三星电子全球率先开发出40纳米DRAM - WorldNews版

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WorldNews版 - 三星电子全球率先开发出40纳米DRAM

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http://chn.chosun.com/site/data/html_dir/2009/02/05/20090205000019.html
三星电子4日表示，采用40纳米（1纳米等于十亿分之一米）工艺，在全球率先开发出
DDR2 DRAM（照片）。
40纳米工艺是在仅为人类头发粗细的2500-3000分之一的面积上操作的超微加工技术。
如果采用这一工艺，生产效率将比三星电子目前的主力工艺技术——50纳米工艺提高60
%左右。另外，40纳米DRAM的用电量可以比50纳米DRAM的用电量节约30%以上。DRAM被用
作个人电脑（PC）等主要IT产品的记忆装置。

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