O*A
发帖数: 78 | 1 【 以下文字转载自 EE 讨论区 】
发信人: OSA (Opt Soc Am), 信区: EE
标 题: 请问硅上面做电极
发信站: BBS 未名空间站 (Mon Aug 16 08:03:39 2010, 美东)
在硅上蒸发沉积铝做电极，2个分离的pad，没有退火，焊接Pt wire之后测IV曲线，是
线性，但是电阻比预期的大，有几个问题问问，谢谢。
（1）用5% HF 泡过之后, 又用去离子水冲洗过，到放进chamber，起码有半个小时暴露
在空气中(所有过程都不在clean room)，不知道native oxide有多少影响？
(2) HF 之后水洗是否必要，另外， 用HF 与 用NH4F+HF有没有本质区别？
(3) 铝膜的质量。SEM 观察，上面的铝颗粒很大，直接200－500nm不等，不连续。底下
的颗粒小一些。不知道是否正常。用的是ebeam source (not ebeam gun), 比较老的机
器。速率0.2nm/s, 时间2小时以上，不知样品温度(蒸发源通过辐射对样品加热)。
(4) 用磁控溅射沉积电极是否会破坏样品表面(表面有~300 nm的扩散层)，跟 | f***r
发帖数: 344 | | s******y
发帖数: 92 | 3 Au, In, Ga/In 电阻最小的用Au
sputter是有可能损坏样品表面，相比之下evaporator要好些。
但真要看你的多critical了，要看你啥要求了。 | l*******n
发帖数: 14 | 4 （1）半个小时native oxide影响不大；
（2）HF处理之后要水洗；用HF和BOE差别不大；
（3）颗粒这么大？膜厚多少啊？我感觉很不正常；
（4）sputter产生的膜比较conformal，可能lift-off会困难一些。。。 |
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