a*i 发帖数: 1652 | 1 加热室设计温度达1000摄氏度,这对炉体使用寿命是个问题。有没有可以定向定点的加
热方式,如手电筒一样,只加热基质材料?现在是不是有这样的技术?
谢谢! |
k****r 发帖数: 9629 | 2 google e-beam evaporation.
e-beam source.
【在 a*i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 加热室设计温度达1000摄氏度,这对炉体使用寿命是个问题。有没有可以定向定点的加 : 热方式,如手电筒一样,只加热基质材料?现在是不是有这样的技术? : 谢谢!
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s***e 发帖数: 7166 | 3 没必要用这么大型的武器吧。sputter足够镀膜用了。
【在 k****r 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : google e-beam evaporation. : e-beam source.
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a*i 发帖数: 1652 | 4 磁控溅射技术可以定向局部加热 (1000度)吗?
【在 s***e 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 没必要用这么大型的武器吧。sputter足够镀膜用了。
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s***e 发帖数: 7166 | 5 你不就是要搞一个高熔点的东西的膜么。用KV级别的离子把你要镀的东西撞出来,
换算成温度可以上万,没有加热蒸发什么事。
另外就镀膜来说,1000度真不是什么特别高的温度,弄点钨通电很难吗?
【在 a*i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 磁控溅射技术可以定向局部加热 (1000度)吗?
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b******n 发帖数: 80 | 6 我学nanotechnology时老师讲过:
当真空度降低时,熔点也随之降低。如果材料本身熔点是在1000度范围内,那么低于
1000度足可以加热熔化。
一般钨丝加热也是局部加热,因为那时腔体内根本就没有热的良导体。
一般如果上述方法不行的话,e-beam是第一选择,sputtering是第二选择。 |
s***e 发帖数: 7166 | 7 你说的这个是沸点吧。你从1ATM降压,固体熔点随压力降低是很不明显的。
【在 b******n 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 我学nanotechnology时老师讲过: : 当真空度降低时,熔点也随之降低。如果材料本身熔点是在1000度范围内,那么低于 : 1000度足可以加热熔化。 : 一般钨丝加热也是局部加热,因为那时腔体内根本就没有热的良导体。 : 一般如果上述方法不行的话,e-beam是第一选择,sputtering是第二选择。
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b******n 发帖数: 80 | 8 很明显的,相信我。
我们都thermal evaporation的办法度过silica. |
C***H 发帖数: 508 | 9 我无语...不相信有敢这么误人子弟的老师。
另外钨丝穿在陶瓷里,盘起来,用高熔点的金属板夹起来,直接热传导,1000度小case。
【在 b******n 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 很明显的,相信我。 : 我们都thermal evaporation的办法度过silica.
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h*****z 发帖数: 23 | |