请教一个UPS的问题 - NanoST版

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NanoST版 - 请教一个UPS的问题

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绝缘体上（sapphire）涨了导电的膜（100nm），想测UPS信号，看Valence Band的结构以
及费米能级位置和功函数。但是因为表面膜一直不能与绑线有良好接触，致使plate和
膜的电阻为无穷
大，导致UPS一直没有信号。讲样品从真空腔里取出，动一动绑线确认plate和表层膜很
好接触了（电阻
不是无穷大),再放回真空腔里，有信号并且正确的。
现在的问题是，如何在用MBE长样品的时候就能确保有良好接触，不需要将样品取出就
可以
有UPS信号。尝试了绑线与样品之间夹一层金属片，但是因为shadow掉了，没用。
大牛给些建议吧，不想用doped的substrate

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