a*i
发帖数: 1652 | 1 加热室设计温度达1000摄氏度，这对炉体使用寿命是个问题。有没有可以定向定点的加
热方式，如手电筒一样，只加热基质材料？现在是不是有这样的技术？
谢谢！ |
k****r
发帖数: 9629 | 2 google e-beam evaporation.
e-beam source.
【在 a*i 的大作中提到】
: 加热室设计温度达1000摄氏度，这对炉体使用寿命是个问题。有没有可以定向定点的加
: 热方式，如手电筒一样，只加热基质材料？现在是不是有这样的技术？
: 谢谢！
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s***e
发帖数: 7166 | 3 没必要用这么大型的武器吧。sputter足够镀膜用了。
【在 k****r 的大作中提到】
: google e-beam evaporation.
: e-beam source.
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a*i
发帖数: 1652 | 4 磁控溅射技术可以定向局部加热 （1000度）吗？
【在 s***e 的大作中提到】
: 没必要用这么大型的武器吧。sputter足够镀膜用了。
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s***e
发帖数: 7166 | 5 你不就是要搞一个高熔点的东西的膜么。用KV级别的离子把你要镀的东西撞出来，
换算成温度可以上万，没有加热蒸发什么事。
另外就镀膜来说，1000度真不是什么特别高的温度，弄点钨通电很难吗？
【在 a*i 的大作中提到】
: 磁控溅射技术可以定向局部加热 （1000度）吗？
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b******n
发帖数: 80 | 6 我学nanotechnology时老师讲过：
当真空度降低时，熔点也随之降低。如果材料本身熔点是在1000度范围内，那么低于
1000度足可以加热熔化。
一般钨丝加热也是局部加热，因为那时腔体内根本就没有热的良导体。
一般如果上述方法不行的话，e-beam是第一选择，sputtering是第二选择。 |
s***e
发帖数: 7166 | 7 你说的这个是沸点吧。你从1ATM降压，固体熔点随压力降低是很不明显的。
【在 b******n 的大作中提到】
: 我学nanotechnology时老师讲过：
: 当真空度降低时，熔点也随之降低。如果材料本身熔点是在1000度范围内，那么低于
: 1000度足可以加热熔化。
: 一般钨丝加热也是局部加热，因为那时腔体内根本就没有热的良导体。
: 一般如果上述方法不行的话，e-beam是第一选择，sputtering是第二选择。
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b******n
发帖数: 80 | 8 很明显的，相信我。
我们都thermal evaporation的办法度过silica. |
C***H
发帖数: 508 | 9 我无语...不相信有敢这么误人子弟的老师。
另外钨丝穿在陶瓷里，盘起来，用高熔点的金属板夹起来，直接热传导，1000度小case。
【在 b******n 的大作中提到】
: 很明显的，相信我。
: 我们都thermal evaporation的办法度过silica.
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h*****z
发帖数: 23 | |
