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Physics版 - 关于GaAs单量子阱中激发激子的Wave vector的问题。
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l*****1
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我有一个问题请教:
请先看附件中的简图,GaAs单量子阱样品, 样品温度保持在40K, 用能量对应于量子阱
的重空穴吸收峰的光子激发GaAs单量子阱,可以在量子阱中激发出激子(exciton),
我的问题是,光子的wave vector (k) 是否全部传递给了激子?如果是的话,激子的
in plane wave vector 应该是k// = k sinθ,这种理解是否正确?
我现在有一个实验,需要在GaAs单量子阱中生成具有一定in plane wave vector的激子
,我希望这个in plane wave vector是可以控制的,上面提到的是我现在的想法。即使
我的想法是对的,也不完美,因为这种方法生成的激子in plane wave vector有一个极
限,不会很大。哪位有更好的方法,可以在GaAs点量子阱中生成可控in plane wave
vector的激子。
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