S****d
发帖数: 298 | 1 本人外行，碰巧遇到这个东西，有没有人了解的，谈谈。 |
H*****l
发帖数: 702 | 2 我做GaN的同学都TMD转行了。。。
有人跑去做graphene都不做GaN。。因为号称graphene是group 4...瀑布汗...
似乎是lattice mismatch?
而且p-type GaN 似乎很难做（参杂？）
GaN调lattice match。。
1980-1990年代，无数大牛牛想搞GaN on silicon，结果没一个有好下场。。。可是苦
了那些PhD
【在 S****d 的大作中提到】
: 本人外行，碰巧遇到这个东西，有没有人了解的，谈谈。
|
e******g
发帖数: 461 | 3 GaN on Silicon, Nitronex不是都生产出来了么? quality也还挺好的啊
【在 H*****l 的大作中提到】
: 我做GaN的同学都TMD转行了。。。
: 有人跑去做graphene都不做GaN。。因为号称graphene是group 4...瀑布汗...
: 似乎是lattice mismatch?
: 而且p-type GaN 似乎很难做（参杂？）
: GaN调lattice match。。
: 1980-1990年代，无数大牛牛想搞GaN on silicon，结果没一个有好下场。。。可是苦
: 了那些PhD
|
a*******i
发帖数: 11664 | 4 too many. what kind of materials do you want? for what application? using
MBE/MOCVD?
【在 S****d 的大作中提到】
: 本人外行，碰巧遇到这个东西，有没有人了解的，谈谈。
|
S****d
发帖数: 298 | 5 MOCVD做GaN on Silicon，现在进展如何？
【在 a*******i 的大作中提到】
: too many. what kind of materials do you want? for what application? using
: MBE/MOCVD?
|
S****d
发帖数: 298 | 6 似乎GaN on sapphire和SiC还做得挺多
【在 H*****l 的大作中提到】
: 我做GaN的同学都TMD转行了。。。
: 有人跑去做graphene都不做GaN。。因为号称graphene是group 4...瀑布汗...
: 似乎是lattice mismatch?
: 而且p-type GaN 似乎很难做（参杂？）
: GaN调lattice match。。
: 1980-1990年代，无数大牛牛想搞GaN on silicon，结果没一个有好下场。。。可是苦
: 了那些PhD
|
H*****l
发帖数: 702 | 7 quality，这个，要说到具体的应用范围才能谈quality把
偶是外行，瞎叫唤
大大科普下。。。。
wokaowokao 应该是expert.其实LZ把这个post去物理板把
那边人懂得多
我们都是买来wafer作structure了
某票人本来想自己长得，后来还是觉得买了，不想再growth上浪费生命和钞票
【在 e******g 的大作中提到】
: GaN on Silicon, Nitronex不是都生产出来了么? quality也还挺好的啊
|
a*******i
发帖数: 11664 | 8 这个我不做,不敢乱说.
【在 S****d 的大作中提到】
: MOCVD做GaN on Silicon，现在进展如何？
|
S****d
发帖数: 298 | 9 说说你知道的就行，科普一下，不一定非要这个。
【在 a*******i 的大作中提到】
: 这个我不做,不敢乱说.
|
a*******i
发帖数: 11664 | 10 quality主要是dislocation density, background doping,还有hetero-junction
interface.
for opto-electronics, 我感觉MOCVD好太多了
for electronics devices, MBE也还可以
【在 H*****l 的大作中提到】
: quality，这个，要说到具体的应用范围才能谈quality把
: 偶是外行，瞎叫唤
: 大大科普下。。。。
: wokaowokao 应该是expert.其实LZ把这个post去物理板把
: 那边人懂得多
: 我们都是买来wafer作structure了
: 某票人本来想自己长得，后来还是觉得买了，不想再growth上浪费生命和钞票
|
|
|
a*******i
发帖数: 11664 | 11 some:
1. nitrides没有合适的substrate. 很多人在用各种方法做GaN substrate, 可能近一
两年内会有突破,但是成本和时
间是个问题. 号称要提前3-6个月预定.
2. high dislocation density, partially due to lack of substrates
3. p-doping, 不完全是growth problem
4. AlGaN/GaN, or AlN/GaN interface roughness not good, 去问wkwk, 他做这个
5. for InGaN/InN on GaN, large lattice mismatch, for high In composition
InGaN, you may have phase
separation
【在 S****d 的大作中提到】
: 说说你知道的就行，科普一下，不一定非要这个。
|
H*****l
发帖数: 702 | 12 你说的这个是长在什么上面的？
GaN on silicon?
我是做Silicon的，AMCVD/PECVD is enough...
#不过问一句，不是说MBE sucks,现在大家都转MOCVD了，因为说句MBE温度太低？（不
懂这句话的意思。。。。）
#MBE做ED好
但是，GaN HEMT的几个记录都是MOCVD做出来的？！
【在 a*******i 的大作中提到】
: quality主要是dislocation density, background doping,还有hetero-junction
: interface.
: for opto-electronics, 我感觉MOCVD好太多了
: for electronics devices, MBE也还可以
|
H*****l
发帖数: 702 | 13
for 5
Gatech and dupont and whatever group want to insert GaN into a workable
solar cell.....they are trying and trying and trying....
【在 a*******i 的大作中提到】
: some:
: 1. nitrides没有合适的substrate. 很多人在用各种方法做GaN substrate, 可能近一
: 两年内会有突破,但是成本和时
: 间是个问题. 号称要提前3-6个月预定.
: 2. high dislocation density, partially due to lack of substrates
: 3. p-doping, 不完全是growth problem
: 4. AlGaN/GaN, or AlN/GaN interface roughness not good, 去问wkwk, 他做这个
: 5. for InGaN/InN on GaN, large lattice mismatch, for high In composition
: InGaN, you may have phase
: separation
|
a*******i
发帖数: 11664 | 14 我说的主要是GaN on sapphire or SiC, 这个做器件最多.
MBE是真空, 1e-11 torr, MOCVD基本是low pressure或常压了. 因为材料dissociation
还有vapor pressure的问
题, 长材料在MOCVD里面可以用比较高的温度. 通常在MBE长GaN也就600-700的样子,
MOCVD要900-
1000(roughly). 另外MOCVD长得比MBE快多了. 长得快有助于减少background doping(
but MOCVD has
Carbon doping, that is a problem. ), 而且可以长比较厚的buffer layer,都可以提
高质量.
那几个记录好像都是MOCVD的.
MBE勉勉强强可以做electronic devices, 但是对MOCVD没什么优势.
【在 H*****l 的大作中提到】
: 你说的这个是长在什么上面的？
: GaN on silicon?
: 我是做Silicon的，AMCVD/PECVD is enough...
: #不过问一句，不是说MBE sucks,现在大家都转MOCVD了，因为说句MBE温度太低？（不
: 懂这句话的意思。。。。）
: #MBE做ED好
: 但是，GaN HEMT的几个记录都是MOCVD做出来的？！
|
a*******i
发帖数: 11664 | 15 恩, so many troubles to use nitrides for solar cell
【在 H*****l 的大作中提到】
:
: for 5
: Gatech and dupont and whatever group want to insert GaN into a workable
: solar cell.....they are trying and trying and trying....
|
g*h
发帖数: 13 | 16 鬼子的公司做得比较多，欧洲也有一些，美国的公司比较少
古河电工今年展示了击穿电压超过1600V的功率器件，GaN还可以长在200mm硅片上
对于功率电子来说GaN on silicon是唯一的解决方案
【在 S****d 的大作中提到】
: MOCVD做GaN on Silicon，现在进展如何？
|
y*****i
发帖数: 72 | 17 The lack of native substrate is one of the biggest problem.
【在 S****d 的大作中提到】
: 本人外行，碰巧遇到这个东西，有没有人了解的，谈谈。
|
w********o
发帖数: 10088 | 18 别点我名字啊,楼上的都是师兄,我都不敢插嘴的
【在 H*****l 的大作中提到】
: quality，这个，要说到具体的应用范围才能谈quality把
: 偶是外行，瞎叫唤
: 大大科普下。。。。
: wokaowokao 应该是expert.其实LZ把这个post去物理板把
: 那边人懂得多
: 我们都是买来wafer作structure了
: 某票人本来想自己长得，后来还是觉得买了，不想再growth上浪费生命和钞票
|
w********o
发帖数: 10088 | 19 MBE对MOCVD的优势就是便宜,好操作,维护方便,可重复性好,哈哈
现在有人开始鼓吹氨气的MBE比MOCVD好使唤了,咱拭目以待
dissociation
【在 a*******i 的大作中提到】
: 我说的主要是GaN on sapphire or SiC, 这个做器件最多.
: MBE是真空, 1e-11 torr, MOCVD基本是low pressure或常压了. 因为材料dissociation
: 还有vapor pressure的问
: 题, 长材料在MOCVD里面可以用比较高的温度. 通常在MBE长GaN也就600-700的样子,
: MOCVD要900-
: 1000(roughly). 另外MOCVD长得比MBE快多了. 长得快有助于减少background doping(
: but MOCVD has
: Carbon doping, that is a problem. ), 而且可以长比较厚的buffer layer,都可以提
: 高质量.
: 那几个记录好像都是MOCVD的.
|
w********o
发帖数: 10088 | 20 忘了说了,MBE比MOCVD干净,对健康有好处,咔咔
dissociation
【在 a*******i 的大作中提到】
: 我说的主要是GaN on sapphire or SiC, 这个做器件最多.
: MBE是真空, 1e-11 torr, MOCVD基本是low pressure或常压了. 因为材料dissociation
: 还有vapor pressure的问
: 题, 长材料在MOCVD里面可以用比较高的温度. 通常在MBE长GaN也就600-700的样子,
: MOCVD要900-
: 1000(roughly). 另外MOCVD长得比MBE快多了. 长得快有助于减少background doping(
: but MOCVD has
: Carbon doping, that is a problem. ), 而且可以长比较厚的buffer layer,都可以提
: 高质量.
: 那几个记录好像都是MOCVD的.
|
|
|
H*****l
发帖数: 702 | 21 are you sure?
我接触的duxxx 用MBE的engineer感觉一个个都苦大仇深的样子，听说我就用用PECVD和
AMCVD都说boy ,you got a easy life to enjoy...而且他们都抱怨为什么不能像MIT，
Caltech那样用MOCVD长multiple(>100) layers for 3-5 solar cell, 他们自己用MBE
长，据说很痛苦。。。
我搓，认为PECVD以上就是我的能力范围以外了。。。赫赫
【在 w********o 的大作中提到】
: MBE对MOCVD的优势就是便宜,好操作,维护方便,可重复性好,哈哈
: 现在有人开始鼓吹氨气的MBE比MOCVD好使唤了,咱拭目以待
:
: dissociation
|
H*****l
发帖数: 702 | 22 怪不得你老板那个大美人做这玩意呢。。
【在 w********o 的大作中提到】
: 忘了说了,MBE比MOCVD干净,对健康有好处,咔咔
:
: dissociation
|
w********o
发帖数: 10088 | 23 那是因为mbe长厚的结构时间长,比较痛苦吧
mocvd的痛苦恐怕是若干年后才能体会到的,咔咔
MBE
【在 H*****l 的大作中提到】
: are you sure?
: 我接触的duxxx 用MBE的engineer感觉一个个都苦大仇深的样子，听说我就用用PECVD和
: AMCVD都说boy ,you got a easy life to enjoy...而且他们都抱怨为什么不能像MIT，
: Caltech那样用MOCVD长multiple(>100) layers for 3-5 solar cell, 他们自己用MBE
: 长，据说很痛苦。。。
: 我搓，认为PECVD以上就是我的能力范围以外了。。。赫赫
|
w********o
发帖数: 10088 | 24 哪个大美人?
老板娘?
【在 H*****l 的大作中提到】
: 怪不得你老板那个大美人做这玩意呢。。
|
S****d
发帖数: 298 | 25 SiC不行吗？
【在 g*h 的大作中提到】
: 鬼子的公司做得比较多，欧洲也有一些，美国的公司比较少
: 古河电工今年展示了击穿电压超过1600V的功率器件，GaN还可以长在200mm硅片上
: 对于功率电子来说GaN on silicon是唯一的解决方案
|
H*****l
发帖数: 702 | 26 SiC 贵吧
而且现在能直接拉SiC的ingot?
记得SiGe的ingot都能拉了，SiC应该可以？
不过还是贵
【在 S****d 的大作中提到】
: SiC不行吗？
|
H*****l
发帖数: 702 | 27 co-director?
那就老板娘把。。。瓦卡卡卡
【在 w********o 的大作中提到】
: 哪个大美人?
: 老板娘?
|
a*******i
发帖数: 11664 | 28
~~~~~~~~~~~~~~~~~ UCSB 的那个christina? 去年emc她做报告了。
【在 w********o 的大作中提到】
: MBE对MOCVD的优势就是便宜,好操作,维护方便,可重复性好,哈哈
: 现在有人开始鼓吹氨气的MBE比MOCVD好使唤了,咱拭目以待
:
: dissociation
|
a*******i
发帖数: 11664 | 29 都是体力活。
MOCVD好像毒性比MBE大一些。MOCVD废气还要单独处理过滤，见过一次泄漏，真是恐怖
啊。
MBE
【在 H*****l 的大作中提到】
: are you sure?
: 我接触的duxxx 用MBE的engineer感觉一个个都苦大仇深的样子，听说我就用用PECVD和
: AMCVD都说boy ,you got a easy life to enjoy...而且他们都抱怨为什么不能像MIT，
: Caltech那样用MOCVD长multiple(>100) layers for 3-5 solar cell, 他们自己用MBE
: 长，据说很痛苦。。。
: 我搓，认为PECVD以上就是我的能力范围以外了。。。赫赫
|
S****d
发帖数: 298 | 30 这种事情应该不常见吧？
【在 a*******i 的大作中提到】
: 都是体力活。
: MOCVD好像毒性比MBE大一些。MOCVD废气还要单独处理过滤，见过一次泄漏，真是恐怖
: 啊。
:
: MBE
|
|
|
w********o
发帖数: 10088 | 31 嗯,常见的是停电一次或者是载气断了一段时间,你的生长环境就全变了,生长参数要重
新调
【在 S****d 的大作中提到】
: 这种事情应该不常见吧？
|
g*h
发帖数: 13 | 32 等cree卖6inch以上的衬底再说吧
【在 S****d 的大作中提到】
: SiC不行吗？
|
r*********e
发帖数: 281 | 33 GaN on Si is a very tough thing to deal with.
I believe SiC will become cheaper and cheaper as long as there is a big
enough market.
【在 S****d 的大作中提到】
: SiC不行吗？
|
r*********e
发帖数: 281 | 34 呼唤newdj
【在 H*****l 的大作中提到】
: co-director?
: 那就老板娘把。。。瓦卡卡卡
|
g*h
发帖数: 13 | 35 GaAs on Si has already been required by CMOS technology, which is even more
complicated than GaN on Si.
【在 r*********e 的大作中提到】
: GaN on Si is a very tough thing to deal with.
: I believe SiC will become cheaper and cheaper as long as there is a big
: enough market.
|
S****d
发帖数: 298 | 36 那不是说困难的问题先被解决了？
more
【在 g*h 的大作中提到】
: GaAs on Si has already been required by CMOS technology, which is even more
: complicated than GaN on Si.
|
c*u
发帖数: 916 | 37 本人也有个问题，既然GaN的LD和LED做出来了，做GaN的superluminesence diode的困
难在哪里？
【在 S****d 的大作中提到】
: 本人外行，碰巧遇到这个东西，有没有人了解的，谈谈。
|
a*******i
发帖数: 11664 | 38 GaN的LD yield很低吧？
另外p-type doping我不知道现在大家怎么解决的。
【在 c*u 的大作中提到】
: 本人也有个问题，既然GaN的LD和LED做出来了，做GaN的superluminesence diode的困
: 难在哪里？
|
H*****l
发帖数: 702 | 39 Fluorid doping.....
【在 a*******i 的大作中提到】
: GaN的LD yield很低吧？
: 另外p-type doping我不知道现在大家怎么解决的。
|
H*****l
发帖数: 702 | 40 for what?
optic-interconncet?
more
【在 g*h 的大作中提到】
: GaAs on Si has already been required by CMOS technology, which is even more
: complicated than GaN on Si.
|
|
|
H*****l
发帖数: 702 | 41 SiC 现在可以直接拉ingot?
还是Si上面epi SiC,再epi whatever you want
【在 r*********e 的大作中提到】
: GaN on Si is a very tough thing to deal with.
: I believe SiC will become cheaper and cheaper as long as there is a big
: enough market.
|
y*****i
发帖数: 72 | 42 深有体会！
俺们这里暑假老停电，我整个暑假就没干别的，光顾着把生长参数调回来
【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯,常见的是停电一次或者是载气断了一段时间,你的生长环境就全变了,生长参数要重
: 新调
|
S****d
发帖数: 298 | 43 想问一下实验方面，各位在做epi时都是怎样设计生长参数的呢？
【在 S****d 的大作中提到】
: 那不是说困难的问题先被解决了？
:
: more
|
H*****l
发帖数: 702 | 44 Man,this could be 6-year PhD topics for some guys here
【在 S****d 的大作中提到】
: 想问一下实验方面，各位在做epi时都是怎样设计生长参数的呢？
|
S****d
发帖数: 298 | 45 呵呵呵，不好意思，问题问得小白了
【在 H*****l 的大作中提到】
: Man,this could be 6-year PhD topics for some guys here
|
S****d
发帖数: 298 | 46 methodology可以讲讲吧，比如根据什么理论什么模型算出个什么范围然后慢慢调整实验
再修正。想了解了解材料科学怎么个搞法。
【在 H*****l 的大作中提到】
: Man,this could be 6-year PhD topics for some guys here
|
H*****l
发帖数: 702 | 47 i am LITTLE WHITE as you
有请楼上高人。。。。
其实你自己scholargoogle review paper算了。。。。
实验
【在 S****d 的大作中提到】
: methodology可以讲讲吧，比如根据什么理论什么模型算出个什么范围然后慢慢调整实验
: 再修正。想了解了解材料科学怎么个搞法。
|
H*****l
发帖数: 702 | 48 其实我怀疑如何methodology PECVD和MOCVD一样的话，那或多或少都要有邪恶的DOE。
。。。
实验
【在 S****d 的大作中提到】
: methodology可以讲讲吧，比如根据什么理论什么模型算出个什么范围然后慢慢调整实验
: 再修正。想了解了解材料科学怎么个搞法。
|
a*******i
发帖数: 11664 | 49 读相关的paper，看大家都在变什么参数。可变的东西实在太多了。我们经常调的就是
substrate temperature和flux。基本上就是摸着石头过河，每轮一定都要有control
sample。最简单直接的是固定其他的只变一个参数，找到最佳的后再变别的参数。复杂
一点的就是做mapping，在一个区域内都试一遍，费时费力费钱，不过据说小日本经常
这么干。
实际中最难的是能不能repeat结果。如果你同一个生长条件出来的东西都一样，那长材
料就太容易了。我们经常是相同条件昨天的跟今天的不一样，上个礼拜跟这个礼拜不一
样。
【在 S****d 的大作中提到】
: 想问一下实验方面，各位在做epi时都是怎样设计生长参数的呢？
|
w********o
发帖数: 10088 | 50 调参数这个事情,主要还是在家靠父母,出门靠师兄,哈哈
【在 a*******i 的大作中提到】
: 读相关的paper，看大家都在变什么参数。可变的东西实在太多了。我们经常调的就是
: substrate temperature和flux。基本上就是摸着石头过河，每轮一定都要有control
: sample。最简单直接的是固定其他的只变一个参数，找到最佳的后再变别的参数。复杂
: 一点的就是做mapping，在一个区域内都试一遍，费时费力费钱，不过据说小日本经常
: 这么干。
: 实际中最难的是能不能repeat结果。如果你同一个生长条件出来的东西都一样，那长材
: 料就太容易了。我们经常是相同条件昨天的跟今天的不一样，上个礼拜跟这个礼拜不一
: 样。
|
|
|
H*****l
发帖数: 702 | 51 师兄。。。
牛顿说的那种被人踩在肩上的人？！。。。。#￥%·#
【在 w********o 的大作中提到】
: 调参数这个事情,主要还是在家靠父母,出门靠师兄,哈哈
|
S****d
发帖数: 298 | 52
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~完全没想到
【在 a*******i 的大作中提到】
: 读相关的paper，看大家都在变什么参数。可变的东西实在太多了。我们经常调的就是
: substrate temperature和flux。基本上就是摸着石头过河，每轮一定都要有control
: sample。最简单直接的是固定其他的只变一个参数，找到最佳的后再变别的参数。复杂
: 一点的就是做mapping，在一个区域内都试一遍，费时费力费钱，不过据说小日本经常
: 这么干。
: 实际中最难的是能不能repeat结果。如果你同一个生长条件出来的东西都一样，那长材
: 料就太容易了。我们经常是相同条件昨天的跟今天的不一样，上个礼拜跟这个礼拜不一
: 样。
|
