i*****e
发帖数: 633 | 1 我试着去simulate一个GaN/AlN MQW的能带结构，但是不知道对不对，想请熟悉的人帮
着看一下是否有错误，5个包子答谢。 |
w********o
发帖数: 10088 | |
H*****l
发帖数: 702 | 3 刚忽悠完老板回来就拜大牛
【在 w********o 的大作中提到】
: 你用什么软件模拟的？
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i*****e
发帖数: 633 | 4 我用一个比较傻瓜的软件，叫做1D poisson, 在http://www.nd.edu/~gsnider/
下载的。作者是Greg Snider @ notre dame
如果您有其他的软件推荐，或者愿意给任何建议，我都将非常感激。
【在 w********o 的大作中提到】
: 你用什么软件模拟的？
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w********o
发帖数: 10088 | 5 1d poisson挺好，我也用它
【在 i*****e 的大作中提到】
: 我用一个比较傻瓜的软件，叫做1D poisson, 在http://www.nd.edu/~gsnider/
: 下载的。作者是Greg Snider @ notre dame
: 如果您有其他的软件推荐，或者愿意给任何建议，我都将非常感激。
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w********o
发帖数: 10088 | 6 你忽悠的是哪个公司的老板啊
【在 H*****l 的大作中提到】
: 刚忽悠完老板回来就拜大牛
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l*******e
发帖数: 1485 | 7 俩牛儿都现身了，赶紧顺路问个问题。
我用那个1d possion 仿真AlGaAs/GaAs HEMT, 就是直接用软件默认值，出来个能带图
。我所不明白的是：
1. 这个是无偏置电压对吧？
2. 这个Ec-Ef怎么才只有不到0.2eV? 这个难道不是无掺杂GaAs能带间隙的一半吗？也
就是（Ec-Ef）=Eg/2=1.42/2=0.71eV ?
3. 这个Ef 是由偏置电压Va来决定 Ef=Ef_metal-q*Va, 那么相应的Ec_GaAs如果不是由
Eg/2来决定，应该由什么来决定呢？
问题有点多啊，困扰我好几天了，烦请两位给指导一下。 |
j***i
发帖数: 1278 | 8 已经抄送你老板了
【在 H*****l 的大作中提到】
: 刚忽悠完老板回来就拜大牛
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ET
发帖数: 10701 | 9 收到。
【在 j***i 的大作中提到】
: 已经抄送你老板了
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i*****e
发帖数: 633 | 10 ......
这位同学好坏啊。人家的问题还没有被解答呢，你跳出来生生的把楼推歪了！！！
【在 l*******e 的大作中提到】
: 俩牛儿都现身了，赶紧顺路问个问题。
: 我用那个1d possion 仿真AlGaAs/GaAs HEMT, 就是直接用软件默认值，出来个能带图
: 。我所不明白的是：
: 1. 这个是无偏置电压对吧？
: 2. 这个Ec-Ef怎么才只有不到0.2eV? 这个难道不是无掺杂GaAs能带间隙的一半吗？也
: 就是（Ec-Ef）=Eg/2=1.42/2=0.71eV ?
: 3. 这个Ef 是由偏置电压Va来决定 Ef=Ef_metal-q*Va, 那么相应的Ec_GaAs如果不是由
: Eg/2来决定，应该由什么来决定呢？
: 问题有点多啊，困扰我好几天了，烦请两位给指导一下。
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i*****e
发帖数: 633 | 11 ”大宝SOD蜜，我也用它“
【在 w********o 的大作中提到】
: 1d poisson挺好，我也用它
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w********o
发帖数: 10088 | 12 你dope了么？有没有偏置电压是可以设的，记得默认的是0
【在 l*******e 的大作中提到】
: 俩牛儿都现身了，赶紧顺路问个问题。
: 我用那个1d possion 仿真AlGaAs/GaAs HEMT, 就是直接用软件默认值，出来个能带图
: 。我所不明白的是：
: 1. 这个是无偏置电压对吧？
: 2. 这个Ec-Ef怎么才只有不到0.2eV? 这个难道不是无掺杂GaAs能带间隙的一半吗？也
: 就是（Ec-Ef）=Eg/2=1.42/2=0.71eV ?
: 3. 这个Ef 是由偏置电压Va来决定 Ef=Ef_metal-q*Va, 那么相应的Ec_GaAs如果不是由
: Eg/2来决定，应该由什么来决定呢？
: 问题有点多啊，困扰我好几天了，烦请两位给指导一下。
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l*******e
发帖数: 1485 | 13 这不是好容易碰到牛人了，赶紧问嘛。。。。楼歪了，等您来扶正了。。。
MetalGate/n-GaAs/n-AlGaAs/AlGaAs/GaAs
偏置电压可能就是默认0吧。
dope情况都是默认的，也就是头两层是doped，下面隔离层和沟道层都是undoped。这个
隔离层和沟道层能带问题困扰我好久了。。。。一直百思不得其解。难道是因为有了
Metal Gate, 沟道层undoped GaAs的Ec-Ef也跟着缩小了？
【在 w********o 的大作中提到】
: 你dope了么？有没有偏置电压是可以设的，记得默认的是0
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w********o
发帖数: 10088 | 14 你把你的code贴出来吧
【在 l*******e 的大作中提到】
: 这不是好容易碰到牛人了，赶紧问嘛。。。。楼歪了，等您来扶正了。。。
: MetalGate/n-GaAs/n-AlGaAs/AlGaAs/GaAs
: 偏置电压可能就是默认0吧。
: dope情况都是默认的，也就是头两层是doped，下面隔离层和沟道层都是undoped。这个
: 隔离层和沟道层能带问题困扰我好久了。。。。一直百思不得其解。难道是因为有了
: Metal Gate, 沟道层undoped GaAs的Ec-Ef也跟着缩小了？
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l*******e
发帖数: 1485 | 15 我是用snider的那个1d possion.exe 看不见code吧。
我贴个能带图。可以明显看到沟道层undoped GaAs Ec-Ef<0.2, 这也跟教材上一致，但
我只是不明白为什么不是Ec-Ef=Eg/2.
下面是材料参数：
==================================
# A single heterostructure MODFET
# There is not sufficient confinement at the edge of the schrodinger mesh
# so the dreaded "Danger Will Robinson" message is generated.
surface schottky=.6 v1
GaAs t=0 Nd=1e17
AlGaAs t=300 Nd=1e18 x=.3
AlGaAs t=100 x=.3
GaAs t=5000
substrate fullyionized
v1 0.0
no holes
schrodi
【在 w********o 的大作中提到】
: 你把你的code贴出来吧
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w********o
发帖数: 10088 | 16 这个跟你设的substrate边界条件有关，如果你把fermi level pin在sub的band中间，
你就会看到Ec-Ef被拉上去了
【在 l*******e 的大作中提到】
: 我是用snider的那个1d possion.exe 看不见code吧。
: 我贴个能带图。可以明显看到沟道层undoped GaAs Ec-Ef<0.2, 这也跟教材上一致，但
: 我只是不明白为什么不是Ec-Ef=Eg/2.
: 下面是材料参数：
: ==================================
: # A single heterostructure MODFET
: # There is not sufficient confinement at the edge of the schrodinger mesh
: # so the dreaded "Danger Will Robinson" message is generated.
: surface schottky=.6 v1
: GaAs t=0 Nd=1e17
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i*****e
发帖数: 633 | |
w********o
发帖数: 10088 | 18 别寒碜我了...你们组出来的都是真大牛
【在 i*****e 的大作中提到】
: wokaowokao的确是大牛。
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i*****e
发帖数: 633 | 19 也有我这样的虾米，呵呵。鱼有鱼路，虾有虾条～～
再次感谢你！
【在 w********o 的大作中提到】
: 别寒碜我了...你们组出来的都是真大牛
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a*******i
发帖数: 11664 | 20 和你的minority carrier diffusion length有关吧。
另外严格意义上也不是Ec-Ef=Eg/2。和你的electron/hole mass有关。你想验证的话，
做一个很长的semiconductor
body，去掉边界条件，可以看到Ef的位置。你也可以修改定义材料属性的那个文件。
【在 l*******e 的大作中提到】
: 我是用snider的那个1d possion.exe 看不见code吧。
: 我贴个能带图。可以明显看到沟道层undoped GaAs Ec-Ef<0.2, 这也跟教材上一致，但
: 我只是不明白为什么不是Ec-Ef=Eg/2.
: 下面是材料参数：
: ==================================
: # A single heterostructure MODFET
: # There is not sufficient confinement at the edge of the schrodinger mesh
: # so the dreaded "Danger Will Robinson" message is generated.
: surface schottky=.6 v1
: GaAs t=0 Nd=1e17
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a*******i
发帖数: 11664 | 21 MQW和SL，wkwk有自己的matlab程序。:)
【在 i*****e 的大作中提到】
: 我试着去simulate一个GaN/AlN MQW的能带结构，但是不知道对不对，想请熟悉的人帮
: 着看一下是否有错误，5个包子答谢。
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i*****e
发帖数: 633 | |
w*******p
发帖数: 253 | 23 我的一个师兄，写了一个程序，用KP model计算III－V Quaternay 能带图，可惜程序找不到了...
【在 a*******i 的大作中提到】
: MQW和SL，wkwk有自己的matlab程序。:)
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w********o
发帖数: 10088 | 24 他是我师兄
【在 i*****e 的大作中提到】
: 你们原来都互相认识啊。
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w********o
发帖数: 10088 | 25 kp是albertini的专长,呵呵
序找不到了...
【在 w*******p 的大作中提到】
: 我的一个师兄，写了一个程序，用KP model计算III－V Quaternay 能带图，可惜程序找不到了...
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w********o
发帖数: 10088 | 26 她那个case是在1-101面上的,我还没想清楚应该怎么搞.把我的程序山寨的改了一下,估
算了估算
【在 a*******i 的大作中提到】
: MQW和SL，wkwk有自己的matlab程序。:)
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j**y
发帖数: 7014 | 27 ft
你找到正主了
【在 i*****e 的大作中提到】
: 我用一个比较傻瓜的软件，叫做1D poisson, 在http://www.nd.edu/~gsnider/
: 下载的。作者是Greg Snider @ notre dame
: 如果您有其他的软件推荐，或者愿意给任何建议，我都将非常感激。
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i*****e
发帖数: 633 | 28 我是外行啊。我当时就觉得他的程序还是dos界面的，好土。没想到他是鼻祖之一。
【在 j**y 的大作中提到】
: ft
: 你找到正主了
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w********o
发帖数: 10088 | 29 嗯,snider的1d poisson那是绝对的鼻祖级,albertini有这个程序的源代码,我是相当的
眼红啊,哈哈
ucsb那里喜欢用另一种软件,好像是叫BandEng,你找Mishra或者Speck组里的学生,他们
都是高手
【在 i*****e 的大作中提到】
: 我是外行啊。我当时就觉得他的程序还是dos界面的，好土。没想到他是鼻祖之一。
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w********o
发帖数: 10088 | 30 你留下来的宝贵财富有人继承了,我们这里周末牌局又开始兴旺了,新人辈出啊
你那里有opening不?我这找下家维持生计呢...
【在 j**y 的大作中提到】
: ft
: 你找到正主了
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j**y
发帖数: 7014 | 31 嗯，我会帮你看着
【在 w********o 的大作中提到】
: 你留下来的宝贵财富有人继承了,我们这里周末牌局又开始兴旺了,新人辈出啊
: 你那里有opening不?我这找下家维持生计呢...
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a*******i
发帖数: 11664 | 32 哎, 我一直想用matlab给1dpoisson写个GUI，没时间啊。
【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯,snider的1d poisson那是绝对的鼻祖级,albertini有这个程序的源代码,我是相当的
: 眼红啊,哈哈
: ucsb那里喜欢用另一种软件,好像是叫BandEng,你找Mishra或者Speck组里的学生,他们
: 都是高手
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b********o
发帖数: 772 | 33 弱问一下，如果只模拟一个dimension，用这个1D poisson和用SentaurusDevice主要有什么区别呀？1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
【在 i*****e 的大作中提到】
: 我用一个比较傻瓜的软件，叫做1D poisson, 在http://www.nd.edu/~gsnider/
: 下载的。作者是Greg Snider @ notre dame
: 如果您有其他的软件推荐，或者愿意给任何建议，我都将非常感激。
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w********o
发帖数: 10088 | 34 SentaurusDevice其实是2维的吧，因为你在y方向上可以加gate什么的
有什么区别呀？1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
【在 b********o 的大作中提到】
: 弱问一下，如果只模拟一个dimension，用这个1D poisson和用SentaurusDevice主要有什么区别呀？1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
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H*****l
发帖数: 702 | 35 1d poisson里面整合了电流连续性方程没有？
否则不能解i-v吧
有什么区别呀？1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
【在 b********o 的大作中提到】
: 弱问一下，如果只模拟一个dimension，用这个1D poisson和用SentaurusDevice主要有什么区别呀？1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
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a*******i
发帖数: 11664 | 36 我有一个2D的版本，就是没试过。
【在 w********o 的大作中提到】
: SentaurusDevice其实是2维的吧，因为你在y方向上可以加gate什么的
:
: 有什么区别呀？1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
|
w********o
发帖数: 10088 | 37 我手上的版本好像不可以
【在 H*****l 的大作中提到】
: 1d poisson里面整合了电流连续性方程没有？
: 否则不能解i-v吧
:
: 有什么区别呀？1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
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w********o
发帖数: 10088 | 38 你跟snider不是一般的铁啊，啥好东西都给你了
2d的可能算起来都比较慢吧
【在 a*******i 的大作中提到】
: 我有一个2D的版本，就是没试过。
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H*****l
发帖数: 702 | 39 yes
x-y is the cross section of the device
【在 w********o 的大作中提到】
: SentaurusDevice其实是2维的吧，因为你在y方向上可以加gate什么的
:
: 有什么区别呀？1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
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H*****l
发帖数: 702 | 40 but in many cases, I set Silvaco to be 1-D esp. process simulation
that saves hell lot of time
for the device simulation, in some cases, you can also use 1-D simulation...
2-D is for advanced device..
and 3-D is for producing wastes in journals and conferences....
O
I talked with some guy, one of the fathers of Silvaco. He said he never
trusted Silvaco...although he earned a lot of money from it...
And I spent most of my day time in past two months to tease with silvaco and
synopsys application
【在 w********o 的大作中提到】
: 你跟snider不是一般的铁啊，啥好东西都给你了
: 2d的可能算起来都比较慢吧
|
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l*******e
发帖数: 1485 | 41 我还在琢磨你（还有楼下albertini）的解释，没明白过来之前都不好意思回复了。。。汗。。。
【在 w********o 的大作中提到】
: 这个跟你设的substrate边界条件有关，如果你把fermi level pin在sub的band中间，
: 你就会看到Ec-Ef被拉上去了
|
w********o
发帖数: 10088 | 42 最简单的事情是，你在substrate上面加一层很厚很厚的GaAs，比如5000um
albertini的意思是，Ec-Ef和Ef-Ev的公式里用到了electron和hole effective mass，
有效质量不一样，intrinsic材料这两个间隔是不同的，不总是在mid gap （这是初学
semiconductor的一个误区，我也被搞过一次，呵呵）。
。。汗。。。
【在 l*******e 的大作中提到】
: 我还在琢磨你（还有楼下albertini）的解释，没明白过来之前都不好意思回复了。。。汗。。。
|
w********o
发帖数: 10088 | 43 嗯，你的最后一句是大实话，lol
..
and
【在 H*****l 的大作中提到】
: but in many cases, I set Silvaco to be 1-D esp. process simulation
: that saves hell lot of time
: for the device simulation, in some cases, you can also use 1-D simulation...
: 2-D is for advanced device..
: and 3-D is for producing wastes in journals and conferences....
: O
: I talked with some guy, one of the fathers of Silvaco. He said he never
: trusted Silvaco...although he earned a lot of money from it...
: And I spent most of my day time in past two months to tease with silvaco and
: synopsys application
|
l*******e
发帖数: 1485 | 44 我暂时还没有找到直接跟me mh有关的公式，不过我根据这个公式：
Ei=(Ec+Ev)/2+kBxT/2 x ln(Nc/Nv) http://web.mit.edu/6.730/www/ST04/Lectures/Lecture22.pdf
计算出GaAs的Ei偏离中心0.038V, 这相对Eg=1.42来说是个很小的偏差。
我用1D poisson，采用5000um sub, 没有看到明显的Ec-Ef变化。
但是改动 "surface schottky" (应该是指schottky barrier吧），发现Ec-Ef变化很明
显，也就是说，似乎是由于gate边界条件（shcottky barrier height)引起了这个Ec-
Ef的巨大偏移。
不知道我理解对否。 |
w********o
发帖数: 10088 | 45 嗯，你去看看Nc/Nv是怎么定义出来的
【在 l*******e 的大作中提到】
: 我暂时还没有找到直接跟me mh有关的公式，不过我根据这个公式：
: Ei=(Ec+Ev)/2+kBxT/2 x ln(Nc/Nv) http://web.mit.edu/6.730/www/ST04/Lectures/Lecture22.pdf
: 计算出GaAs的Ei偏离中心0.038V, 这相对Eg=1.42来说是个很小的偏差。
: 我用1D poisson，采用5000um sub, 没有看到明显的Ec-Ef变化。
: 但是改动 "surface schottky" (应该是指schottky barrier吧），发现Ec-Ef变化很明
: 显，也就是说，似乎是由于gate边界条件（shcottky barrier height)引起了这个Ec-
: Ef的巨大偏移。
: 不知道我理解对否。
|
H*****l
发帖数: 702 | 46 大牛解释一下
米是Nc,Nv,mh,me?
他们好吃不？
【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯，你去看看Nc/Nv是怎么定义出来的
|
l*******e
发帖数: 1485 | 47 呵呵。。。。
Nc/Nv=(mn*/mp*)^(3/2)
【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯，你去看看Nc/Nv是怎么定义出来的
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H*****l
发帖数: 702 | 48 我看他之前的surface M-S接触不是理想平带把
那个i-GaAs基本没有active的carriers,随便表面一点 field,就能把fermi level pin死
【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯，你去看看Nc/Nv是怎么定义出来的
|
l*******e
发帖数: 1485 | 49 小甜甜教程
http://britneyspears.ac/physics/basics/basics.htm
就是现在有点老了，哈哈
【在 H*****l 的大作中提到】
: 大牛解释一下
: 米是Nc,Nv,mh,me?
: 他们好吃不？
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H*****l
发帖数: 702 | 50 shur的
我还记得他那个波涛汹涌的k space 能带图
【在 l*******e 的大作中提到】
: 小甜甜教程
: http://britneyspears.ac/physics/basics/basics.htm
: 就是现在有点老了，哈哈
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l*******e
发帖数: 1485 | 51 那个是最ws的也最形象的，很多年以前看到的，就记住那一副图了。。。
【在 H*****l 的大作中提到】
: shur的
: 我还记得他那个波涛汹涌的k space 能带图
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w********o
发帖数: 10088 | 52 那里你可以定义schottky barrier height
pin死
【在 H*****l 的大作中提到】
: 我看他之前的surface M-S接触不是理想平带把
: 那个i-GaAs基本没有active的carriers,随便表面一点 field,就能把fermi level pin死
|
a*******i
发帖数: 11664 | 53 surface 改成 ohmic?
【在 l*******e 的大作中提到】
: 我暂时还没有找到直接跟me mh有关的公式，不过我根据这个公式：
: Ei=(Ec+Ev)/2+kBxT/2 x ln(Nc/Nv) http://web.mit.edu/6.730/www/ST04/Lectures/Lecture22.pdf
: 计算出GaAs的Ei偏离中心0.038V, 这相对Eg=1.42来说是个很小的偏差。
: 我用1D poisson，采用5000um sub, 没有看到明显的Ec-Ef变化。
: 但是改动 "surface schottky" (应该是指schottky barrier吧），发现Ec-Ef变化很明
: 显，也就是说，似乎是由于gate边界条件（shcottky barrier height)引起了这个Ec-
: Ef的巨大偏移。
: 不知道我理解对否。
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w********o
发帖数: 10088 | 54 嗯，我想他是在copy 1d poisson里面那行的程序，他改的可能是schottky 后面那个数字
【在 a*******i 的大作中提到】
: surface 改成 ohmic?
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l*******e
发帖数: 1485 | 55 对，就是修改的txt文件里schottky.
数字
【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯，我想他是在copy 1d poisson里面那行的程序，他改的可能是schottky 后面那个数字
|
w********o
发帖数: 10088 | 56 那个一般是材料的surface barrier height，基本上是一个固定的值
当然你也可以在后面用V1参数加电压什么的
【在 l*******e 的大作中提到】
: 对，就是修改的txt文件里schottky.
:
: 数字
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l*******e
发帖数: 1485 | 57 我还不确定后面那个v1就是偏置电压Va，因为没见有默认值。
所以其实我的做法是假设通过改变phi_ms，来增加一个Va, 也就说，实际barrier
height对某种材料来说是固定的，改变后的barrier是假定为phi_ms+Vb。
：（
其实我还有一堆问题。比方，这个Ec是如何随phi_b+Va 改变的？难道只是schrodinger
-poison 方程(SPE)自己就这么数值解出来的？
断带处delta_Ec是固定的，是0.23ev, 问题是，这个断带的上下（能量）位置是如何随
phi_ms+Vb改变的，也只要SPE自己解出来的？没有其他限定条件？
断带边界处有没有电位移的限定条件？比如D1=D2？
在matlab中玩SPE，只是玩系数矩阵，那边界条件是如何带入的？
汗。。。学过两遍IC device，但都陷入到一堆公式里不可自拔，学的稀里糊涂的。
【在 w********o 的大作中提到】
: 那个一般是材料的surface barrier height，基本上是一个固定的值
: 当然你也可以在后面用V1参数加电压什么的
|
i*****e
发帖数: 633 | 58 猴子电话同学，我有点想笑。 我这个在EE上的处女帖人气还真旺，可是楼都要歪成比
萨斜塔了。哈哈。
不过楼里的牛们真的很nice哦。
schrodinger
【在 l*******e 的大作中提到】
: 我还不确定后面那个v1就是偏置电压Va，因为没见有默认值。
: 所以其实我的做法是假设通过改变phi_ms，来增加一个Va, 也就说，实际barrier
: height对某种材料来说是固定的，改变后的barrier是假定为phi_ms+Vb。
: ：（
: 其实我还有一堆问题。比方，这个Ec是如何随phi_b+Va 改变的？难道只是schrodinger
: -poison 方程(SPE)自己就这么数值解出来的？
: 断带处delta_Ec是固定的，是0.23ev, 问题是，这个断带的上下（能量）位置是如何随
: phi_ms+Vb改变的，也只要SPE自己解出来的？没有其他限定条件？
: 断带边界处有没有电位移的限定条件？比如D1=D2？
: 在matlab中玩SPE，只是玩系数矩阵，那边界条件是如何带入的？
|
l*******e
发帖数: 1485 | 59 其实我看到你的头一贴就眼前一亮，兴奋不已---transistor simulation茫然困惑了很久了，就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多，都不好意思问了，所谓虱子多不怕痒是也。
顺便纠正一下，是狮子电话，不是猴子电话，嘎嘎。。
【在 i*****e 的大作中提到】
: 猴子电话同学，我有点想笑。 我这个在EE上的处女帖人气还真旺，可是楼都要歪成比
: 萨斜塔了。哈哈。
: 不过楼里的牛们真的很nice哦。
:
: schrodinger
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a*******e
发帖数: 121 | 60 这个我要吱一声
有人有你jupy当年的风范呀
【在 w********o 的大作中提到】
: 你留下来的宝贵财富有人继承了,我们这里周末牌局又开始兴旺了,新人辈出啊
: 你那里有opening不?我这找下家维持生计呢...
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a*******i
发帖数: 11664 | 61 jupy的风范是瞪大眼睛特别serious得注视你20秒以上，然后说我觉着你没我大，all-in？
【在 a*******e 的大作中提到】
: 这个我要吱一声
: 有人有你jupy当年的风范呀
|
H*****l
发帖数: 702 | 62 do not tell me i did not share the Silvaco 2010 version with you...
很久了，就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多，都不好意思问了，所谓虱子多不
怕痒是也。
【在 l*******e 的大作中提到】
: 其实我看到你的头一贴就眼前一亮，兴奋不已---transistor simulation茫然困惑了很久了，就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多，都不好意思问了，所谓虱子多不怕痒是也。
: 顺便纠正一下，是狮子电话，不是猴子电话，嘎嘎。。
|
i*****e
发帖数: 633 | 63 ft，我想的是狮子，怎么写出来就成了猴子？
算了，反正狮子猴子都是黄毛，长得也差不多
很久了，就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多，都不好意思问了，所谓虱子多不
怕痒是也。
【在 l*******e 的大作中提到】
: 其实我看到你的头一贴就眼前一亮，兴奋不已---transistor simulation茫然困惑了很久了，就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多，都不好意思问了，所谓虱子多不怕痒是也。
: 顺便纠正一下，是狮子电话，不是猴子电话，嘎嘎。。
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i*****e
发帖数: 633 | 64 听wokaowokao说你是超级大牛，我来瞻仰一下。
-in？
【在 a*******i 的大作中提到】
: jupy的风范是瞪大眼睛特别serious得注视你20秒以上，然后说我觉着你没我大，all-in？
|
l*******e
发帖数: 1485 | 65 哈哈。。。这个当然得感谢。
我这里还都是在问最基础的物理知识，不行啊，层次太低。
你的Silvaco我还没来的及装上，从学校搬了台电脑回来想专装你的Silvaco的，键盘居
然不认，真是晕死。争取下周装好玩一玩。
【在 H*****l 的大作中提到】
: do not tell me i did not share the Silvaco 2010 version with you...
:
: 很久了，就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多，都不好意思问了，所谓虱子多不
: 怕痒是也。
|
j**y
发帖数: 7014 | 66 哈哈哈哈哈哈呵呵
-in？
【在 a*******i 的大作中提到】
: jupy的风范是瞪大眼睛特别serious得注视你20秒以上，然后说我觉着你没我大，all-in？
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w********o
发帖数: 10088 | 67 从我仅有的几次经验看,jupy的心理活动那是相当的复杂,他那一眼望下去,空气里面充
斥着金属撞击的声音,不是一般人能扛的下来的
-in？
【在 a*******i 的大作中提到】
: jupy的风范是瞪大眼睛特别serious得注视你20秒以上，然后说我觉着你没我大，all-in？
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ET
发帖数: 10701 | 68 竟然没有带着浅浅的微笑？？
【在 w********o 的大作中提到】
: 从我仅有的几次经验看,jupy的心理活动那是相当的复杂,他那一眼望下去,空气里面充
: 斥着金属撞击的声音,不是一般人能扛的下来的
:
: -in？
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w********o
发帖数: 10088 | 69 大部分时候是带的，但是全力发功的时候不带
【在 ET 的大作中提到】
: 竟然没有带着浅浅的微笑？？
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H*****l
发帖数: 702 | 70 楼彻底歪了
【在 w********o 的大作中提到】
: 大部分时候是带的，但是全力发功的时候不带
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i*****e
发帖数: 633 | |
l*******e
发帖数: 1485 | 72 楼是越来越高，只是已经改成做茶馆了。大牛们工作都累了，需要喝茶休息休息。
【在 H*****l 的大作中提到】
: 楼彻底歪了
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