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s******x
发帖数: 15232 | 2 你的理解恰恰是对的。
SEM照片的分辨率很大程度是由样品决定的。这也就是为什么sem调焦，矫正色差球差的
时候要用标准样品，因为容易看，成像的分辨率更高，beam可以调整得更好。这样在看
其他样品的时候，这些已经矫正了的因素就不会影响成像的分辨率了。
一般不导电的样品不容易看，所以都要metalize以后才可以看清楚。当然这主要是解决
charging effect。这个解决以后，blackmoth 说的“样品本身表面二次电子产生率的
反差性质决定的”就是真正的关键，因为sem在用se detector的时候的工作原理就是收
集所有的二次电子，然后把总强度转换成该像素的亮度。举个最简单的例子，metallic
nanowire在nonconducting substrate上比在conducting substrate上容易看得多，就
是这个原因。
然后才是加速电压和spot size的影响。
最后是操作者的水平。这个其实不应该算，但是现实中，往往是这个决定了最后的图像
质量..... |
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R****i
发帖数: 2387 | 3 Easy growth of undoped and doped tungsten oxide nanowires with high purity
and
orientation
Kun Liu, David T Foord and Lawrence Scipioni
2005 Nanotechnology 16 10-14 doi: 10.1088/0957-4484/16/1/003
An approach for synthesizing various types of tungsten oxide nanostructure
Lingfei Chi, Ningsheng Xu, Shaozhi Deng, Jun Chen and Juncong She
2006 Nanotechnology 17 5590-5595 doi: 10.1088/0957-4484/17/22/011 |
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v*****m
发帖数: 66 | 4 I guess it depends on what field are you in. For semiconductor nanowires
sections(SiGe, III-nitride, II-VI staff), there is almost no student talks
at all. Not even postdoc talks. After these lengthy invited talks from
charles lieber, PD Yang, Samuson Lars,.... , the major players (professors,
researchers from national labs and industries like HP, IBM) will show their
last progress. No time left after that.
When I was in semiconductor thin film section years ago, getting an oral is
MRS relati |
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r*********e
发帖数: 281 | 6 我倒没看出来好在哪。。。有点越描越黑的样子。
1. Free carrier screen piezoelectric field的问题，即使王用的nanowire比Alexe
说的电阻高两个order。carrier screen piezoelectric field 也是pico-second量级
的事。我是想不出什么measurement setup能测出pico-second量级的voltage signal.
2. Schottky整流的事。Wang group另外一篇文章里给出了以Pt-ZnO NW的IV曲线。看得
出是非常leaky的Schottky。正偏压1V以上才有点整流效应。搞不懂0.3V的所谓"
Piezoelectric Potential"怎么被这种diode整流出来。 |
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x*******y
发帖数: 15 | 7 Title: High-Temperature Stability of Silicon Carbide Nanowires
Author(s): Shim HW, Kuppers JD, Huang HC
Source: JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY Volume: 8 Issue: 8
Pages: 3999-4002 Published: AUG 2008 |
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v*****m
发帖数: 66 | 8 Fabrication and Characterization of Mg-Doped GaN Nanowires
Zhang Dong-Dong et al 2008 Chinese Phys. Lett. 25 4158-4161 doi:
10.1088/0256-307X/25/11/087
Thanks |
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j*********4
发帖数: 60 | 9 是 Wang ZL 呢，还是其他。 说的是材料生长，不是器件应用。多谢指点！ |
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z*****j
发帖数: 9 | 11 那篇science是把好多人的想法实现了，有条件做这种实验的地方真的不多。开创性大
于实质的意义。 |
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t***s
发帖数: 163 | 12 I do not know they are shit or not.
Only hope people working on the field (neuronal signal detected by
semiconductor device) have more discussions. |
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m*******r
发帖数: 481 | 13 NO Wonder. Many Lieber's paper can not be repeated. |
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w*********r
发帖数: 80 | 14 楼主的第一个问题的答案在：
"Equilibrium Potential of Free Charge Carriers in a Bent Piezoelectric
Semiconductive Nanowire" Yifan Gao, and Zhong Lin Wang, Nano Lett., 9 (2009)
3, 1103-1110 .
Gosele的comment起初是投到了science, ZL Wang做出了相应的回答。 science的主编
对比了双方的论据和理由，认为Gosele论据不充分，拒绝了发表他的comment.
后来Gosele把这篇comment投到了AM，但没有以comment的形式投稿，而投的是
communication. 所以AM的主编没有通知ZL Wang, ZL Wang没有机会反驳。后来大家就
在AM上看到了这篇Gosele的"communication". |
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p********o
发帖数: 312 | 15 (1)作者大概要指出一个微观概念，single nanowire的mobility比sigle nanoparticle
的高？
（2）宏观上，device的电阻还是wire的小？ |
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t***s
发帖数: 163 | 16 Nanotube Nanowire拿的出手的应用几乎没有。
基础研究突破也是零。不知道还能搞多久。 |
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S*****n
发帖数: 6055 | 17 intel CPU不是大量使用直径45nm的Cu nanowire么 |
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c**y
发帖数: 99 | 18 这个Cu nanowire还是top-down electroplating的工艺实现的吧 |
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n*******w
发帖数: 6708 | 19 Title: Selective growth of alpha-Al2O3 nanowires and nanobelts
Author(s): Zhang Y, Li RY, Zhou XR, et al.Source: JOURNAL OF NANOMATERIALS
Article Number: 250370 Published: 2008
Times Cited: 0
请发到y*****[email protected]
多谢！ |
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m******e
发帖数: 432 | 21 Position:
The University of Arkansas’ Center of Neuro-, Nano-, Electronic Sensors and
Systems seeks to fill a full-time, Research Assistant Professor position in
nanodevices and systems.
Responsibilities & Duties:
The chosen candidate is expected to participate in a funded research program
that involves wireless flexible sensor and sensor network using organic
thin film transistor (TFT), carbon nanotube and nanowire and thermoelectric
materials. The bulk of the candidate’s efforts involve develo |
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b*******g
发帖数: 1309 | 26 换个角度思考问题，你就明白了
传统单晶硅的思路已经到头了，效率没办法再提高了
所以为了拿funding必须挖另外的坑，什么CNT，QD，nanowire etc 全上了
其实效率都不如单晶硅，但是这些坑还没有挖好，所以还可以发文章，
等坑挖的差不多了，就该挖下一个坑了
稍微positive一点，挖坑的过程中，说不准能挖了宝，那样大家就都happy
不过现在来看，大家也就是挖挖坑，灌灌水而已
另外不要天真的以为别人能发NL，你也能发，对NL来说,关系远比文章质量重要 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 27 前几天你给我发的邮件还没回复你
索性在这里回复了
比较赞成blueswing的观点，这些只不过是在挖坑灌水而已
想真正应用的话前景还很不明朗，但是个人感觉比类似的其他几个PV的主题
比如quantum dot/cnt之类的似乎更有前途一些。
虽然目前nanowire(NW) solarcell的效率还只有5%左右，见PD Yang的JACS
但是提高的前景还是大不少。
NW的好处有两个，一是光吸收，二是载流子收集，但是目前的大多数文章都在讨论光吸
收。而默认NW 的载流子收集会比一般的texture surface要好。
至于Nanohole array似乎只有光吸收的好处（但是很难说比random textured surface
要好），个人觉得没啥前途。你的nano texture也是同理，连水都没法灌，因为你的
texture并没有radical carrier collection。
这个方向比较热门，但是个人不太看好。一是这方面的科研价值不大，不管是模拟还是
实验，相对来说都是比较成熟的技术，不能挖掘出，新的理论/方法/认识。如果最终不
能商业化，灌水的大潮很快就会过去，而 |
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p*****r
发帖数: 805 | 28 可惜我是做nanowire，所以投不了Carbon。 我们这次投到Nano Letters是Paul转给
Lieber，然后送审，最后被婉言谢绝的，reviewers对文章没有任何不满只是说不够有
新意，Lieber也在据信里说欢迎以后继续投稿。。。郁闷呀。。。 |
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a*****e
发帖数: 4577 | 29 like dye-sensitized solar cell
nanowire/nanotube/quantum dot solar cell |
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v*******l
发帖数: 489 | 30 他用的材料是第二代的: CdTe，
但是做法是第三代：nanowire solar cell。。。 |
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x*******2
发帖数: 5333 | 33 【 以下文字转载自 Chemistry 讨论区 】
发信人: xmdxx1182 (卡西莫多), 信区: Chemistry
标 题: 求审稿机会
发信站: BBS 未名空间站 (Mon Apr 4 16:36:18 2011, 美东)
现在已经有10篇，7个journal了。想在3个月内再审10到15篇。我做过nanotubes,
nanowire(C, BN, Si),thermoelectric, 现在做lithium ion batteries和
supercapacitor。如果有机会，麻烦达人多多提携。可以站内要我的联系方式。谢谢！ |
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y***e
发帖数: 6082 | 34 多联系杂志社把
【 以下文字转载自 Chemistry 讨论区 】
发信人: xmdxx1182 (卡西莫多), 信区: Chemistry
标 题: 求审稿机会
发信站: BBS 未名空间站 (Mon Apr 4 16:36:18 2011, 美东)
现在已经有10篇，7个journal了。想在3个月内再审10到15篇。我做过nanotubes,
nanowire(C, BN, Si),thermoelectric, 现在做lithium ion batteries和
supercapacitor。如果有机会，麻烦达人多多提携。可以站内要我的联系方式。谢谢！ |
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p*****0
发帖数: 1100 | 35 我的第一篇文章投出去快四个月，现在审稿意见回来，第一个审稿人问了很多问题，第
二个审稿人问题很少，基本是修改格式。编辑的意见是拒稿，但是建议修改后重新投，
他愿意重新处理。
现在头疼的是第一个审稿人列出了八九篇文献要求阅读，但是其中三篇不能直接下载。
可怜我们实验室很穷，没有下文章的免费账号。自己掏钱，又不知道花100多刀下那三
篇文献值不值，有可能最后还是被拒了。请教各位，如果有那三篇文献的，能不能发到
我邮箱？鄙人将感激不尽！！
1. Title: Zinc oxide, a multifunctional material: from material to device
applications. Source: APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING
Volume: 96 Issue: 1 Special Issue: Sp. Iss. SI Pages: 197-205
2. Title: Nonvolatile resistive switching in single crystalline ... 阅读全帖 |
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f*m
发帖数: 28 | 36 但是1D的材料如何large scale production一直都没解决好吧...nanowire based
transistor现在也不上不下 |
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m*******r
发帖数: 481 | 37 做纳米材料的找工业界工作形势好的很啊! 我们公司明确说 Ph.D. 优先, 纳米材料优
先. 前几周有个老中博士后来 onsite, 就是做 nano 的. 把我们公司的一班 Director
们搞的一愣一愣的. 连说 cutting edge, neat work. 要不是这位哥们英文实在太差,
当场给Offer了.老中还是吃亏在语言上. 有位 Group Lead 以语言障碍太大坚持拒绝.
好可惜啊. 不过 nano 还是有前途的. 我就是做 nano 里面最搞笑的 nanowire. 现在
在工业界不也好好的. 猎头一个接一个找我. 目前我所有工作包括跳槽都通过猎头. So
nano really has a bright future! |
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p*****0
发帖数: 1100 | 38 1.Tungsten Oxide Nanowires Grown on Carbon Cloth as a Flexible Cold Cathode
2.Energy-Storable Dye-Sensitized Solar Cells with Tungsten Oxide Charge-
Storage Electrode
如果哪位能下到，请发至我的邮箱：p********[email protected]
谢谢！ |
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发帖数: 1 | 39 2018.1.8国务院学位办公布哈尔滨师范大学申报物理一级博士点获批。2018.1.11该校
多项造假被揭露出来，其造假之胆大妄为、厚颜无耻令人瞠目结舌。比如：申请基金时
，伪造课题组成员；申请省科技奖时。伪造高“他引率”、伪造国际主要物理期刊的“
特约审稿人”；令人发指的是，一个所谓的“教授”为其女儿申请美国大学时造假；论
文数据造假；还有比论文数据造假更加恶劣的造假，由于本人暂时未获知情人授权，无
法公布。但，相信华人读者都猜得到这是什么。
本报道公布该校造假的部分项，以警示全体海外华人学者国内的学术腐败到了怎样地步。
1.张喜田于2013年申报黑龙江省基金时，为了提高成功率，在其课题组成员中加入一个
非哈师大雇员的名字伪称哈师大教授，并在其基金申请书中列出该人论文若干篇。最后
，该基金获批。
2.张喜田在2014年申请黑龙江省科学技术奖时，伪造高“他引率”。在申报材料声称他
的论文有多于1000“他引率”。实际上，张喜田的“他引率”小于100次。“他引率”
很容易查证，可见张喜田的胆大妄为！另外，张喜田伪造是20几种国际物理期刊的“特
约审稿人”，还特别列出了《Physical ... 阅读全帖 |
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y***q
发帖数: 98 | 40 Postdoctoral or Visiting Scientist Position:
Nanowire Growth and Characterization
Center for Nanophotonics, Arizona Institute for Nano-Electronics (AINE)
Center of Solid State Electronics Research (CSSER)
and Department of Electrical Engineering
Arizona State University, Tempe, AZ 85287
ASU’s Center for Nanophotonics has a position of Research Associate or
Visiting
Scientist available immediately. Salary and rank depend on qualification
and
experiences. Applicants should have strong background i |
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a*******i
发帖数: 11664 | 41 I didn't read the paper very carefully but this is about measurements on
nanopariticles with diameters of 10-
12 nm, right?
when you read most textbooks, they say:
for direct bandgap: alfa ~ (hv-Eg)^0.5
for indirect bandgap: alfa ~ (hv-Eg+/-phonon)^2
those two equations are for 3D bulk materials! not for 2D Quantum Well or 1D
nanowire or QDs.
The relation between the absorption coefficient and the energy is mainly
determined by the density of states.
The density of states for 3D, 2D, 1D and QDs |
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n*******w
发帖数: 6708 | 42 【 以下文字转载自 NanoST 讨论区 】
发信人: northsnow (北雪飘), 信区: NanoST
标 题: 求文献 in JOURNAL OF NANOMATERIALS
发信站: BBS 未名空间站 (Wed Sep 30 23:19:38 2009, 美东)
Title: Selective growth of alpha-Al2O3 nanowires and nanobelts
Author(s): Zhang Y, Li RY, Zhou XR, et al.Source: JOURNAL OF NANOMATERIALS
Article Number: 250370 Published: 2008
Times Cited: 0
请发到y*****[email protected]
多谢！ |
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n*******w
发帖数: 6708 | 43 Can you get this one?
thanks!
Influence of growth temperature on SnO2 nanowires
Authors: Tiong, T.Y.1; Yahaya, M.2; Dee, C.F.3; Lim, K.P.4; Majlis, B. Yeop3
; Sow, C.H.5
Source: Materials Research Innovations, Volume 13, Number 3, September 2009
, pp. 203-206(4)
Publisher: Maney Publishing |
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a*****e
发帖数: 4577 | 44 如果只需要minority carrier diffussion length 变短
为什么要用nanowire?
那就用有花纹的薄膜不也一样？
open- |
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a*****e
发帖数: 4577 | 45 搞错了
是carrier collection length shorter than minority carrier diffusion length
这个坑我觉得技术含量不算太大，虽然俺也准备至少灌一篇
我比较同意前面一位的观点
关键问题是用纳米线只是junction变大，其实不影响carrier collection length ，只
是为了这个的话，用texture的薄膜其实完全一样
那么nanowire/microwire的优势又在什么地方？
我不做solarcell所以也不是太懂，如果有牛人不妨给讲解一下
事。 |
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O*A
发帖数: 78 | 46 【 以下文字转载自 NanoST 讨论区 】
发信人: OSA (Opt Soc Am), 信区: NanoST
标 题: 请教: nano wire solar cell的效率比commercial的低很多为啥能
发信站: BBS 未名空间站 (Sat Jun 12 12:15:17 2010, 美东)
(1)
最近发现2010有很多nanowire/pore solar cell的文章发在nano lett/JACS。
比如
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl100161z (PDY)
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/ja910082y (北京)
文章中说转换效率都在10% 以下。textbook中说:
commercially mass-product cells are typically only 13-14% efficient.
另外，我看到有文章，就平板单晶硅放在液体电极里，效率都有10%
所以想问一下，上面2片top journal,也是用单晶硅，纳米制备成本很高，效率却很低，为啥可以 |
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w****n
发帖数: 5749 | 47 graphene这么快就得奖让carbon nanotube和nanowire情何以堪…… |
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B******8
发帖数: 469 | 48 神马nanotube、nanowire就算了，都臭大街啦 |
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B******8
发帖数: 469 | 49 就我所知，和CNT(包括nanowire)有关的商业产品，没有什么是很成功的，很多东西，
就是做做表征，发发垃圾文章。据说，国内都不在这个上面投什么钱啦。 |
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x*******2
发帖数: 5333 | 50 【 以下文字转载自 Chemistry 讨论区 】
发信人: xmdxx1182 (卡西莫多), 信区: Chemistry
标 题: 求审稿机会
发信站: BBS 未名空间站 (Mon Apr 4 16:36:18 2011, 美东)
现在已经有10篇，7个journal了。想在3个月内再审10到15篇。我做过nanotubes,
nanowire(C, BN, Si),thermoelectric, 现在做lithium ion batteries和
supercapacitor。如果有机会，麻烦达人多多提携。可以站内要我的联系方式。谢谢！ |
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