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EE版 - Re: HEMT/MODFET
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subthreshold slope <60mV/decade?版上有做化合物半导体材料的么?
Notre Dame Vs UCRiverside,大虾们给点建议你们说这是为啥
III-nitride半导体前景怎么样?用宽能带半导体做集成电路, 是省电, 还是费电?
大家觉得PhD搞LED有前途么?求审稿机会: semiconductor device方面的. III-V, II-VI都行
有人用过silvaco的TCAD吗Re: MMIC, what is that? is it good?
今天套了一EE教授,可是他做的方向我完全没概念。。。Re: my ideas on EE
RF前端里面用的声表面滤波saw duplexer和GaAs HEMT RF switching哪个更有前途?Re: what's semiconductor packaging?
谁有GaAs HBT nonlinear model 或design kit?Re: high power microwave amplifier?
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话题: modfet话题: hemt话题: them
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b**d
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Usually these devices are for microwave applications.
There should be a lot of books about them in library.
just do not know why you can not find them.
For good theory, Michael Shur is recommended.
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Re: high power microwave amplifier?有人用过silvaco的TCAD吗
Help for 3 papers IEEE, thx今天套了一EE教授,可是他做的方向我完全没概念。。。
外行请教:搞microwave研究和应用很危险么?RF前端里面用的声表面滤波saw duplexer和GaAs HEMT RF switching哪个更有前途?
求两片典型的IEEE microwave的论文谁有GaAs HBT nonlinear model 或design kit?
subthreshold slope <60mV/decade?版上有做化合物半导体材料的么?
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III-nitride半导体前景怎么样?用宽能带半导体做集成电路, 是省电, 还是费电?
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