n**********s
发帖数: 145 | 1 材料生长在硅wafer上，用干净的硅wafer做空白，然后测量带有样品的硅wafer。
transmittance mode测量出的数据好象很靠谱。只是这样测量原理上可行吗？一般来讲
都是制备KBr薄片，但是我们的情况制备KBr薄片有些难度。
谢谢指教！ |
a***e
发帖数: 757 | |
P***e
发帖数: 804 | 3 有些model的FTIR不需要KBr，比如Bruker alpha,你可以用随意的background,比如
filter paper 什么的，这样的一起用的不是transmission机理。 |
K****N
发帖数: 10783 | |
n**********s
发帖数: 145 | 5 谢谢你的回复！我们的仪器做不了Reflectance。
【在 a***e 的大作中提到】
: 表面的为什么不用ATR-FTIR?
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n**********s
发帖数: 145 | 6 谢谢你的回复！我们的仪器是Bruker Tensor27，可以吗？
BTW，你的小狗好可爱！
【在 P***e 的大作中提到】
: 有些model的FTIR不需要KBr，比如Bruker alpha,你可以用随意的background,比如
: filter paper 什么的，这样的一起用的不是transmission机理。
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y****i
发帖数: 1504 | 7 没干过，不过你做个control,看看硅片吸收在哪儿不就行了。没什么绝对要用KBr,只不
过他好用，容易获得而已。 |
a***o
发帖数: 65 | 8 如果你的样品浓度比较高应该可行的，不过silicon wafer在1600及以下吸收比较强，
2000以上完全没问题。还有就是把wafer和红外laser放成brewst角度可以减少很多噪音
【在 n**********s 的大作中提到】
: 材料生长在硅wafer上，用干净的硅wafer做空白，然后测量带有样品的硅wafer。
: transmittance mode测量出的数据好象很靠谱。只是这样测量原理上可行吗？一般来讲
: 都是制备KBr薄片，但是我们的情况制备KBr薄片有些难度。
: 谢谢指教！
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n**********s
发帖数: 145 | 9 谢谢指教！
【在 a***o 的大作中提到】
: 如果你的样品浓度比较高应该可行的，不过silicon wafer在1600及以下吸收比较强，
: 2000以上完全没问题。还有就是把wafer和红外laser放成brewst角度可以减少很多噪音
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