台积电3奈米卡关原因！ - Military版 - 未名存档

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Military版 - 台积电3奈米卡关原因！

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n********t 发帖数: 21	1 http://www.youtube.com/watch?v=0MGBkl-NEZc
f***y 发帖数: 4447	2 三纳米到头了
I****e 发帖数: 7742	3 曲波这个半吊子没有euv litho研发经验 euv光刻量子随机效应的工艺说法还停留在十年前的阶段现在euv的stochastic effect 已经通过改进光阻材料和光阻后期处理技术给绕过去了。基本不存在光刻瓶颈问题。 3nm 的cpp 才18nm，没那么夸张【在 n********t 的大作中提到】 : http://www.youtube.com/watch?v=0MGBkl-NEZc
n********t 发帖数: 21	4 半导体业内人士？【在 I****e 的大作中提到】 : 曲波这个半吊子没有euv litho研发经验 : euv光刻量子随机效应的工艺说法还停留在十年前的阶段 : 现在euv的stochastic effect 已经通过改进光阻材料和光阻后期处理技术给绕过去了 : 。基本不存在光刻瓶颈问题。 3nm 的cpp 才18nm，没那么夸张
I****e 发帖数: 7742	5 他不算业内人士，最起码不算研发一线，很多知识点都已经落后了连spie paper都不follow，很多内容是人云亦云。今年有很多paper是给出来怎么解euv的stochastic effect的有些已经商用化了【在 n********t 的大作中提到】 : 半导体业内人士？
k*****k 发帖数: 1	6 3nm静态功耗肯定超高，不漏电才怪

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