c******7
发帖数: 1177 | 1 我有个GaAs的样品, Silicon doped, 从substrate向表面层的掺杂情况如下
Substrate
AlAs: 5nm
GaAs: intrinsic, 50 nm
GaAs: Si, 5*10exp(16), 2000 nm， (信号层)
GaAs: Si, gradient change between two layers, 15 nm
GaAs: Si, 5*10exp(18), 15 nm
我想模拟在低温下（实验是在4 K) 信号层的Fermi level, 以及内部电场分布。
我用的是simWindows，只能模拟到150 K;从300 K 到150 K的变化中，Fermi level越来
越靠近导带能级。是不是到了4 K，Fermi level可以到导带之上？
不知道有没有人有更好的模拟软件，能计算低温下的能带分布，先谢谢了：） | a*******i
发帖数: 11664 | 2 你需要知道在各个温度下材料的电学性质，比如bandgap energy之类的。
还有Si再GaAs中active energy是很重要的参数，不过应该很好找。
你降温的时候，fermi leverl越来越靠近conduction band，是因为fermi-dirac
distrubtion随着温度下降变‘窄’了。电子数n= density of states * fermi-diract
distribution在conduction band 里的积分。为了维持一定的n，fermi-level必须要
靠近conduction band。
在更低温下会有两种情况：1）如果是non-degenerate doping，你的doping就会freeze
-out，就是说thermal energy 不足以把Si dopants active，这样就是intrinsic
material了。fermi level不会再conduction band里面。2)你的doping足够高，是
degenerate doping，那么fermi-level会在conduction 里面，即使低温也有
【在 c******7 的大作中提到】
: 我有个GaAs的样品, Silicon doped, 从substrate向表面层的掺杂情况如下
: Substrate
: AlAs: 5nm
: GaAs: intrinsic, 50 nm
: GaAs: Si, 5*10exp(16), 2000 nm， (信号层)
: GaAs: Si, gradient change between two layers, 15 nm
: GaAs: Si, 5*10exp(18), 15 nm
: 我想模拟在低温下（实验是在4 K) 信号层的Fermi level, 以及内部电场分布。
: 我用的是simWindows，只能模拟到150 K;从300 K 到150 K的变化中，Fermi level越来
: 越靠近导带能级。是不是到了4 K，Fermi level可以到导带之上？
| w********o
发帖数: 10088 | 3 1d poisson能搞gradient doping的么？没注意过
diract
freeze
【在 a*******i 的大作中提到】
: 你需要知道在各个温度下材料的电学性质，比如bandgap energy之类的。
: 还有Si再GaAs中active energy是很重要的参数，不过应该很好找。
: 你降温的时候，fermi leverl越来越靠近conduction band，是因为fermi-dirac
: distrubtion随着温度下降变‘窄’了。电子数n= density of states * fermi-diract
: distribution在conduction band 里的积分。为了维持一定的n，fermi-level必须要
: 靠近conduction band。
: 在更低温下会有两种情况：1）如果是non-degenerate doping，你的doping就会freeze
: -out，就是说thermal energy 不足以把Si dopants active，这样就是intrinsic
: material了。fermi level不会再conduction band里面。2)你的doping足够高，是
: degenerate doping，那么fermi-level会在conduction 里面，即使低温也有
| a*******i
发帖数: 11664 | 4 yes, beta8c 的new feature里面: general grading possbile for all parameters
【在 w********o 的大作中提到】
: 1d poisson能搞gradient doping的么？没注意过
:
: diract
: freeze
| w********o
发帖数: 10088 | 5 牛叉叉
下次试试看
【在 a*******i 的大作中提到】
: yes, beta8c 的new feature里面: general grading possbile for all parameters
| c******7
发帖数: 1177 | 6 按照你的建议，计算了一次，在5*10(16)掺杂浓度下，Fermi能级还是在CB下面一点点
（0.8meV）。
因为我测到的信号（1.516eV的激光激发的）从结果分析来看还是delocalized的，但是
能级是在CB以下，那说明我测到的电子状态是在donor的delocalized带之内。
另外请教一下子，怎么计算donor能带的宽度和mobility edge呢？我是搞光学的，这个
半导体掺杂实在太复杂了。。。。。。这个和Anderson localization有很大联系么？
谢谢了。有推荐的入门知识吗？
【在 a*******i 的大作中提到】
: yes, beta8c 的new feature里面: general grading possbile for all parameters
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