长鑫存储内存芯片自主制造项目投产 - Military版

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Military版 - 长鑫存储内存芯片自主制造项目投产

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20日在安徽合肥召开的2019世界制造业大会上，总投资约1500亿元的长鑫存储内存芯片
自主制造项目宣布投产，其与国际主流DRAM产品同步的10纳米级第一代8Gb DDR4首度亮
相，一期设计产能每月12万片晶圆。
该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥
市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安
徽省单体投资最大的工业项目。目前，项目已通过层层评审，并获得工信部旗下检测机
构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
国家重大专项01专项专家组组长、清华大学微电子所所长魏少军，国家重大专项01专项
专家组专家、中国科学技术大学特聘教授陈军宁等业内权威专家表示，这标志我国在内
存芯片领域实现量产技术突破，拥有了这一关键战略性元器件的自主产能。

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