片业有望获得突破 zt	● 懂电路的来说说计算机为什么不能再快了
● 国“缺芯之痛”：2013年芯片进口额高达2313亿美元(转载)	● 太阳神太烧钱
● 兔子终于明白，实业救国道路	● 纳米研究的最新走向
● 王鹏飞真冤啊	● 中国IC：5年图强
● 中国发明半浮栅晶体管	● ZT:看《南方周末》借哭乔布斯污蔑文革
● 中国科学家晶体管开发取得突破	● 抄底收购奇梦达我国获得高端集成电路封装制造能力
● 为何如今却落后20年	● 中国最新一代集成电路(22nm)制造工艺研发取得突破性进展

相关话题的讨论汇总
话题: 晶体管话题: 浮栅话题: mosfet话题: 集成电路话题: 发明

#	版面	帖数(主题数)
-	全站	4871 (796)
1	Military	3777 (569)
2	Stock	341 (51)
3	Joke	117 (17)
4	History	116 (3)
5	Automobile	100 (9)
6	USANews	55 (9)
7	Midlife	45 (1)
8	Headline	41 (41)
9	Dreamer	33 (13)
10	FleaMarket	32 (20)
11	Living	30 (7)

boards

未名新帖统计// 7月16日

历史上的今天