x*******2
发帖数: 5333 | 1 CVD生长最低得多少度啊？ 如果是copper particle，能不能包起来？还是非要foil呢
？ |
x***7
发帖数: 85 | 2 在900度到1000度吧。。
做particle上的有啥用呢？
particle太小变成富勒烯了。
太大了又有何意义？况且上百纳米的球状的碳层早都有了。 |
x*******2
发帖数: 5333 | 3 昨天看到一个文章说只用350度，做在mgo。
如果做成fullerene也成啊
【在 x***7 的大作中提到】
: 在900度到1000度吧。。
: 做particle上的有啥用呢？
: particle太小变成富勒烯了。
: 太大了又有何意义？况且上百纳米的球状的碳层早都有了。
|
m******a
发帖数: 154 | 4 搭车问
Cu上面CVD长Graphene的技巧
【在 x*******2 的大作中提到】
: 昨天看到一个文章说只用350度，做在mgo。
: 如果做成fullerene也成啊
|
x*******2
发帖数: 5333 | 5 i thought u knew it
【在 m******a 的大作中提到】
: 搭车问
: Cu上面CVD长Graphene的技巧
|
x***7
发帖数: 85 | 6 做在不同表面上基本都是一样的。
350度的石墨化程度非常很令人担忧。。
或许他又高温退火了。 |
x*******2
发帖数: 5333 | 7 另外一个问题就是为什么copper的thickness要怎么厚啊？ 至少都是100nm以上。如果
只是要利用low solubility的话，为啥薄了就不行了？ |
c**y
发帖数: 99 | 8 薄了就不是薄膜，都成particle了，不能长出连续的film
我奇怪的是既然carbon在Cu里面 solubility 这么低，为何还可以作为催化剂长
graphene?
【在 x*******2 的大作中提到】
: 另外一个问题就是为什么copper的thickness要怎么厚啊？ 至少都是100nm以上。如果
: 只是要利用low solubility的话，为啥薄了就不行了？
|
x*******2
发帖数: 5333 | 9 这就是为啥copper最适合长mono layer了。
【在 c**y 的大作中提到】
: 薄了就不是薄膜，都成particle了，不能长出连续的film
: 我奇怪的是既然carbon在Cu里面 solubility 这么低，为何还可以作为催化剂长
: graphene?
|
x*******2
发帖数: 5333 | 10 好像现在SWCNT都可以直接长在dielectric substrate上面了，我估计graphene迟早也
可以，不用catalyst |
m******a
发帖数: 154 | 11 你说是carbon nanoparticles 我都信
【在 x***7 的大作中提到】
: 做在不同表面上基本都是一样的。
: 350度的石墨化程度非常很令人担忧。。
: 或许他又高温退火了。
|
c**y
发帖数: 99 | 12 那graphene生长对催化剂有什么要求？Ni, Cu, Co 这些催化剂的共性是什么？
【在 x*******2 的大作中提到】
: 这就是为啥copper最适合长mono layer了。
|
c**y
发帖数: 99 | 13 SWNT 一直可以长在不同的 dielectric substrate 上面，但是还是有catalyst的，你
说的难道是 catalyst-free 长在 dielectric substrate 上面？ 这个还真没有看过
paper.
【在 x*******2 的大作中提到】
: 好像现在SWCNT都可以直接长在dielectric substrate上面了，我估计graphene迟早也
: 可以，不用catalyst
|
x*******2
发帖数: 5333 | 14 check this paper
direct low-temperature nanographene cvd synthesis over a dielectric
insulator
from their references 11-14, all are catalyst-free SWCNTs on oxides.
【在 c**y 的大作中提到】
: SWNT 一直可以长在不同的 dielectric substrate 上面，但是还是有catalyst的，你
: 说的难道是 catalyst-free 长在 dielectric substrate 上面？ 这个还真没有看过
: paper.
|
