f***y
发帖数: 4447 | 1 目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻
变式存储器）。2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。
其中，中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。近日，两者合作的结晶终于诞
生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。
据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，
写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具
备结构简单、易于制造等优点。
另外，按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。
http://laoyaoba.com/ss6/html/76/n-626176.html |
b********n
发帖数: 38600 | |
g***n
发帖数: 14250 | 3 这个多钱，感觉吹牛的成分很大啊。
真量产的话，现在的内存，ssd，硬盘还卖个鸡毛啊 |
a***e
发帖数: 27968 | 4 尽他妈瞎扯，读取写入耐久都是和flash比的
ReRAM又不是啥新东西
【在 f***y 的大作中提到】
: 目前在下一代存储芯片的研发当中，除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片（非易失性阻
: 变式存储器）。2016年3月，Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作，发力中国市场。
: 其中，中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。近日，两者合作的结晶终于诞
: 生，中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。
: 据介绍，这种芯片比NAND芯片性能更强，密度比DRAM内存高40倍，读取速度快100倍，
: 写入速度快1000倍，耐久度高1000倍，单芯片（200mm2左右）即可实现TB级存储，还具
: 备结构简单、易于制造等优点。
: 另外，按计划更先进的28nm工艺ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。
: http://laoyaoba.com/ss6/html/76/n-626176.html
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g***n
发帖数: 14250 | 5 那也能替代 ssd 和硬盘了，关键是卖多钱
【在 a***e 的大作中提到】
: 尽他妈瞎扯，读取写入耐久都是和flash比的
: ReRAM又不是啥新东西
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y**h
发帖数: 3093 | 6 这种专利公司最好忽悠的就是饥不择食的中国政府了
之前那个武汉还是合肥说要17年量产3D NAND的公司量产了吗 |
a***e
发帖数: 27968 | 7 这个还真有可能，就是32层已经快不顶事了
这几年下来技术路线都摸差不多了
【在 y**h 的大作中提到】
: 这种专利公司最好忽悠的就是饥不择食的中国政府了
: 之前那个武汉还是合肥说要17年量产3D NAND的公司量产了吗
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a***e
发帖数: 27968 | 8 贵就一个字，这东西目标是插在DRAM和SSD之间，开始贵个5X是必须的
不过这年头家用16GB DRAM小意思，没有256GB不好使换，基本就是SSD的节奏了
DRAM现在还是$5/GB，SSD是$0.5/GB,插个1.5/GB的可能有戏，这样的话估计就是64GB起
步了
那也能替代 ssd 和硬盘了，关键是卖多钱
【在 g***n 的大作中提到】
: 那也能替代 ssd 和硬盘了，关键是卖多钱
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w*****7
发帖数: 4847 | 9 武汉，差不多了吧。
前面不是有新闻？
【在 y**h 的大作中提到】
: 这种专利公司最好忽悠的就是饥不择食的中国政府了
: 之前那个武汉还是合肥说要17年量产3D NAND的公司量产了吗
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