a****q
发帖数: 1021 | 1 主要有些什么不同。
希望能听到完整全面专业的回答
有包子相送
多谢了 |
a****q
发帖数: 1021 | |
x***y
发帖数: 830 | 3
RF PDK对parasitics估算的更准一些。一般都经过silicon验证。RF PDK一般原件尺寸
限制
多，因为是bsim+parasitcs拟合。
【在 a****q 的大作中提到】
: 主要有些什么不同。
: 希望能听到完整全面专业的回答
: 有包子相送
: 多谢了
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m*****t
发帖数: 3477 | 4 主要区别在于device model本身。RF model要求更精确的parasitic RLC一般要用s-
parameter analysis来做extraction。对于FET的gate resistance，noise,，sub-R-
net等方面比较侧重。很多特制器件(inductor,varactor etc）model不scalable,一般采
用macro-model。如果RF device是III-V的，那么有专用的model来表征。
通用的analog/mixed-signal model注重基本DC，CV特征。对matching,monte-carlo，
leakage，tempCO及device linearity等feature要求高。Model一般采用compact(HV的
除外)，大多scalable。一般model corner会wider（比digital窄），便于IP reuse.
PDK本身自然也有差别，design rule, pcell spacing等等。
charaterization上其实区别可能最大，不是几句话能说清楚的。
如果你是PDK developer需要比较细致的了解。如果你是designer，应该不会感受到太
大区别。都是拉个symbol出来画schematic做simulation。当然有些RF geek自己用
device generator做inductor之类的自己用，跳过design technology team，which we
do not recommend for compatibility concern.
【在 a****q 的大作中提到】
: 主要有些什么不同。
: 希望能听到完整全面专业的回答
: 有包子相送
: 多谢了
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a****q
发帖数: 1021 | 5 多谢， 感觉你是做RF方面的 device modelling 的吗？
会不会DEVICE方面 对高频方面的特性也许抽取的不一样？
还有对电阻之类的 到高频特性应该也不一样？
说实话 这是一个面试题
我是RFIC DESINGER
般采
【在 m*****t 的大作中提到】
: 主要区别在于device model本身。RF model要求更精确的parasitic RLC一般要用s-
: parameter analysis来做extraction。对于FET的gate resistance，noise,，sub-R-
: net等方面比较侧重。很多特制器件(inductor,varactor etc）model不scalable,一般采
: 用macro-model。如果RF device是III-V的，那么有专用的model来表征。
: 通用的analog/mixed-signal model注重基本DC，CV特征。对matching,monte-carlo，
: leakage，tempCO及device linearity等feature要求高。Model一般采用compact(HV的
: 除外)，大多scalable。一般model corner会wider（比digital窄），便于IP reuse.
: PDK本身自然也有差别，design rule, pcell spacing等等。
: charaterization上其实区别可能最大，不是几句话能说清楚的。
: 如果你是PDK developer需要比较细致的了解。如果你是designer，应该不会感受到太
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H***F
发帖数: 2501 | 6 你都RFIC designer了这还用问？
多谢， 感觉你是做RF方面的 device modelling 的吗？
会不会DEVICE方面 对高频方面的特性也许抽取的不一样？
还有对电阻之类的 到高频特性应该也不一样？
说实话 这是一个面试题
我是RFIC DESINGER
般采
【在 a****q 的大作中提到】
: 多谢， 感觉你是做RF方面的 device modelling 的吗？
: 会不会DEVICE方面 对高频方面的特性也许抽取的不一样？
: 还有对电阻之类的 到高频特性应该也不一样？
: 说实话 这是一个面试题
: 我是RFIC DESINGER
:
: 般采
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a****q
发帖数: 1021 | 7 就跟前面说的一样
我只是用MODEL
平时很少注意MODEL的东西啊
PDK的问题你知道些也就可以了
人家面试的不一定就要你很专业回答
但还是想知道最专业最全面的回答应该是什么样的
【在 H***F 的大作中提到】
: 你都RFIC designer了这还用问？
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: 多谢， 感觉你是做RF方面的 device modelling 的吗？
: 会不会DEVICE方面 对高频方面的特性也许抽取的不一样？
: 还有对电阻之类的 到高频特性应该也不一样？
: 说实话 这是一个面试题
: 我是RFIC DESINGER
: 般采
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