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Military版 - 中科院上海微系统所 Science：非易失性相变存储器

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f***y
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http://www.cailiaoniu.com/230690.html
中科院上海微系统所 Science：非易失性相变存储器
木文韬 2小时前 65浏览
【引言】
非易失性相变存储器已经成功地商业化，但要进一步将密度缩小到10 nm以下，需要为
存储单元和相关的垂直堆叠的双端访问开关在成分和结构上均质的材料。选择器开关主
要是非晶硫族化物Ovonic阈值开关(OTSs)，在非晶状态下，其工作时的非线性电流响应
高于阈值电压。然而，它们目前由于所使用的第四系或更多样化的硫族化合物所带来的
化学复杂性而受到影响。
【成果简介】
今日，在中国科学院上海微系统与信息技术研究所朱敏研究员和宋志棠研究员团队等人
带领下，提出了一种单元素碲（Te）易失性开关，具有较大的驱动电流密度（≥11兆安
培/平方厘米），~103开/关电流比，超过20纳秒的开关速度。低OFF电流是由于Te电极
界面上存在~0.95电子伏肖特基势垒而产生的，而纯Te的瞬态电压脉冲诱导晶液熔融转
变则导致高ON电流。研究发现的单元素电子开关可能有助于实现更密集的存储芯片。相
关成果以题为“Elemental electrical switch enabling phase segregation–free
operation”发表在了Science。

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