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EE版 - 求助啊!device physics的2个问题呀
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w******u
发帖数: 486
1
Why does electric field in MOS device tend to increase as device dimension
shrink
describe the cross-section of a MOSFET with short channel showing the charge
sharing phenomenon
想不出来这2个问题!
翻了半天书,郁闷阿。有人可以帮忙下么
谢了阿
p****f
发帖数: 251
2
ft, you should be able to find out the answers in any device physics book.

charge

【在 w******u 的大作中提到】
: Why does electric field in MOS device tend to increase as device dimension
: shrink
: describe the cross-section of a MOSFET with short channel showing the charge
: sharing phenomenon
: 想不出来这2个问题!
: 翻了半天书,郁闷阿。有人可以帮忙下么
: 谢了阿

c*******l
发帖数: 4801
3
E=V/D
E=电场,V=voltage, D=distance

charge

【在 w******u 的大作中提到】
: Why does electric field in MOS device tend to increase as device dimension
: shrink
: describe the cross-section of a MOSFET with short channel showing the charge
: sharing phenomenon
: 想不出来这2个问题!
: 翻了半天书,郁闷阿。有人可以帮忙下么
: 谢了阿

w******u
发帖数: 486
4
第一个已经在书里找到了。。。第2个的图也找到了。。。。呼呼。。感谢各位
还在想怎么样describe
c*******l
发帖数: 4801
5
顺手补一下电磁学 :)

【在 w******u 的大作中提到】
: 第一个已经在书里找到了。。。第2个的图也找到了。。。。呼呼。。感谢各位
: 还在想怎么样describe
: 在

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