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EE版 - mosfet 里 short channel effect 的 mobility degredation 怎么理解..
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n*l
发帖数: 44
1
Grey/Myer 里有关于 mobility degredation 有这么一段话:
A physical reason for (mobility degredation) is that increasing the vertical
electric field forces the carriers in the channel closer to surface of the
silicon, where surface imperfections impede their movement from source to
drain.
这个 "surface imperfection" 怎么理解?.. 它和造成 1/f noise 是同一个
imperfection吗?..
a*******i
发帖数: 11664
2
从这段话来看,应该说的是interface scattering

vertical
the

【在 n*l 的大作中提到】
: Grey/Myer 里有关于 mobility degredation 有这么一段话:
: A physical reason for (mobility degredation) is that increasing the vertical
: electric field forces the carriers in the channel closer to surface of the
: silicon, where surface imperfections impede their movement from source to
: drain.
: 这个 "surface imperfection" 怎么理解?.. 它和造成 1/f noise 是同一个
: imperfection吗?..

n*l
发帖数: 44
3
恩, 你说的是对的.. 我又翻了一下 Razavi, 里面说, (this) leads to more carrier
scattering and hence lower mobility.
不过不明白为什么 carrier scattering will become more severe at silicon
surface.. 我想可能是因为 silicon surface 的 crystal lattice 有更多的 defects
... 不知道这样理解对不对..

【在 a*******i 的大作中提到】
: 从这段话来看,应该说的是interface scattering
:
: vertical
: the

w********o
发帖数: 10088
4
是因为interface rough了,当你在gate加了电压,从source到drain,沿着直线看过去
,个地方的电场不同,导致电子的potential有变化,这个变化导致了scattering
或者极端一点,如果贴着SiO2和Si的界面看过去,有的地方是Si,有的地方是SiO2
这样你的2deg channel不是一个平整的面,你从Capacitance出发可以得到potential的
分布

carrier
defects

【在 n*l 的大作中提到】
: 恩, 你说的是对的.. 我又翻了一下 Razavi, 里面说, (this) leads to more carrier
: scattering and hence lower mobility.
: 不过不明白为什么 carrier scattering will become more severe at silicon
: surface.. 我想可能是因为 silicon surface 的 crystal lattice 有更多的 defects
: ... 不知道这样理解对不对..

a*******i
发帖数: 11664
5
恩,基本是这样。Si和SiO2的interface会不平,或者存在defects states。对2DEG来
说,他的wavefunction越靠近
interface,受的interface scattering越大。

carrier
defects

【在 n*l 的大作中提到】
: 恩, 你说的是对的.. 我又翻了一下 Razavi, 里面说, (this) leads to more carrier
: scattering and hence lower mobility.
: 不过不明白为什么 carrier scattering will become more severe at silicon
: surface.. 我想可能是因为 silicon surface 的 crystal lattice 有更多的 defects
: ... 不知道这样理解对不对..

n*l
发帖数: 44
6
谢谢两位.. 思路理清不少.
所以说 scaling 会导致 non-constant field现象..
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