H****E
发帖数: 444 | 1 想请教一下关于spacer width和gate length的关系，请问printed gate length减去
etch和
spacer width是就等于physical gate length吗？通常BSIM model中的XL(offset
length)指的主
要就是spacer width的影响吗？对于一个给定的technology node，spacer width是怎
么确定的
呢？
谢谢！ |
E********n
发帖数: 14662 | 2 gate length难道不是直channel length,不就是工艺指标吗？
space width 不是根据工艺有个最小值吗？ |
h*****n
发帖数: 49 | 3 我不是专家阿，我觉得应该是：
physical length = printed length - etch length(x2)+ spacer width (x2)-
diffusion length(x2)
spacer width 应该只跟 spacer dielectric film的厚度有关系。越小node，我想应该
要越小
的spacer width吧，但具体怎么关系，应该跟工艺有关。
【在 H****E 的大作中提到】
: 想请教一下关于spacer width和gate length的关系，请问printed gate length减去
: etch和
: spacer width是就等于physical gate length吗？通常BSIM model中的XL(offset
: length)指的主
: 要就是spacer width的影响吗？对于一个给定的technology node，spacer width是怎
: 么确定的
: 呢？
: 谢谢！
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H****E
发帖数: 444 | 4 不是，channel length其实是个工艺里没有的值，应该也没法测，更像是个model里用
的参数，
gate length就有很多，比如physical gate length，drawn gate length，printed什
么的，
spacer width我翻遍itrs不知道哪里有提到具体值的？
【在 E********n 的大作中提到】
: gate length难道不是直channel length,不就是工艺指标吗？
: space width 不是根据工艺有个最小值吗？
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H****E
发帖数: 444 | 5 您说这个好像是effective channel length，但我还是特疑惑printed gate length到
底是哪一步
定义的呢，工艺搞得我很头晕啊……
【在 h*****n 的大作中提到】
: 我不是专家阿，我觉得应该是：
: physical length = printed length - etch length(x2)+ spacer width (x2)-
: diffusion length(x2)
: spacer width 应该只跟 spacer dielectric film的厚度有关系。越小node，我想应该
: 要越小
: 的spacer width吧，但具体怎么关系，应该跟工艺有关。
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