b********d
发帖数: 720 | 1 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
model
不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
。只好借助网络资源了
先谢了 |
b*******r
发帖数: 1130 | 2 不懂瞎说
假设你有不同size或者厚度的介质，你可以估算他们的电容比
另外假设contact capacitance对于每个电容都是固定的
这样你可以通过测试不同的电容把metal contact的效应去掉吧 |
a*******i
发帖数: 11664 | 3 是high-k么？
a
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
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b********d
发帖数: 720 | 4 是的
我现在是这样design的，不过问问有没有别的方法
没有就老方法做
不是老板的东西，自己瞎琢磨的东西。
强调下这个，因为如果是老师的idea我就不会上网讨论的，回头被别人做了就是泄密了
【在 b*******r 的大作中提到】
: 不懂瞎说
: 假设你有不同size或者厚度的介质，你可以估算他们的电容比
: 另外假设contact capacitance对于每个电容都是固定的
: 这样你可以通过测试不同的电容把metal contact的效应去掉吧
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b********d
发帖数: 720 | 5 不是
普通的k，薄膜，big-C
【在 a*******i 的大作中提到】
: 是high-k么？
:
: a
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a*******i
发帖数: 11664 | 6 anyway你的leakage都不会小了吧，contact resistance 建模吧
还是不知道你想干嘛
【在 b********d 的大作中提到】
: 不是
: 普通的k，薄膜，big-C
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g********S
发帖数: 246 | 7 Please google the following 2 keywords, maybe they will help
1. fast IV capacitance method
2. Time dependent Reflection
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
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w********o
发帖数: 10088 | 8 你为啥不能把film弄厚点，测完了做个scaling
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
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b********d
发帖数: 720 | 9 Leakage未必大，看材料
你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
predict了。我就是在这里随便挖挖玩
以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
【在 a*******i 的大作中提到】
: anyway你的leakage都不会小了吧，contact resistance 建模吧
: 还是不知道你想干嘛
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b********d
发帖数: 720 | 10 thanks for the tips
【在 g********S 的大作中提到】
: Please google the following 2 keywords, maybe they will help
: 1. fast IV capacitance method
: 2. Time dependent Reflection
:
: a
: 讨论
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b********d
发帖数: 720 | 11 如果能保证gate leakage and breakdown没有问题，薄了肯定好啊，C大，device容易
turn on啊，low power FET application
所以理论指导寻找leakage和capacitance的平衡点很重要
当然，我的想法还很幼稚的，我随便想想的，还没有想通
【在 w********o 的大作中提到】
: 你为啥不能把film弄厚点，测完了做个scaling
:
: a
: 讨论
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w********o
发帖数: 10088 | 12 我的意思是你要低leakage测capacitance，就弄厚点，测了以后，用厚度scale一下，
薄的capacitance就出来了
你要从device方面看，那就直接去做个fet，测rf然后做fitting就是了，怎么也能把那
film的capacitance弄出来啊
【在 b********d 的大作中提到】
: 如果能保证gate leakage and breakdown没有问题，薄了肯定好啊，C大，device容易
: turn on啊，low power FET application
: 所以理论指导寻找leakage和capacitance的平衡点很重要
: 当然，我的想法还很幼稚的，我随便想想的，还没有想通
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w********o
发帖数: 10088 | 13 弄厚点用ellipsometry也行啊，反正你只要知道dielectric constant就行了
a
讨论
【在 b********d 的大作中提到】
: 除了MIS measurement,还有什么实验手段可以测 thin film(1-5nm)的capacitance
: 最好是外界带入影响小的实验手段，因为我需要build一个数学模型
: MIS setup里面metal contact也会贡献capacitance进去，影响我从实验结果derive a
: model
: 不好意思，我老是来问问题，找工作问题，学术问题，实在是很烦大家。实在是自己想
: 好久也想不出来，我们系我是唯一一个做半导体方向的，老板也不懂，实在没人可以讨论
: 。只好借助网络资源了
: 先谢了
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w********o
发帖数: 10088 | 14 这个东西计算可能还是没戏
同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
【在 b********d 的大作中提到】
: Leakage未必大，看材料
: 你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
: 其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
: 因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
: predict了。我就是在这里随便挖挖玩
: 以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
: 识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
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w********o
发帖数: 10088 | 15 这个东西计算可能还是没戏
同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
【在 b********d 的大作中提到】
: Leakage未必大，看材料
: 你看看这篇文献：PNAS,2005,102,4678
: 其实我想的东西也很简单，就是类似解决这篇文献里的电路模型问题，从化学角度挖，
: 因为dielectric跟polarizability，dipole moment有关系。弄清楚了就可以直接算来
: predict了。我就是在这里随便挖挖玩
: 以后做学术的机会可能也不一定有了，写paper无聊了就结合这几个月恶补的半导体知
: 识想想以前看过的没明白的东东，一边巩固半导体一边强化本行知识～
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b********d
发帖数: 720 | 16 理科的思维就是希望弄懂为什么＂不同条件小deposit,dielectric constant不一样＂？
本质的原因肯定还是结构和分子作用力导致的
【在 w********o 的大作中提到】
: 这个东西计算可能还是没戏
: 同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
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b********d
发帖数: 720 | 17 不是
我的思路是根据film的形成方式推断这种作用力对dielectric的影响（比如那篇paper
里两层界面间的dielectric怎样的，没人解决这个问题），如果我有一个从dipole
moment层面推理出来的合理的capacitance假设，剩下的就是通过实验验证我的假设
所以我就想有没有更多的带入外界作用小的测C的实验手法
如果你把形成dielectric的机理高清楚了，为什么不能理论计算呢？
比如那篇文章里，如果我弄懂了两层之间的dielectric公式，我就完全可以算更多的分
子，不需要一个一个地试，回头你想要多大的C我就可以给你相应的molecule
candidate，不是很好麽？
【在 w********o 的大作中提到】
: 弄厚点用ellipsometry也行啊，反正你只要知道dielectric constant就行了
:
: a
: 讨论
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l********0
发帖数: 372 | 18 有道理。这就是理论和应用的差异。
其实现在我们更倾向于说permittivity，而不是dielectric constant，因为介电率并
不是一个constant，它随温、湿度，电压，气压等条件变化。dielectric constant只
是一个历史习惯称呼。
以SiN为例，不同条件下得到的只是Si(x)N(y), x，y随制备条件的变化而变化，所得到
的产物的permittivity当然也不同。其实对材料而言，是没有perefect，纯净的。还以
Si3N4为例，如果用PECVD生成，即使你设计了完美前驱物比例，在气象前驱物混合之初
和depostion快结束的不同阶段肯定生成物的defects的种类和数目都不同，其产物的
permittivity就会不同 -- 实际上最终所得产物是由各个permittivity不同的产物层叠
加而成。
想实际测量1-5nm的thin film的capacitance还是有办法的，如果你再有defects的种类
和数量的数据，你就可以建立模型了。如果想模拟纯净材料的permittivity，可以从分
子结构，电负性进行计算，这都有现成的模型。permittivity的模拟计算比dielectric
loss有例可循多了。
interfacial zone的permittivity也有一些试验模型，一般是根据不同的作用力来用不
同的模型。
我觉得brightmood的思路很好，“如果我弄懂了两层之间的dielectric公式，我就完全
可以算更多的分
子，不需要一个一个地试，回头你想要多大的C我就可以给你相应的molecule
candidate，不是很好麽？”，确实很有用。就是需要大量的数据来支持建立这个通用
模型。
【在 w********o 的大作中提到】
: 这个东西计算可能还是没戏
: 同一个SiN在不同条件下面deposit的，dielectric constant都可以不一样
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b********d
发帖数: 720 | 19 听起来你是permittivity这一块的专家呀~~~
对于我的特定的化学作用形成的mixed dielectrics,现在其实已经有一些solution
phase的mixed dielectric research work了，不过film的interface层的这个问题还没
怎么研究
我想弄清楚固相mixed dielectric的interface问题
很多问题真的是你不想就还好，想起来都是一堆问号，一团乱麻
我现在在博士收尾阶段，每天都是在写各种document,paper，做各种总结工作，所以真
的是天天都有问号，好多问号啊
虽然很多问题其实我也不需要解决和弄懂，比如这个dielectrics的问题，我肯定不会
在defense的时候被问到的，因为我的phd课题是半导体的光电性质，不是压电性质.所
以我可以不用想很多的，不过我看半导体书的时候结合我之前做过的一个小东西想到这
个问题了，然后就想一想，上网讨论一讨论，反正上网看八卦也是看，讨论问题学点以
后可能也有用处的知识也是看，那就想到啥了就来讨论一下吧 哈哈
【在 l********0 的大作中提到】
: 有道理。这就是理论和应用的差异。
: 其实现在我们更倾向于说permittivity，而不是dielectric constant，因为介电率并
: 不是一个constant，它随温、湿度，电压，气压等条件变化。dielectric constant只
: 是一个历史习惯称呼。
: 以SiN为例，不同条件下得到的只是Si(x)N(y), x，y随制备条件的变化而变化，所得到
: 的产物的permittivity当然也不同。其实对材料而言，是没有perefect，纯净的。还以
: Si3N4为例，如果用PECVD生成，即使你设计了完美前驱物比例，在气象前驱物混合之初
: 和depostion快结束的不同阶段肯定生成物的defects的种类和数目都不同，其产物的
: permittivity就会不同 -- 实际上最终所得产物是由各个permittivity不同的产物层叠
: 加而成。
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b********d
发帖数: 720 | 20 你们不要觉得我烦啊：）
我知道女人讨论学术或者跟人argue问题很容易让人反感的，不过女师太不是女人，是
第三人类，所以也可以稍稍学术一下：）
【在 b********d 的大作中提到】
: 听起来你是permittivity这一块的专家呀~~~
: 对于我的特定的化学作用形成的mixed dielectrics,现在其实已经有一些solution
: phase的mixed dielectric research work了，不过film的interface层的这个问题还没
: 怎么研究
: 我想弄清楚固相mixed dielectric的interface问题
: 很多问题真的是你不想就还好，想起来都是一堆问号，一团乱麻
: 我现在在博士收尾阶段，每天都是在写各种document,paper，做各种总结工作，所以真
: 的是天天都有问号，好多问号啊
: 虽然很多问题其实我也不需要解决和弄懂，比如这个dielectrics的问题，我肯定不会
: 在defense的时候被问到的，因为我的phd课题是半导体的光电性质，不是压电性质.所
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