t******t
发帖数: 15246 | 1 现在32nm,无论如何，到10nm以下应该有量子效应了吧 |
t*******y
发帖数: 21396 | |
K*******i
发帖数: 631 | 3 Nanoimprint lithography
Double patterning lithography
【在 t******t 的大作中提到】
: 现在32nm,无论如何，到10nm以下应该有量子效应了吧
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s**r
发帖数: 6678 | 4 NIL够呛。
【在 K*******i 的大作中提到】
: Nanoimprint lithography
: Double patterning lithography
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c*********5
发帖数: 5813 | 5 EUV啊，用其他材料代替Si啊，你去看看roadmap就知道了 |
t******t
发帖数: 15246 | 6 哪里有的看
【在 c*********5 的大作中提到】
: EUV啊，用其他材料代替Si啊，你去看看roadmap就知道了
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E*U
发帖数: 2028 | 7 你也知道EUV阿
【在 c*********5 的大作中提到】
: EUV啊，用其他材料代替Si啊，你去看看roadmap就知道了
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c*********5
发帖数: 5813 | 8 ITRS roadmap啊
【在 t******t 的大作中提到】
: 哪里有的看
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c*********5
发帖数: 5813 | 9 Extreme ultraviolet lithography 很多fab都在搞吧，比E-beam lithography还没前途
【在 E*U 的大作中提到】
: 你也知道EUV阿
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t******t
发帖数: 15246 | 10 关键不是做出来的问题，是做出来，可能输运性质也不是大样品那么简单啊。
前途
【在 c*********5 的大作中提到】
: Extreme ultraviolet lithography 很多fab都在搞吧，比E-beam lithography还没前途
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K*******i
发帖数: 631 | 11 比EUV靠谱儿
【在 s**r 的大作中提到】
: NIL够呛。
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t******t
发帖数: 15246 | 12 E-BEAM不是已经是成熟技术了么
前途
【在 c*********5 的大作中提到】
: Extreme ultraviolet lithography 很多fab都在搞吧，比E-beam lithography还没前途
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K*******i
发帖数: 631 | 13 慢，刻mask还行，不能量产
【在 t******t 的大作中提到】
: E-BEAM不是已经是成熟技术了么
:
: 前途
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t*******y
发帖数: 21396 | 14 说了那么半天都是Lithography的方法，没提怎么克服量子效应啊
【在 t******t 的大作中提到】
: 关键不是做出来的问题，是做出来，可能输运性质也不是大样品那么简单啊。
:
: 前途
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s******p
发帖数: 4962 | 15 什么量子效应？
【在 t*******y 的大作中提到】
: 说了那么半天都是Lithography的方法，没提怎么克服量子效应啊
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t*******y
发帖数: 21396 | 16 1和0咋确定
漏电
【在 s******p 的大作中提到】
: 什么量子效应？
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s******p
发帖数: 4962 | 17 什么叫1和0怎么确定？
【在 t*******y 的大作中提到】
: 1和0咋确定
: 漏电
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t*******y
发帖数: 21396 | 18 主要还是漏电
【在 s******p 的大作中提到】
: 什么叫1和0怎么确定？
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s******p
发帖数: 4962 | 19 从哪到哪的漏电？
【在 t*******y 的大作中提到】
: 主要还是漏电
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K*******i
发帖数: 631 | 20 channel和gate之间的量子效应可以用high-k，把介电层搞厚，Intel已经这么搞了
【在 t*******y 的大作中提到】
: 说了那么半天都是Lithography的方法，没提怎么克服量子效应啊
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t*******y
发帖数: 21396 | 21 用上high K，如果没其他重要突破，可以做到多少纳米？
【在 K*******i 的大作中提到】
: channel和gate之间的量子效应可以用high-k，把介电层搞厚，Intel已经这么搞了
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c*********5
发帖数: 5813 | 22 IBM还用airgap 作low-k 材料
【在 K*******i 的大作中提到】
: channel和gate之间的量子效应可以用high-k，把介电层搞厚，Intel已经这么搞了
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s****c
发帖数: 11300 | 23 这个东西只是fab的一个指标 其他还有很多可以改进的地方 单单是一个漏电就够研究
的了
而且光器件还刚刚进实验室 摩尔定律还能再撑一阵子 |
t*******y
发帖数: 21396 | 24 光电上硅片主要是做高速总线用的吧？
【在 s****c 的大作中提到】
: 这个东西只是fab的一个指标 其他还有很多可以改进的地方 单单是一个漏电就够研究
: 的了
: 而且光器件还刚刚进实验室 摩尔定律还能再撑一阵子
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K*******i
发帖数: 631 | 25 不知道，制约因素太多,high-k只能解决channel和gate之间的问题
【在 t*******y 的大作中提到】
: 用上high K，如果没其他重要突破，可以做到多少纳米？
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G******d
发帖数: 194 | 26 量子效应是没法避免的，基本上5nm左右量子隧穿就非常明显了，跟drift-diffusion一
个量级了 |
c*********5
发帖数: 5813 | 27 以后的技术就是要利这个量子效应，比如light waveguide, 直接光子传导，根本就不
需要Si
【在 G******d 的大作中提到】
: 量子效应是没法避免的，基本上5nm左右量子隧穿就非常明显了，跟drift-diffusion一
: 个量级了
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l*****i
发帖数: 20533 | 28 什么光子？
【在 c*********5 的大作中提到】
: 以后的技术就是要利这个量子效应，比如light waveguide, 直接光子传导，根本就不
: 需要Si
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l******i
发帖数: 104 | |
l******i
发帖数: 104 | |
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t*******y
发帖数: 21396 | 31 传光只要微米级线宽就可以了啊，根本没必要上纳米啊
【在 c*********5 的大作中提到】
: 以后的技术就是要利这个量子效应，比如light waveguide, 直接光子传导，根本就不
: 需要Si
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