H****E 发帖数: 444 | 1 想请教一下关于spacer width和gate length的关系,请问printed gate length减去
etch和
spacer width是就等于physical gate length吗?通常BSIM model中的XL(offset
length)指的主
要就是spacer width的影响吗?对于一个给定的technology node,spacer width是怎
么确定的
呢?
谢谢! |
E********n 发帖数: 14662 | 2 gate length难道不是直channel length,不就是工艺指标吗?
space width 不是根据工艺有个最小值吗? |
h*****n 发帖数: 49 | 3 我不是专家阿,我觉得应该是:
physical length = printed length - etch length(x2)+ spacer width (x2)-
diffusion length(x2)
spacer width 应该只跟 spacer dielectric film的厚度有关系。越小node,我想应该
要越小
的spacer width吧,但具体怎么关系,应该跟工艺有关。
【在 H****E 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 想请教一下关于spacer width和gate length的关系,请问printed gate length减去 : etch和 : spacer width是就等于physical gate length吗?通常BSIM model中的XL(offset : length)指的主 : 要就是spacer width的影响吗?对于一个给定的technology node,spacer width是怎 : 么确定的 : 呢? : 谢谢!
|
H****E 发帖数: 444 | 4 不是,channel length其实是个工艺里没有的值,应该也没法测,更像是个model里用
的参数,
gate length就有很多,比如physical gate length,drawn gate length,printed什
么的,
spacer width我翻遍itrs不知道哪里有提到具体值的?
【在 E********n 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : gate length难道不是直channel length,不就是工艺指标吗? : space width 不是根据工艺有个最小值吗?
|
H****E 发帖数: 444 | 5 您说这个好像是effective channel length,但我还是特疑惑printed gate length到
底是哪一步
定义的呢,工艺搞得我很头晕啊……
【在 h*****n 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 我不是专家阿,我觉得应该是: : physical length = printed length - etch length(x2)+ spacer width (x2)- : diffusion length(x2) : spacer width 应该只跟 spacer dielectric film的厚度有关系。越小node,我想应该 : 要越小 : 的spacer width吧,但具体怎么关系,应该跟工艺有关。
|