f***y
发帖数: 4447 | 1 http://news.mydrivers.com/1/474/474123.htm
国商威武！中芯国际40nm造全新RRAM内存
目前，国内最大的晶圆代工厂当属中芯国际，除了处理器业务之外，他们现在又打算把
触手伸向存储芯片行业。2014年9月，中芯国际成功的自主研发了采用38nm工艺的NAND
闪存芯片。
日前，中芯国际与Crossbar公司成功签署了一项合作协议。协议的内容包括，中芯国际
将使用40nm工艺为Crossbar代工RRAM阻变式存储器芯片，这项协议的签署代表中芯国际
成功进军下一代内存产业。
RRAM阻变式存储器，亦可称之为相变内存，其使用硫化物玻璃进行制造，芯片的特点在
于，硫化物玻璃受热后可以在晶体和非晶体之间进行形态变化，不同的状态下，其电阻
亦不相同，利用这项特性，我们可以进行数据的存储。
与NAND相比，RRAM不仅写入速度上快30倍，同时，寿命也要比DRAM高出10倍以上。而且
RRAM最大的优点在于设备断电后依旧可以保存数据，这样来看，RRAM不仅仅可以代替内
存，同时还可以取代闪存。
RRAM具有高性能和低功耗的优点，未来将可用于在物联网、可穿戴设备... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 2 http://info.ec.hc360.com/2016/03/161536856942.shtml
中芯国际（SMIC）已经是国内最大、最先进的晶圆代工厂，除了处理器之外他们也在积
极谋划存储类芯片业务。2014年9月份他们推出了自己开发的38nmNAND闪存芯片，日前
中芯国际又跟Crossbar公司达成了战略合作协议，将使用40nm工艺为后者代工PRAM阻变
式存储器芯片，意味着中芯国际已经进入了下一代内存产业。
PRAM阻变式存储器也被称为相变内存，PRAM使用一种或者多种含硫化物玻璃制成，其特
点就是受热之后可以改变形状，成为晶体或者非晶体，而不同状态具有不同电阻值，因
此可以用来储存数据。
与普通的DRAM相比，PRAM内存不仅写入速度快30倍，寿命延长10倍，而且PRAM内存
在断电时不会丢失数据，所以它不仅可以替代内存，也可以替代闪存。目前Intel、三
星等公司都在积极投身PRAM内存研发。
中芯国际合作的伙伴Crossbar是全球PRAM内存产业中的领导者之一，中芯国际将使
用40nmCMOS工艺为其代工PRAM产品，将帮助客户将低延时、高性能和低... 阅读全帖 |
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f***y
发帖数: 4447 | 3 http://www.crossbar-inc.com/company/management/wei-d-lu/
Prof. Wei D. Lu
Chief Scientist and Co-Founder
Dr. Wei D. Lu has been co-founder and chief scientist of Crossbar since 2010
where he focuses on the commercialization of resistive-switching device
based memory technology. He brings over 10 years of expertise in
nanostructures and devices including high-density memory and logic devices
based on two-terminal resistive switches, neuromorphic circuits,
semiconductor nanowire devices, and electr... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 5 美国对华“芯片禁令”背后的全球芯片产业版图与中国软肋
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时间：2018-06-12 10:46
•来源： 中兴大城咨询
•作者： 中兴大城智库
•浏览：142
评论： 0
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中国芯片发展存在的问题：一是IP核缺乏，目前IP核心技术主要由国外掌握，国内IP核
产品有限，因此在发展IP和获得IP使用权上困难重重。二是芯片设计能力弱，竞争压力
、技术落后、资金匮乏导致大多数芯片设计企业没有能力也不愿意进行投资巨大的高端
芯片设计。三是芯片制造、封测水平存在差距，国内芯片制造、封测水平与国际领先水
平存在一定差距的主要原因在于大陆地区制造工艺、生产设备都依赖台资、外资。
2018年3月以来，美国高举贸易保护大旗，以违反美方单方面宣布的伊朗制裁规则为借
口，禁止美国企业向中兴通讯出售任何电子技术或通讯元件，打击中国以电子信息为代
表的高端制造业升级。
以中兴通讯为典型代表，中国电子信息产业整体上硬件整机产品强、核心元件弱，在
CPU、GPU等芯片核心元器件上大量依赖进口和外国技术授权，美国发出... 阅读全帖 |
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发帖数: 1 | 6 一文了解长江存储、合肥长鑫、福建晋华的最新进展
集微网消息 （记者/茅茅、小北），从2017年以来，DRAM价格一路高歌猛进，三星、海
力士和美光在这一轮的行情中获得了丰厚的利润。这一市场异变得到了中国反垄断机构
的关注，据集微网了解，5月31日，中国反垄断机构分别对美光、三星、海力士三家公
司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机
构正式对三家企业展开立案调查。
据集邦咨询的数据，2018年第一季三星、海力士、美光在DRAM产业的市占率合计共占95
.4%的市场份额，而中国存储厂商在该市场的份额依然为零。目前，我国存储领域已形
成包括发展NAND Flash的长江存储，专注移动式内存的合肥长鑫以及致力于利基型内存
的福建晋华三大阵营。值得注意的是，今年将是中国存储产业发展的关键节点，那么三
家厂商目前的进度如何？
福建晋华
福建省晋华集成电路有限公司(简称晋华集成电路，JHICC)是由福建省电子信息集团、
及泉州、晋江两级政府共同出资设立，被纳入我国“十三五”集成电路重大生产力布局
规划。
晋华集成电路与台湾联华电子开展技术合作，专注于随机存取存储... 阅读全帖 |
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T****t
发帖数: 11162 | 7 那是老师，哪个组里女生比男生多得多了。
应该很容易有师妹的
Alvin Tang 2D Transition Metal Dichalcogenide Electronics: Synthesis to
Applications tanga9
Zizhen Jiang RRAM Device Modeling jiangzz
Ling Li 2D Materials lingli6
Gregory Pitner Carbon Nanotubes for Transistor Applications gpitner
Joon Sohn Resistive Random Access Memory joonsohn
Xiaolin (Jasmine) Hu Bio-Electrical Sensors jxhu
Kye Okabe Resistive Random Access Memory okabe
Rebecca Park Carbon Nanotube Hysteresis rpark2
Maryann Tung Alternative Lithography Technique... 阅读全帖 |
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m**********t
发帖数: 385 | 9 一、自旋电子材料与量子器件研究中心简介
自旋电子材料与量子器件研究中心是一个面向未来后摩尔时代信息处理与存储可持续发
展的研究机构，瞄准5纳米以下新型电子量子器件技术发展前沿，围绕自旋电子及其他
低维电子材料研究方向，开展以低维电子系统的介观结构-物理特性-埃米制备技术为核
心的物理基础及量子器件研究工作，并以新型量子信息处理及存储工艺的研究和实施带
动后摩尔时代运算技术的持续发展，实现在该领域的理论、工艺与研究方法的创新。研
究中心将通过整合西安交通大学相关学科资源、强化科研平台建设、引进国际一流人才
，逐步发展成为具有国际水平的、在国内外有重要影响的基础研究基地，最终建成世界
一流的学术研究机构。
1.中心主任
闵泰教授，“千人计划学者”(全职)
汪宏教授，“长江学者”(全职)
2.主要研究方向
1)低维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论；
2)低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟（ab-initio，micro-magnetic，compact
）；
3)新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁控溅射，
ALD，CVD）和物理表征（... 阅读全帖 |
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m**********t
发帖数: 385 | 10 一、自旋电子材料与量子器件研究中心简介
自旋电子材料与量子器件研究中心是一个面向未来后摩尔时代信息处理与存储可持
续发展的研究机构，瞄准5纳米以下新型电子量子器件技术发展前沿，围绕自旋电子及
其他低维电子材料研究方向，开展以低维电子系统的介观结构-物理特性-埃米制备技术
为核心的物理基础及量子器件研究工作，并以新型量子信息处理及存储工艺的研究和实
施带动后摩尔时代运算技术的持续发展，实现在该领域的理论、工艺与研究方法的创新
。研究中心将通过整合西安交通大学相关学科资源、强化科研平台建设、引进国际一流
人才，逐步发展成为具有国际水平的、在国内外有重要影响的基础研究基地，最终建成
世界一流的学术研究机构。
1.中心主任
闵泰教授，“千人计划学者”(全职)
2.主要研究方向
1) 低维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论；
2) 低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟（ab-initio，micro-magnetic）；
3) 新材料（石墨烯，拓扑绝缘体、MX2，磁性超薄膜等）的埃米生长技术（磁
控溅射，ALD，CVD）和物理表... 阅读全帖 |
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c**y
发帖数: 99 | 11 field write MRAM scalability比较困难
但是 spin torque transfer MRAM scalability比较有希望
而且功耗比较小
比RRAM有前途啊 |
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v********a
发帖数: 155 | 12 理论上来说，STTRAM具备了理想存储器的所有条件，而且貌似现在实现的前景也很乐观
，PCRAM需要reset电流过大，导致1T1R结构中的transistor不能继续scaling，所以现
在PCRAM storage density不是很大，还有一种RRAM，据吹也比PCRAM强。
谁是做memory的呀，多交流交流 |
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y****y
发帖数: 179 | 14 metal oxide RRAM, conducting bridge RAM |
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c**y
发帖数: 99 | 15 CBRAM is not CMOS compatiable
TMO RRAM seems better. |
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p*******n
发帖数: 1 | 16 学器件的，呆工艺间的这种， 不做教职的话，出来能找什么工作啊？
都是去foundry？
我知道的有些去研究所，IBM之类。
还有就是转行做咨询什么的。
有去高通之类的么？ |
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