S****d 发帖数: 298 | 1 本人外行,碰巧遇到这个东西,有没有人了解的,谈谈。 |
H*****l 发帖数: 702 | 2 我做GaN的同学都TMD转行了。。。
有人跑去做graphene都不做GaN。。因为号称graphene是group 4...瀑布汗...
似乎是lattice mismatch?
而且p-type GaN 似乎很难做(参杂?)
GaN调lattice match。。
1980-1990年代,无数大牛牛想搞GaN on silicon,结果没一个有好下场。。。可是苦
了那些PhD
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 本人外行,碰巧遇到这个东西,有没有人了解的,谈谈。
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e******g 发帖数: 461 | 3 GaN on Silicon, Nitronex不是都生产出来了么? quality也还挺好的啊
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 我做GaN的同学都TMD转行了。。。 : 有人跑去做graphene都不做GaN。。因为号称graphene是group 4...瀑布汗... : 似乎是lattice mismatch? : 而且p-type GaN 似乎很难做(参杂?) : GaN调lattice match。。 : 1980-1990年代,无数大牛牛想搞GaN on silicon,结果没一个有好下场。。。可是苦 : 了那些PhD
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a*******i 发帖数: 11664 | 4 too many. what kind of materials do you want? for what application? using
MBE/MOCVD?
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 本人外行,碰巧遇到这个东西,有没有人了解的,谈谈。
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S****d 发帖数: 298 | 5 MOCVD做GaN on Silicon,现在进展如何?
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : too many. what kind of materials do you want? for what application? using : MBE/MOCVD?
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S****d 发帖数: 298 | 6 似乎GaN on sapphire和SiC还做得挺多
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 我做GaN的同学都TMD转行了。。。 : 有人跑去做graphene都不做GaN。。因为号称graphene是group 4...瀑布汗... : 似乎是lattice mismatch? : 而且p-type GaN 似乎很难做(参杂?) : GaN调lattice match。。 : 1980-1990年代,无数大牛牛想搞GaN on silicon,结果没一个有好下场。。。可是苦 : 了那些PhD
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H*****l 发帖数: 702 | 7 quality,这个,要说到具体的应用范围才能谈quality把
偶是外行,瞎叫唤
大大科普下。。。。
wokaowokao 应该是expert.其实LZ把这个post去物理板把
那边人懂得多
我们都是买来wafer作structure了
某票人本来想自己长得,后来还是觉得买了,不想再growth上浪费生命和钞票
【在 e******g 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : GaN on Silicon, Nitronex不是都生产出来了么? quality也还挺好的啊
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a*******i 发帖数: 11664 | 8 这个我不做,不敢乱说.
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : MOCVD做GaN on Silicon,现在进展如何?
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S****d 发帖数: 298 | 9 说说你知道的就行,科普一下,不一定非要这个。
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 这个我不做,不敢乱说.
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a*******i 发帖数: 11664 | 10 quality主要是dislocation density, background doping,还有hetero-junction
interface.
for opto-electronics, 我感觉MOCVD好太多了
for electronics devices, MBE也还可以
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : quality,这个,要说到具体的应用范围才能谈quality把 : 偶是外行,瞎叫唤 : 大大科普下。。。。 : wokaowokao 应该是expert.其实LZ把这个post去物理板把 : 那边人懂得多 : 我们都是买来wafer作structure了 : 某票人本来想自己长得,后来还是觉得买了,不想再growth上浪费生命和钞票
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a*******i 发帖数: 11664 | 11 some:
1. nitrides没有合适的substrate. 很多人在用各种方法做GaN substrate, 可能近一
两年内会有突破,但是成本和时
间是个问题. 号称要提前3-6个月预定.
2. high dislocation density, partially due to lack of substrates
3. p-doping, 不完全是growth problem
4. AlGaN/GaN, or AlN/GaN interface roughness not good, 去问wkwk, 他做这个
5. for InGaN/InN on GaN, large lattice mismatch, for high In composition
InGaN, you may have phase
separation
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 说说你知道的就行,科普一下,不一定非要这个。
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H*****l 发帖数: 702 | 12 你说的这个是长在什么上面的?
GaN on silicon?
我是做Silicon的,AMCVD/PECVD is enough...
#不过问一句,不是说MBE sucks,现在大家都转MOCVD了,因为说句MBE温度太低?(不
懂这句话的意思。。。。)
#MBE做ED好
但是,GaN HEMT的几个记录都是MOCVD做出来的?!
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : quality主要是dislocation density, background doping,还有hetero-junction : interface. : for opto-electronics, 我感觉MOCVD好太多了 : for electronics devices, MBE也还可以
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H*****l 发帖数: 702 | 13
for 5
Gatech and dupont and whatever group want to insert GaN into a workable
solar cell.....they are trying and trying and trying....
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : some: : 1. nitrides没有合适的substrate. 很多人在用各种方法做GaN substrate, 可能近一 : 两年内会有突破,但是成本和时 : 间是个问题. 号称要提前3-6个月预定. : 2. high dislocation density, partially due to lack of substrates : 3. p-doping, 不完全是growth problem : 4. AlGaN/GaN, or AlN/GaN interface roughness not good, 去问wkwk, 他做这个 : 5. for InGaN/InN on GaN, large lattice mismatch, for high In composition : InGaN, you may have phase : separation
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a*******i 发帖数: 11664 | 14 我说的主要是GaN on sapphire or SiC, 这个做器件最多.
MBE是真空, 1e-11 torr, MOCVD基本是low pressure或常压了. 因为材料dissociation
还有vapor pressure的问
题, 长材料在MOCVD里面可以用比较高的温度. 通常在MBE长GaN也就600-700的样子,
MOCVD要900-
1000(roughly). 另外MOCVD长得比MBE快多了. 长得快有助于减少background doping(
but MOCVD has
Carbon doping, that is a problem. ), 而且可以长比较厚的buffer layer,都可以提
高质量.
那几个记录好像都是MOCVD的.
MBE勉勉强强可以做electronic devices, 但是对MOCVD没什么优势.
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 你说的这个是长在什么上面的? : GaN on silicon? : 我是做Silicon的,AMCVD/PECVD is enough... : #不过问一句,不是说MBE sucks,现在大家都转MOCVD了,因为说句MBE温度太低?(不 : 懂这句话的意思。。。。) : #MBE做ED好 : 但是,GaN HEMT的几个记录都是MOCVD做出来的?!
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a*******i 发帖数: 11664 | 15 恩, so many troubles to use nitrides for solar cell
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : : for 5 : Gatech and dupont and whatever group want to insert GaN into a workable : solar cell.....they are trying and trying and trying....
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g*h 发帖数: 13 | 16 鬼子的公司做得比较多,欧洲也有一些,美国的公司比较少
古河电工今年展示了击穿电压超过1600V的功率器件,GaN还可以长在200mm硅片上
对于功率电子来说GaN on silicon是唯一的解决方案
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : MOCVD做GaN on Silicon,现在进展如何?
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y*****i 发帖数: 72 | 17 The lack of native substrate is one of the biggest problem.
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 本人外行,碰巧遇到这个东西,有没有人了解的,谈谈。
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w********o 发帖数: 10088 | 18 别点我名字啊,楼上的都是师兄,我都不敢插嘴的
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : quality,这个,要说到具体的应用范围才能谈quality把 : 偶是外行,瞎叫唤 : 大大科普下。。。。 : wokaowokao 应该是expert.其实LZ把这个post去物理板把 : 那边人懂得多 : 我们都是买来wafer作structure了 : 某票人本来想自己长得,后来还是觉得买了,不想再growth上浪费生命和钞票
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w********o 发帖数: 10088 | 19 MBE对MOCVD的优势就是便宜,好操作,维护方便,可重复性好,哈哈
现在有人开始鼓吹氨气的MBE比MOCVD好使唤了,咱拭目以待
dissociation
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 我说的主要是GaN on sapphire or SiC, 这个做器件最多. : MBE是真空, 1e-11 torr, MOCVD基本是low pressure或常压了. 因为材料dissociation : 还有vapor pressure的问 : 题, 长材料在MOCVD里面可以用比较高的温度. 通常在MBE长GaN也就600-700的样子, : MOCVD要900- : 1000(roughly). 另外MOCVD长得比MBE快多了. 长得快有助于减少background doping( : but MOCVD has : Carbon doping, that is a problem. ), 而且可以长比较厚的buffer layer,都可以提 : 高质量. : 那几个记录好像都是MOCVD的.
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w********o 发帖数: 10088 | 20 忘了说了,MBE比MOCVD干净,对健康有好处,咔咔
dissociation
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 我说的主要是GaN on sapphire or SiC, 这个做器件最多. : MBE是真空, 1e-11 torr, MOCVD基本是low pressure或常压了. 因为材料dissociation : 还有vapor pressure的问 : 题, 长材料在MOCVD里面可以用比较高的温度. 通常在MBE长GaN也就600-700的样子, : MOCVD要900- : 1000(roughly). 另外MOCVD长得比MBE快多了. 长得快有助于减少background doping( : but MOCVD has : Carbon doping, that is a problem. ), 而且可以长比较厚的buffer layer,都可以提 : 高质量. : 那几个记录好像都是MOCVD的.
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H*****l 发帖数: 702 | 21 are you sure?
我接触的duxxx 用MBE的engineer感觉一个个都苦大仇深的样子,听说我就用用PECVD和
AMCVD都说boy ,you got a easy life to enjoy...而且他们都抱怨为什么不能像MIT,
Caltech那样用MOCVD长multiple(>100) layers for 3-5 solar cell, 他们自己用MBE
长,据说很痛苦。。。
我搓,认为PECVD以上就是我的能力范围以外了。。。赫赫
【在 w********o 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : MBE对MOCVD的优势就是便宜,好操作,维护方便,可重复性好,哈哈 : 现在有人开始鼓吹氨气的MBE比MOCVD好使唤了,咱拭目以待 : : dissociation
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H*****l 发帖数: 702 | 22 怪不得你老板那个大美人做这玩意呢。。
【在 w********o 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 忘了说了,MBE比MOCVD干净,对健康有好处,咔咔 : : dissociation
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w********o 发帖数: 10088 | 23 那是因为mbe长厚的结构时间长,比较痛苦吧
mocvd的痛苦恐怕是若干年后才能体会到的,咔咔
MBE
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : are you sure? : 我接触的duxxx 用MBE的engineer感觉一个个都苦大仇深的样子,听说我就用用PECVD和 : AMCVD都说boy ,you got a easy life to enjoy...而且他们都抱怨为什么不能像MIT, : Caltech那样用MOCVD长multiple(>100) layers for 3-5 solar cell, 他们自己用MBE : 长,据说很痛苦。。。 : 我搓,认为PECVD以上就是我的能力范围以外了。。。赫赫
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w********o 发帖数: 10088 | 24 哪个大美人?
老板娘?
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 怪不得你老板那个大美人做这玩意呢。。
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S****d 发帖数: 298 | 25 SiC不行吗?
【在 g*h 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 鬼子的公司做得比较多,欧洲也有一些,美国的公司比较少 : 古河电工今年展示了击穿电压超过1600V的功率器件,GaN还可以长在200mm硅片上 : 对于功率电子来说GaN on silicon是唯一的解决方案
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H*****l 发帖数: 702 | 26 SiC 贵吧
而且现在能直接拉SiC的ingot?
记得SiGe的ingot都能拉了,SiC应该可以?
不过还是贵
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : SiC不行吗?
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H*****l 发帖数: 702 | 27 co-director?
那就老板娘把。。。瓦卡卡卡
【在 w********o 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 哪个大美人? : 老板娘?
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a*******i 发帖数: 11664 | 28
~~~~~~~~~~~~~~~~~ UCSB 的那个christina? 去年emc她做报告了。
【在 w********o 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : MBE对MOCVD的优势就是便宜,好操作,维护方便,可重复性好,哈哈 : 现在有人开始鼓吹氨气的MBE比MOCVD好使唤了,咱拭目以待 : : dissociation
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a*******i 发帖数: 11664 | 29 都是体力活。
MOCVD好像毒性比MBE大一些。MOCVD废气还要单独处理过滤,见过一次泄漏,真是恐怖
啊。
MBE
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : are you sure? : 我接触的duxxx 用MBE的engineer感觉一个个都苦大仇深的样子,听说我就用用PECVD和 : AMCVD都说boy ,you got a easy life to enjoy...而且他们都抱怨为什么不能像MIT, : Caltech那样用MOCVD长multiple(>100) layers for 3-5 solar cell, 他们自己用MBE : 长,据说很痛苦。。。 : 我搓,认为PECVD以上就是我的能力范围以外了。。。赫赫
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S****d 发帖数: 298 | 30 这种事情应该不常见吧?
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 都是体力活。 : MOCVD好像毒性比MBE大一些。MOCVD废气还要单独处理过滤,见过一次泄漏,真是恐怖 : 啊。 : : MBE
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w********o 发帖数: 10088 | 31 嗯,常见的是停电一次或者是载气断了一段时间,你的生长环境就全变了,生长参数要重
新调
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 这种事情应该不常见吧?
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g*h 发帖数: 13 | 32 等cree卖6inch以上的衬底再说吧
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : SiC不行吗?
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r*********e 发帖数: 281 | 33 GaN on Si is a very tough thing to deal with.
I believe SiC will become cheaper and cheaper as long as there is a big
enough market.
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : SiC不行吗?
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r*********e 发帖数: 281 | 34 呼唤newdj
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : co-director? : 那就老板娘把。。。瓦卡卡卡
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g*h 发帖数: 13 | 35 GaAs on Si has already been required by CMOS technology, which is even more
complicated than GaN on Si.
【在 r*********e 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : GaN on Si is a very tough thing to deal with. : I believe SiC will become cheaper and cheaper as long as there is a big : enough market.
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S****d 发帖数: 298 | 36 那不是说困难的问题先被解决了?
more
【在 g*h 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : GaAs on Si has already been required by CMOS technology, which is even more : complicated than GaN on Si.
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c*u 发帖数: 916 | 37 本人也有个问题,既然GaN的LD和LED做出来了,做GaN的superluminesence diode的困
难在哪里?
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 本人外行,碰巧遇到这个东西,有没有人了解的,谈谈。
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a*******i 发帖数: 11664 | 38 GaN的LD yield很低吧?
另外p-type doping我不知道现在大家怎么解决的。
【在 c*u 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 本人也有个问题,既然GaN的LD和LED做出来了,做GaN的superluminesence diode的困 : 难在哪里?
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H*****l 发帖数: 702 | 39 Fluorid doping.....
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : GaN的LD yield很低吧? : 另外p-type doping我不知道现在大家怎么解决的。
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H*****l 发帖数: 702 | 40 for what?
optic-interconncet?
more
【在 g*h 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : GaAs on Si has already been required by CMOS technology, which is even more : complicated than GaN on Si.
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H*****l 发帖数: 702 | 41 SiC 现在可以直接拉ingot?
还是Si上面epi SiC,再epi whatever you want
【在 r*********e 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : GaN on Si is a very tough thing to deal with. : I believe SiC will become cheaper and cheaper as long as there is a big : enough market.
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y*****i 发帖数: 72 | 42 深有体会!
俺们这里暑假老停电,我整个暑假就没干别的,光顾着把生长参数调回来
【在 w********o 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 嗯,常见的是停电一次或者是载气断了一段时间,你的生长环境就全变了,生长参数要重 : 新调
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S****d 发帖数: 298 | 43 想问一下实验方面,各位在做epi时都是怎样设计生长参数的呢?
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 那不是说困难的问题先被解决了? : : more
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H*****l 发帖数: 702 | 44 Man,this could be 6-year PhD topics for some guys here
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 想问一下实验方面,各位在做epi时都是怎样设计生长参数的呢?
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S****d 发帖数: 298 | 45 呵呵呵,不好意思,问题问得小白了
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : Man,this could be 6-year PhD topics for some guys here
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S****d 发帖数: 298 | 46 methodology可以讲讲吧,比如根据什么理论什么模型算出个什么范围然后慢慢调整实验
再修正。想了解了解材料科学怎么个搞法。
【在 H*****l 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : Man,this could be 6-year PhD topics for some guys here
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H*****l 发帖数: 702 | 47 i am LITTLE WHITE as you
有请楼上高人。。。。
其实你自己scholargoogle review paper算了。。。。
实验
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : methodology可以讲讲吧,比如根据什么理论什么模型算出个什么范围然后慢慢调整实验 : 再修正。想了解了解材料科学怎么个搞法。
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H*****l 发帖数: 702 | 48 其实我怀疑如何methodology PECVD和MOCVD一样的话,那或多或少都要有邪恶的DOE。
。。。
实验
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : methodology可以讲讲吧,比如根据什么理论什么模型算出个什么范围然后慢慢调整实验 : 再修正。想了解了解材料科学怎么个搞法。
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a*******i 发帖数: 11664 | 49 读相关的paper,看大家都在变什么参数。可变的东西实在太多了。我们经常调的就是
substrate temperature和flux。基本上就是摸着石头过河,每轮一定都要有control
sample。最简单直接的是固定其他的只变一个参数,找到最佳的后再变别的参数。复杂
一点的就是做mapping,在一个区域内都试一遍,费时费力费钱,不过据说小日本经常
这么干。
实际中最难的是能不能repeat结果。如果你同一个生长条件出来的东西都一样,那长材
料就太容易了。我们经常是相同条件昨天的跟今天的不一样,上个礼拜跟这个礼拜不一
样。
【在 S****d 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 想问一下实验方面,各位在做epi时都是怎样设计生长参数的呢?
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w********o 发帖数: 10088 | 50 调参数这个事情,主要还是在家靠父母,出门靠师兄,哈哈
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 读相关的paper,看大家都在变什么参数。可变的东西实在太多了。我们经常调的就是 : substrate temperature和flux。基本上就是摸着石头过河,每轮一定都要有control : sample。最简单直接的是固定其他的只变一个参数,找到最佳的后再变别的参数。复杂 : 一点的就是做mapping,在一个区域内都试一遍,费时费力费钱,不过据说小日本经常 : 这么干。 : 实际中最难的是能不能repeat结果。如果你同一个生长条件出来的东西都一样,那长材 : 料就太容易了。我们经常是相同条件昨天的跟今天的不一样,上个礼拜跟这个礼拜不一 : 样。
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H*****l 发帖数: 702 | 51 师兄。。。
牛顿说的那种被人踩在肩上的人?!。。。。#¥%·#
【在 w********o 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 调参数这个事情,主要还是在家靠父母,出门靠师兄,哈哈
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S****d 发帖数: 298 | 52
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~完全没想到
【在 a*******i 的大作中提到】![](/moin_static193/solenoid/img/up.png) : 读相关的paper,看大家都在变什么参数。可变的东西实在太多了。我们经常调的就是 : substrate temperature和flux。基本上就是摸着石头过河,每轮一定都要有control : sample。最简单直接的是固定其他的只变一个参数,找到最佳的后再变别的参数。复杂 : 一点的就是做mapping,在一个区域内都试一遍,费时费力费钱,不过据说小日本经常 : 这么干。 : 实际中最难的是能不能repeat结果。如果你同一个生长条件出来的东西都一样,那长材 : 料就太容易了。我们经常是相同条件昨天的跟今天的不一样,上个礼拜跟这个礼拜不一 : 样。
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