a******w 发帖数: 774 | 1 Noise,对于一个input pair来说,是PMOS or NMOS 的noise更好,请解释主要是什么
东西引起的。如果降低noise,gm需要减少还是增加?
看到这个面试题,希望能有人指教一下 |
l*****x 发帖数: 3431 | 2 以thermal noise voltage为例吧,正比于KT/gm,所以gm增加好
input pair记得是PMOS好,具体原因忘了
【在 a******w 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : Noise,对于一个input pair来说,是PMOS or NMOS 的noise更好,请解释主要是什么 : 东西引起的。如果降低noise,gm需要减少还是增加? : 看到这个面试题,希望能有人指教一下
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c*******l 发帖数: 4801 | 3 是不是因为PMOS的尺寸大?
【在 l*****x 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 以thermal noise voltage为例吧,正比于KT/gm,所以gm增加好 : input pair记得是PMOS好,具体原因忘了
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r****e 发帖数: 122 | 4 PMOS 1/f noise 好点, for some unknown reason...
什么
【在 l*****x 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 以thermal noise voltage为例吧,正比于KT/gm,所以gm增加好 : input pair记得是PMOS好,具体原因忘了
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le 发帖数: 190 | 5 For PMOS, its W times L will be bigger to give similar transconductance. So
the oxide-semiconductor interface is said to be smoother, which means it's
less likely to tumble charge carriers.
Another reason may be related with the property of holes. I am not sure...
【在 r****e 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : PMOS 1/f noise 好点, for some unknown reason... : : 什么
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r****e 发帖数: 122 | 6 If I remember well, 1/f comparasion hasn't been related to Gm yet, as
people are comparing Gate *voltage* noise for the same W*L, and Pmos has
larger coefficient....and why it's large seems not clear in physics, we can
guess holes might play a role in it...
So
【在 le 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : For PMOS, its W times L will be bigger to give similar transconductance. So : the oxide-semiconductor interface is said to be smoother, which means it's : less likely to tumble charge carriers. : Another reason may be related with the property of holes. I am not sure...
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s*******y 发帖数: 4173 | 7 TRANSISTOR有两种噪声,
热噪声肯定是gm大了比较好,
flicker noise我的理解是和gate面积成反比,
pmos是相对比nmos flicker noise小,但那主要
是因为面积大,可那是牺牲的是频率。当然还是
要看你的应用,对那些频段的噪声比较关注,
corner frequency 想在那。 |
c****s 发帖数: 2487 | 8 同面积的pmos flicker也比nmos小,而且差别还不小
具体原因前面有人说了,unknown, 呵呵
至少我周围的人都说不清楚
网上有文章讨论跟mobility的关系
但这两个应该不直接相关
【在 s*******y 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : TRANSISTOR有两种噪声, : 热噪声肯定是gm大了比较好, : flicker noise我的理解是和gate面积成反比, : pmos是相对比nmos flicker noise小,但那主要 : 是因为面积大,可那是牺牲的是频率。当然还是 : 要看你的应用,对那些频段的噪声比较关注, : corner frequency 想在那。
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