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JLU版 - 高鼎三先生生平
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著名半导体物理学家高鼎三院士逝世
我国半导体科学事业开拓者之一,著名半导体物理学家、教育家,中国工程院资深院
士,吉林大学教授、博士生指导教师、电子科学与工程学院名誉院长高鼎三先生,因病医
治无效,于2002年6月13日20时42分逝世,享年88岁。
高鼎三先生1914年生于上海,1941年毕业于西南联大物理系,1947年赴美国加利福尼
亚大学深造,1953年任美国国际整流器公司研究员,1955年回国到吉林大学物理系任教。
1959年领导创建了当时国内高校惟一的半导体系并担任系主任工作。1977年晋升为教授,
1981年被国务院学位委员会遴选为我国第一批博士生导师。曾任吉林大学物理系副主任、
电子工程系(原半导体系)系主任、电子工程系名誉系主任、集成光电子学国家重点联合
实验室学术委员会主任。
高鼎三先生为我国电子科学事业的发展做出了巨大贡献。1956年在我国首次研制成锗
大功率整流器、锗点接触二极管,成为我国现代半导体器件研究的开端。而后又研制成锗
三极管及锗光电二极管;较早地开展了热敏电阻、隧道二极管的研究。60年代又开展GaA
s激光器、大功率晶闸管的研制工作,使同质结激光器实现
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