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Military版 - 北方微电子高密度等离子刻蚀机中标国家集成电路先导工艺研发项目
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在22纳米距离上追赶英特尔光刻机领域中国接近世界先进水平,9nm线宽光刻实现突破
进军2nm工艺 中科院研发世界首个自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管国产集成电路装备
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相关话题的讨论汇总
话题: 工艺话题: 刻蚀话题: 集成电路话题: 先导话题: 微电子
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近日,北方微电子高密度等离子刻蚀机中标国家集成电路先导工艺研发项目,进入先导
工艺研发中心从事32-22nm先进栅极刻蚀技术的开发。北方微电子高密度等离子刻蚀机
作为我国首台具有自主知识产权的国产高端半导体工艺设备,自进入中芯国际、上海华
虹NEC、上海宏力半导体等国内大生产线以来,通过以客户为导向的工艺技术开发和软
硬件改进,已积累了十余种工艺的量产经验,获得客户多方面的肯定和好评。
承担国家集成电路先导工艺研发项目的中国科学院微电子研究所,是我国集成电路前沿
研究领域的中坚力量,在CMOS器件成套工艺,MEMS制造技术和器件应用等方面做出了多
项代表国家集成电路工艺研究水平的成果。
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大国重器我看都不用看芯片的最后就这这两样
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