s******p
发帖数: 4962 | 1 Au对Si的附着能力不好
一般要用Ti做一层buffer
那Cu呢？
需要buffer layer么？
工艺新警察....请多指教 |
S****d
发帖数: 298 | 2
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
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s******p
发帖数: 4962 | 3 ？
【在 S****d 的大作中提到】
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c**y
发帖数: 99 | 4 Cu需要，不然很容易peel off，而且Cu与Si 的interdiffusion也不可以忽视
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
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p*****t
发帖数: 966 | 5 cu-interconnect 不是都挖槽的么？ 然后CMP出来
好像直接那样做的很少啊 |
c*u
发帖数: 916 | 6 当然需要，好像不是Ti就是Cr，很久以前做的，现在记不清了，
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
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s******p
发帖数: 4962 | 7 恩，谢谢了~
【在 c*u 的大作中提到】
: 当然需要，好像不是Ti就是Cr，很久以前做的，现在记不清了，
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s******p
发帖数: 4962 | 8 我不是做connection，呵呵
【在 p*****t 的大作中提到】
: cu-interconnect 不是都挖槽的么？ 然后CMP出来
: 好像直接那样做的很少啊
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s******p
发帖数: 4962 | 9 想起来以前工艺课上还讲了要用什么做个barrier
呵呵
多谢
【在 c**y 的大作中提到】
: Cu需要，不然很容易peel off，而且Cu与Si 的interdiffusion也不可以忽视
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c**y
发帖数: 99 | 10 Cu interconnect也有TaN liner啊
【在 p*****t 的大作中提到】
: cu-interconnect 不是都挖槽的么？ 然后CMP出来
: 好像直接那样做的很少啊
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c**y
发帖数: 99 | 11 Ti与Cu之间也有diffusion,得看楼主做什么用途了
【在 s******p 的大作中提到】
: 想起来以前工艺课上还讲了要用什么做个barrier
: 呵呵
: 多谢
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s******p
发帖数: 4962 | 12 very thin layer of Au or Cu, for nanowire growth catalyst
【在 c**y 的大作中提到】
: Ti与Cu之间也有diffusion,得看楼主做什么用途了
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a*******e
发帖数: 121 | 13 啊，又一个熟悉的id，jj我还是不懂。。。
没使过Cu
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
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c**y
发帖数: 99 | 14 the catalyst for nanowire growth should be isolated nanoparticle instead of
contious films. If you prepare the Au or Cu film less than 10nm, I think
the stress is not large enough to peel off from the Si substrate. Why not
search related reference?
【在 s******p 的大作中提到】
: very thin layer of Au or Cu, for nanowire growth catalyst
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y****7
发帖数: 8 | 15 现在业界一般用TaN/Ta作铜与电解质之间的barrier，以前用TiN/Ti。如果你只是做
buffer layer,那只用TaN或者TiN就可以了吧。当然这样做的话铜就不能plating上去了
【在 s******p 的大作中提到】
: Au对Si的附着能力不好
: 一般要用Ti做一层buffer
: 那Cu呢？
: 需要buffer layer么？
: 工艺新警察....请多指教
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w********o
发帖数: 10088 | 16 Cu应该不需要，就是起个诱导作用，随便撒点上去就行了，厚了没用，长nm deposit
1nm足够了，厚了你nanowire的材料钻不到Cu下面，长不到Si上去
【在 s******p 的大作中提到】
: very thin layer of Au or Cu, for nanowire growth catalyst
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c**y
发帖数: 99 | 17 it seems that the nanowire growth follow the "tip-growth" mechanism in this
case?
【在 w********o 的大作中提到】
: Cu应该不需要，就是起个诱导作用，随便撒点上去就行了，厚了没用，长nm deposit
: 1nm足够了，厚了你nanowire的材料钻不到Cu下面，长不到Si上去
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w********o
发帖数: 10088 | 18 用Au这些当诱导的nanowire都是头顶着Au往上长得吧，还是这里有不同？
this
【在 c**y 的大作中提到】
: it seems that the nanowire growth follow the "tip-growth" mechanism in this
: case?
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M*******c
发帖数: 4371 | 19 Cu同样需要buffer. Cu一样会和Si反应. |
