中芯CEO梁孟松博士表示今年Q4季度小规模生产7nm - Military版 - 未名存档

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y****1 发帖数: 671	1 根据中芯国际联席CEO梁孟松博士所示，N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。 N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，区别在于性能及成本，N+2显然是面向高性能的，成本也会增加。至于备受关注的EUV光刻机，梁孟松表示在当前的环境下，N+1、N+2代工艺都不会使用 EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2工艺可能会有几层光罩使用EUV，之后的工艺才会大规模转向EUV光刻工艺。现在最关键的是中芯国际的7nm何时量产，最新消息称中芯国际的N+1 FinFET工艺已经有客户导入了（不过没公布客户名单），今年Q4季度小规模生产
m****d 发帖数: 1	2 小规模，有利于打磨，可以精益求精
y****1 发帖数: 671	3 除了台积电和三星，都基本放弃7nm了。中芯追的很快，这还是美国联手一帮人卡脖子的状态下完成的。

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