我国第一款自主知识产权相变存储器芯片研制成功 - Military版

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Military版 - 我国第一款自主知识产权相变存储器芯片研制成功

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新华网上海４月１７日电（沈从乐、罗争光）记者１７日从中国科学院上海微系统与信
息技术研究所获悉，我国第一款具有自主知识产权的相变存储器（ＰＣＲＡＭ）芯片研
制成功，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。
据专家介绍，相比于传统存储器利用电荷形式进行存储，相变存储器主要利用可逆
相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储，被称为是“操纵原子排列而实现存储”
的新型存储器。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、ＰＣＲＡＭ研究项目负责人宋志
棠表示，ＰＣＲＡＭ相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的ＤＲＡＭ、
ＳＲＡＭ和ＦＬＡＳＨ等存储器的优良特性，而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循
环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势，被认为是下一代非挥发存储技术的最佳
解决方案之一。
目前，英特尔、美光、三星等国际知名半导体公司均在ＰＣＲＡＭ产业化进程中取
得有效进展，其中美光有多款替代ＮＯＲ　ＦＬＡＳＨ的产品，三星已研制出最大容量
为５１２Ｍｂ的ＰＣＲＡＭ试验芯片，并投入量产，在手机存储卡中开始应用。
上海微系统与信息技术研究所已制成的ＰＣＲＡＭ试验芯片存储容量为８Ｍｂ，在
８英寸硅片上的每一块存储芯片，存储单元成品率达９９％以上。经语音演示，已证实
该芯片可实现读、写、擦的存储器全部功能。截至２０１０年底，该款ＰＣＲＡＭ相变
存储器已经获得５０多项发明专利授权，１５０多项专利公开，相关专利分布涵盖从材
料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。专家表示，此款ＰＣＲＡＭ芯片将可
取代ＮＯＲ　ＦＬＡＳＨ等传统存储器，广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型
电子产品中。
宋志棠介绍说，我国半导体存储器市场规模目前已接近１８００亿元，但由于长期
缺乏具有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极为高昂。“ＰＣＲＡＭ相变
存储器自主研制成功，使我国的存储器芯片生产真正摆脱国外的技术垄断。”他表示，
该款ＰＣＲＡＭ相变存储器预计将于今年年内投入量产，“我们计划在１０年内，将中
国的存储器自给率提高到６０％。”
责任编辑：张爽

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