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Physics版 - 问一下关于电子和空穴的有效质量问题
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a*****e
发帖数: 4577
1
想不通为什么一般有效质量要小于自由电子的质量
简单一点的想,在外电场作用下,自由电子加速应该比束缚的电子要容易呀
但是为什么半导体的有效电子质量往往小于自由电子质量呢?
不知道上面的想法错在哪里,麻烦各位给解释一下

electron hole
Group IV
Si (4.2K) 1.08 me 0.56 me
Ge 0.55 me 0.37 me
III-V
GaAs 0.067 me 0.45 me
InSb 0.013 me 0.6 me
II-VI
ZnO 0.19 me 1.21 me
ZnSe 0.17me 1.44 me
j*********g
发帖数: 3179
2
They are free electrons/holes traveling in periodic field. who said they are
bonded? Depending on band structure and which state electrons occupy,
effective mass are vastly different. The masses you quote are just mass at
bottom of conduction band and top of the valence band. Even at top of the
valence band, there are usually heavy holes and light holes. Even for a
single state, effective mass is a tensopr, not scalar.

【在 a*****e 的大作中提到】
: 想不通为什么一般有效质量要小于自由电子的质量
: 简单一点的想,在外电场作用下,自由电子加速应该比束缚的电子要容易呀
: 但是为什么半导体的有效电子质量往往小于自由电子质量呢?
: 不知道上面的想法错在哪里,麻烦各位给解释一下
:
: electron hole
: Group IV
: Si (4.2K) 1.08 me 0.56 me
: Ge 0.55 me 0.37 me
: III-V

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