q*******n
发帖数: 52 | 1 请教一个管子的状态:
vds 602.7m
vgs 602.7m
vth 636.3m
vgsteff 23.79m
vdsat 51.97m
请问:
1. Vgs
不是)
2. "vgsteff" 是不是指实际折算出来的"vgs-vth"?
3. "vdsat" 是不是指只要Vds大于这个值,管子就在saturation region?
课本上的公式: Vds > Vgs-Vth 不太够用了阿. |
i****e
发帖数: 170 | 2 3. 看看short channel model吧， Vdsat=(vgs-vth)*EcL/(Vgs-Vth+EcL).以.13工艺为
例, Ec=10^5，L=120nm，Vgs-Vth~200mV的话，Vdsat=150mV, if Vgs>Vth and Vds>
Vdsat, then the nmost is in saturation.
2,1 期待牛人回答。
1.感觉有时候是不是为了low power? |
ET
发帖数: 10701 | 3 1.正常，不多见。low voltage design会用到。对，swing大的确是个重要原因，gm/id
大也是一个原因。最大的缺点是影响speed. 因为current太小。
2. 应该是。即使你上面算出来的有些偏差。
3. vds> vgs-vth & vgs>vth是transistor working in the saturation的充分条件。
【在 q*******n 的大作中提到】
: 请教一个管子的状态:
: vds 602.7m
: vgs 602.7m
: vth 636.3m
: vgsteff 23.79m
: vdsat 51.97m
: 请问:
: 1. Vgs: 不是)
: 2. "vgsteff" 是不是指实际折算出来的"vgs-vth"?
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s*****o
发帖数: 22187 | 4 1.在low power应用里面比较多见，如果Id~10nA，一般都工作在subthreshold。还有时
如果matching不是很重要，OPAMP的input pair也可以工作在subthreshold以提高gain
。常见的IPTAT电路I=Vt*logM/R，也需要两个NMOS(1:M)工作在subthreshold，才能实
现以上电流关系。总的来说，当你需要用MOS来实现Id~Is*exp(Vg/Vt)的指数关系时，
可以让MOS工作在subthreshold。
【在 q*******n 的大作中提到】
: 请教一个管子的状态:
: vds 602.7m
: vgs 602.7m
: vth 636.3m
: vgsteff 23.79m
: vdsat 51.97m
: 请问:
: 1. Vgs: 不是)
: 2. "vgsteff" 是不是指实际折算出来的"vgs-vth"?
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c**e
发帖数: 5555 | 5 亚阈值，为了低功耗。比如为了降低LDO的standby current，reference current可能
只有10nA，这时电流镜的管子就是Vgs |
q*******n
发帖数: 52 | |
m****k
发帖数: 637 | 7 3 是因为短沟 过了Vds,sat就行 印象里研究过一次 哪里看的 |
