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EE版 - 你们说这是为啥
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投了2个月了,没啥好的进展,贴简历出来,大家提提意见 (转载)Re: HEMT/MODFET
有人用Silvaco模拟过InGaP和GaAs的junction么subthreshold slope <60mV/decade?
有人用过silvaco的TCAD吗Notre Dame Vs UCRiverside,大虾们给点建议
RF前端里面用的声表面滤波saw duplexer和GaAs HEMT RF switching哪个更有前途?III-nitride半导体前景怎么样?
谁有GaAs HBT nonlinear model 或design kit?大家觉得PhD搞LED有前途么?
用宽能带半导体做集成电路, 是省电, 还是费电?今天套了一EE教授,可是他做的方向我完全没概念。。。
MS求内推:semiconductor process engineer or product engineer or materials engineer版上有做化合物半导体材料的么?
请问关于InGaAs红外相机求审稿机会: semiconductor device方面的. III-V, II-VI都行
相关话题的讨论汇总
话题: resistance话题: 退火话题: sheet话题: auge话题: 金属
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1 (共1页)
w********o
发帖数: 10088
1
要做Hall, 用一个很简单的shadow mask(不锈钢片上面几个眼),放在GaAs HEMT样品
上(有n-type cap layer的),扔到evaporator里面deposit金属contact,拿出来
anneal以后,发现sheet resistance降了10倍。charge变大,mobility变小
表面很干净,只有四个角上有金属。你们说这是为什么,神马反应能让sheet
resistance降10倍?难道以前有10倍的dopant都没有激活?不可能啊
S****d
发帖数: 298
2
不懂,帮顶。都是低温下测的?杂质有没有扩散到深处去?

【在 w********o 的大作中提到】
: 要做Hall, 用一个很简单的shadow mask(不锈钢片上面几个眼),放在GaAs HEMT样品
: 上(有n-type cap layer的),扔到evaporator里面deposit金属contact,拿出来
: anneal以后,发现sheet resistance降了10倍。charge变大,mobility变小
: 表面很干净,只有四个角上有金属。你们说这是为什么,神马反应能让sheet
: resistance降10倍?难道以前有10倍的dopant都没有激活?不可能啊

g******u
发帖数: 3060
3
you just found a super-conductive material?
w********o
发帖数: 10088
4
不是。都是常温
就算扩散也出不来这个效果啊

【在 S****d 的大作中提到】
: 不懂,帮顶。都是低温下测的?杂质有没有扩散到深处去?
w********o
发帖数: 10088
5
下一步打算直接退火。然后做contact在表面。看看是不是退火的原因

【在 g******u 的大作中提到】
: you just found a super-conductive material?
e******g
发帖数: 461
6
你做的什么金属contact? AuGe?退火多少度?原来是n-type吧,doping多少?

【在 w********o 的大作中提到】
: 下一步打算直接退火。然后做contact在表面。看看是不是退火的原因
b*******h
发帖数: 2585
7
没有看懂,什么东西的SHEETRESISTANCE降了十倍?
r******o
发帖数: 1851
8
对,你的contact是什么金属,退火温度,时间,和气氛都很关键。有可能扩散或者反
w********o
发帖数: 10088
9
Auge ni au
400度退火
InGaAs channel
n-type. 1e13 量级dope

【在 e******g 的大作中提到】
: 你做的什么金属contact? AuGe?退火多少度?原来是n-type吧,doping多少?
w********o
发帖数: 10088
10
退火5分钟
N2气氛
你一说我想起来了。有次我用furnace退3分半,不太好。在退3分半就出现这种sheet
resistance降低的情况。AuGe能扩散的这么厉害?10mmx10mm的样品,contact在四个角上

【在 r******o 的大作中提到】
: 对,你的contact是什么金属,退火温度,时间,和气氛都很关键。有可能扩散或者反
: 应

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S****d
发帖数: 298
11
会不会是parallel conduction?

角上

【在 w********o 的大作中提到】
: 退火5分钟
: N2气氛
: 你一说我想起来了。有次我用furnace退3分半,不太好。在退3分半就出现这种sheet
: resistance降低的情况。AuGe能扩散的这么厉害?10mmx10mm的样品,contact在四个角上

w********o
发帖数: 10088
12
不大可能。衬底是绝缘的。表面干净,也用盐酸洗过了

【在 S****d 的大作中提到】
: 会不会是parallel conduction?
:
: 角上

H*****l
发帖数: 702
13
我赌SIMS可以看到Au

角上

【在 w********o 的大作中提到】
: 退火5分钟
: N2气氛
: 你一说我想起来了。有次我用furnace退3分半,不太好。在退3分半就出现这种sheet
: resistance降低的情况。AuGe能扩散的这么厉害?10mmx10mm的样品,contact在四个角上

w********o
发帖数: 10088
14
展开说说?

【在 H*****l 的大作中提到】
: 我赌SIMS可以看到Au
:
: 角上

H*****l
发帖数: 702
15
小硕士不懂science
感觉是这样XD

【在 w********o 的大作中提到】
: 展开说说?
w********o
发帖数: 10088
16
今天重新试了一下,deposit完金属,sheet resistance 就从85降到30了,anneal 1.5
分钟后,降到7。 见鬼了
n******g
发帖数: 536
17
基础研究啊。。。
e******g
发帖数: 461
18
AuGe may diffuse, try RTA in high Vac or Ar within 30s. Also if it's more
than
53% In InGaAs, you can use even lower temp. Send me a note if you want to
discuss in details, I may be able to help.

【在 w********o 的大作中提到】
: Auge ni au
: 400度退火
: InGaAs channel
: n-type. 1e13 量级dope

m*******e
发帖数: 639
19
在这问,还不如多拿两个样品用不同退火条件测试一下,用EDS看成分有何不同,多试
两次应该能摸出规律。

.5

【在 w********o 的大作中提到】
: 今天重新试了一下,deposit完金属,sheet resistance 就从85降到30了,anneal 1.5
: 分钟后,降到7。 见鬼了

w********o
发帖数: 10088
20
多谢多谢,我好想找到问题了。明天再做一轮,不对的话再找你请教!

【在 e******g 的大作中提到】
: AuGe may diffuse, try RTA in high Vac or Ar within 30s. Also if it's more
: than
: 53% In InGaAs, you can use even lower temp. Send me a note if you want to
: discuss in details, I may be able to help.

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今天套了一EE教授,可是他做的方向我完全没概念。。。谁帮我做做这个题,谢谢
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b*******h
发帖数: 2585
21
how was the RS measured? just two electrodes?

.5

【在 w********o 的大作中提到】
: 今天重新试了一下,deposit完金属,sheet resistance 就从85降到30了,anneal 1.5
: 分钟后,降到7。 见鬼了

z*******r
发帖数: 113
22
你没有deposit contact的时候,sheet resistance怎么测的?
四探针?
H*****l
发帖数: 702
23
Mercury Four Point Probe?

【在 z*******r 的大作中提到】
: 你没有deposit contact的时候,sheet resistance怎么测的?
: 四探针?

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求审稿机会: semiconductor device方面的. III-V, II-VI都行谁有GaAs HBT nonlinear model 或design kit?
谁帮我做做这个题,谢谢用宽能带半导体做集成电路, 是省电, 还是费电?
问一个micro fabrication 的问题!bow!!MS求内推:semiconductor process engineer or product engineer or materials engineer
请问有什么optimization变量是matrix的?请问关于InGaAs红外相机
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