c******7 发帖数: 1177 | 1 我有个GaAs的样品, Silicon doped, 从substrate向表面层的掺杂情况如下
Substrate
AlAs: 5nm
GaAs: intrinsic, 50 nm
GaAs: Si, 5*10exp(16), 2000 nm, (信号层)
GaAs: Si, gradient change between two layers, 15 nm
GaAs: Si, 5*10exp(18), 15 nm
我想模拟在低温下(实验是在4 K) 信号层的Fermi level, 以及内部电场分布。
我用的是simWindows,只能模拟到150 K;从300 K 到150 K的变化中,Fermi level越来
越靠近导带能级。是不是到了4 K,Fermi level可以到导带之上?
不知道有没有人有更好的模拟软件,能计算低温下的能带分布,先谢谢了:) | a*******i 发帖数: 11664 | 2 你需要知道在各个温度下材料的电学性质,比如bandgap energy之类的。
还有Si再GaAs中active energy是很重要的参数,不过应该很好找。
你降温的时候,fermi leverl越来越靠近conduction band,是因为fermi-dirac
distrubtion随着温度下降变‘窄’了。电子数n= density of states * fermi-diract
distribution在conduction band 里的积分。为了维持一定的n,fermi-level必须要
靠近conduction band。
在更低温下会有两种情况:1)如果是non-degenerate doping,你的doping就会freeze
-out,就是说thermal energy 不足以把Si dopants active,这样就是intrinsic
material了。fermi level不会再conduction band里面。2)你的doping足够高,是
degenerate doping,那么fermi-level会在conduction 里面,即使低温也有
【在 c******7 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 我有个GaAs的样品, Silicon doped, 从substrate向表面层的掺杂情况如下 : Substrate : AlAs: 5nm : GaAs: intrinsic, 50 nm : GaAs: Si, 5*10exp(16), 2000 nm, (信号层) : GaAs: Si, gradient change between two layers, 15 nm : GaAs: Si, 5*10exp(18), 15 nm : 我想模拟在低温下(实验是在4 K) 信号层的Fermi level, 以及内部电场分布。 : 我用的是simWindows,只能模拟到150 K;从300 K 到150 K的变化中,Fermi level越来 : 越靠近导带能级。是不是到了4 K,Fermi level可以到导带之上?
| w********o 发帖数: 10088 | 3 1d poisson能搞gradient doping的么?没注意过
diract
freeze
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 你需要知道在各个温度下材料的电学性质,比如bandgap energy之类的。 : 还有Si再GaAs中active energy是很重要的参数,不过应该很好找。 : 你降温的时候,fermi leverl越来越靠近conduction band,是因为fermi-dirac : distrubtion随着温度下降变‘窄’了。电子数n= density of states * fermi-diract : distribution在conduction band 里的积分。为了维持一定的n,fermi-level必须要 : 靠近conduction band。 : 在更低温下会有两种情况:1)如果是non-degenerate doping,你的doping就会freeze : -out,就是说thermal energy 不足以把Si dopants active,这样就是intrinsic : material了。fermi level不会再conduction band里面。2)你的doping足够高,是 : degenerate doping,那么fermi-level会在conduction 里面,即使低温也有
| a*******i 发帖数: 11664 | 4 yes, beta8c 的new feature里面: general grading possbile for all parameters
【在 w********o 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 1d poisson能搞gradient doping的么?没注意过 : : diract : freeze
| w********o 发帖数: 10088 | 5 牛叉叉
下次试试看
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : yes, beta8c 的new feature里面: general grading possbile for all parameters
| c******7 发帖数: 1177 | 6 按照你的建议,计算了一次,在5*10(16)掺杂浓度下,Fermi能级还是在CB下面一点点
(0.8meV)。
因为我测到的信号(1.516eV的激光激发的)从结果分析来看还是delocalized的,但是
能级是在CB以下,那说明我测到的电子状态是在donor的delocalized带之内。
另外请教一下子,怎么计算donor能带的宽度和mobility edge呢?我是搞光学的,这个
半导体掺杂实在太复杂了。。。。。。这个和Anderson localization有很大联系么?
谢谢了。有推荐的入门知识吗?
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : yes, beta8c 的new feature里面: general grading possbile for all parameters
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