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EE版 - 这里有人熟悉III-nitride能带模拟吗?
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话题: ef话题: ec话题: gaas话题: 1d话题: silvaco
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1 (共1页)
i*****e
发帖数: 633
1
我试着去simulate一个GaN/AlN MQW的能带结构,但是不知道对不对,想请熟悉的人帮
着看一下是否有错误,5个包子答谢。
w********o
发帖数: 10088
2
你用什么软件模拟的?
H*****l
发帖数: 702
3
刚忽悠完老板回来就拜大牛

【在 w********o 的大作中提到】
: 你用什么软件模拟的?
i*****e
发帖数: 633
4
我用一个比较傻瓜的软件,叫做1D poisson, 在http://www.nd.edu/~gsnider/
下载的。作者是Greg Snider @ notre dame
如果您有其他的软件推荐,或者愿意给任何建议,我都将非常感激。

【在 w********o 的大作中提到】
: 你用什么软件模拟的?
w********o
发帖数: 10088
5
1d poisson挺好,我也用它

【在 i*****e 的大作中提到】
: 我用一个比较傻瓜的软件,叫做1D poisson, 在http://www.nd.edu/~gsnider/
: 下载的。作者是Greg Snider @ notre dame
: 如果您有其他的软件推荐,或者愿意给任何建议,我都将非常感激。

w********o
发帖数: 10088
6
你忽悠的是哪个公司的老板啊

【在 H*****l 的大作中提到】
: 刚忽悠完老板回来就拜大牛
l*******e
发帖数: 1485
7
俩牛儿都现身了,赶紧顺路问个问题。
我用那个1d possion 仿真AlGaAs/GaAs HEMT, 就是直接用软件默认值,出来个能带图
。我所不明白的是:
1. 这个是无偏置电压对吧?
2. 这个Ec-Ef怎么才只有不到0.2eV? 这个难道不是无掺杂GaAs能带间隙的一半吗?也
就是(Ec-Ef)=Eg/2=1.42/2=0.71eV ?
3. 这个Ef 是由偏置电压Va来决定 Ef=Ef_metal-q*Va, 那么相应的Ec_GaAs如果不是由
Eg/2来决定,应该由什么来决定呢?
问题有点多啊,困扰我好几天了,烦请两位给指导一下。
j***i
发帖数: 1278
8
已经抄送你老板了

【在 H*****l 的大作中提到】
: 刚忽悠完老板回来就拜大牛
ET
发帖数: 10701
9
收到。

【在 j***i 的大作中提到】
: 已经抄送你老板了
i*****e
发帖数: 633
10
......
这位同学好坏啊。人家的问题还没有被解答呢,你跳出来生生的把楼推歪了!!!

【在 l*******e 的大作中提到】
: 俩牛儿都现身了,赶紧顺路问个问题。
: 我用那个1d possion 仿真AlGaAs/GaAs HEMT, 就是直接用软件默认值,出来个能带图
: 。我所不明白的是:
: 1. 这个是无偏置电压对吧?
: 2. 这个Ec-Ef怎么才只有不到0.2eV? 这个难道不是无掺杂GaAs能带间隙的一半吗?也
: 就是(Ec-Ef)=Eg/2=1.42/2=0.71eV ?
: 3. 这个Ef 是由偏置电压Va来决定 Ef=Ef_metal-q*Va, 那么相应的Ec_GaAs如果不是由
: Eg/2来决定,应该由什么来决定呢?
: 问题有点多啊,困扰我好几天了,烦请两位给指导一下。

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i*****e
发帖数: 633
11
”大宝SOD蜜,我也用它“

【在 w********o 的大作中提到】
: 1d poisson挺好,我也用它
w********o
发帖数: 10088
12
你dope了么?有没有偏置电压是可以设的,记得默认的是0

【在 l*******e 的大作中提到】
: 俩牛儿都现身了,赶紧顺路问个问题。
: 我用那个1d possion 仿真AlGaAs/GaAs HEMT, 就是直接用软件默认值,出来个能带图
: 。我所不明白的是:
: 1. 这个是无偏置电压对吧?
: 2. 这个Ec-Ef怎么才只有不到0.2eV? 这个难道不是无掺杂GaAs能带间隙的一半吗?也
: 就是(Ec-Ef)=Eg/2=1.42/2=0.71eV ?
: 3. 这个Ef 是由偏置电压Va来决定 Ef=Ef_metal-q*Va, 那么相应的Ec_GaAs如果不是由
: Eg/2来决定,应该由什么来决定呢?
: 问题有点多啊,困扰我好几天了,烦请两位给指导一下。

l*******e
发帖数: 1485
13
这不是好容易碰到牛人了,赶紧问嘛。。。。楼歪了,等您来扶正了。。。
MetalGate/n-GaAs/n-AlGaAs/AlGaAs/GaAs
偏置电压可能就是默认0吧。
dope情况都是默认的,也就是头两层是doped,下面隔离层和沟道层都是undoped。这个
隔离层和沟道层能带问题困扰我好久了。。。。一直百思不得其解。难道是因为有了
Metal Gate, 沟道层undoped GaAs的Ec-Ef也跟着缩小了?

【在 w********o 的大作中提到】
: 你dope了么?有没有偏置电压是可以设的,记得默认的是0
w********o
发帖数: 10088
14
你把你的code贴出来吧

【在 l*******e 的大作中提到】
: 这不是好容易碰到牛人了,赶紧问嘛。。。。楼歪了,等您来扶正了。。。
: MetalGate/n-GaAs/n-AlGaAs/AlGaAs/GaAs
: 偏置电压可能就是默认0吧。
: dope情况都是默认的,也就是头两层是doped,下面隔离层和沟道层都是undoped。这个
: 隔离层和沟道层能带问题困扰我好久了。。。。一直百思不得其解。难道是因为有了
: Metal Gate, 沟道层undoped GaAs的Ec-Ef也跟着缩小了?

l*******e
发帖数: 1485
15
我是用snider的那个1d possion.exe 看不见code吧。
我贴个能带图。可以明显看到沟道层undoped GaAs Ec-Ef<0.2, 这也跟教材上一致,但
我只是不明白为什么不是Ec-Ef=Eg/2.
下面是材料参数:
==================================
# A single heterostructure MODFET
# There is not sufficient confinement at the edge of the schrodinger mesh
# so the dreaded "Danger Will Robinson" message is generated.
surface schottky=.6 v1
GaAs t=0 Nd=1e17
AlGaAs t=300 Nd=1e18 x=.3
AlGaAs t=100 x=.3
GaAs t=5000
substrate fullyionized
v1 0.0
no holes
schrodi

【在 w********o 的大作中提到】
: 你把你的code贴出来吧
w********o
发帖数: 10088
16
这个跟你设的substrate边界条件有关,如果你把fermi level pin在sub的band中间,
你就会看到Ec-Ef被拉上去了

【在 l*******e 的大作中提到】
: 我是用snider的那个1d possion.exe 看不见code吧。
: 我贴个能带图。可以明显看到沟道层undoped GaAs Ec-Ef<0.2, 这也跟教材上一致,但
: 我只是不明白为什么不是Ec-Ef=Eg/2.
: 下面是材料参数:
: ==================================
: # A single heterostructure MODFET
: # There is not sufficient confinement at the edge of the schrodinger mesh
: # so the dreaded "Danger Will Robinson" message is generated.
: surface schottky=.6 v1
: GaAs t=0 Nd=1e17

i*****e
发帖数: 633
17
wokaowokao的确是大牛。
w********o
发帖数: 10088
18
别寒碜我了...你们组出来的都是真大牛

【在 i*****e 的大作中提到】
: wokaowokao的确是大牛。
i*****e
发帖数: 633
19
也有我这样的虾米,呵呵。鱼有鱼路,虾有虾条~~
再次感谢你!

【在 w********o 的大作中提到】
: 别寒碜我了...你们组出来的都是真大牛
a*******i
发帖数: 11664
20
和你的minority carrier diffusion length有关吧。
另外严格意义上也不是Ec-Ef=Eg/2。和你的electron/hole mass有关。你想验证的话,
做一个很长的semiconductor
body,去掉边界条件,可以看到Ef的位置。你也可以修改定义材料属性的那个文件。

【在 l*******e 的大作中提到】
: 我是用snider的那个1d possion.exe 看不见code吧。
: 我贴个能带图。可以明显看到沟道层undoped GaAs Ec-Ef<0.2, 这也跟教材上一致,但
: 我只是不明白为什么不是Ec-Ef=Eg/2.
: 下面是材料参数:
: ==================================
: # A single heterostructure MODFET
: # There is not sufficient confinement at the edge of the schrodinger mesh
: # so the dreaded "Danger Will Robinson" message is generated.
: surface schottky=.6 v1
: GaAs t=0 Nd=1e17

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a*******i
发帖数: 11664
21
MQW和SL,wkwk有自己的matlab程序。:)

【在 i*****e 的大作中提到】
: 我试着去simulate一个GaN/AlN MQW的能带结构,但是不知道对不对,想请熟悉的人帮
: 着看一下是否有错误,5个包子答谢。

i*****e
发帖数: 633
22
你们原来都互相认识啊。
w*******p
发帖数: 253
23
我的一个师兄,写了一个程序,用KP model计算III-V Quaternay 能带图,可惜程序找不到了...

【在 a*******i 的大作中提到】
: MQW和SL,wkwk有自己的matlab程序。:)
w********o
发帖数: 10088
24
他是我师兄

【在 i*****e 的大作中提到】
: 你们原来都互相认识啊。
w********o
发帖数: 10088
25
kp是albertini的专长,呵呵

序找不到了...

【在 w*******p 的大作中提到】
: 我的一个师兄,写了一个程序,用KP model计算III-V Quaternay 能带图,可惜程序找不到了...
w********o
发帖数: 10088
26
她那个case是在1-101面上的,我还没想清楚应该怎么搞.把我的程序山寨的改了一下,估
算了估算

【在 a*******i 的大作中提到】
: MQW和SL,wkwk有自己的matlab程序。:)
j**y
发帖数: 7014
27
ft
你找到正主了

【在 i*****e 的大作中提到】
: 我用一个比较傻瓜的软件,叫做1D poisson, 在http://www.nd.edu/~gsnider/
: 下载的。作者是Greg Snider @ notre dame
: 如果您有其他的软件推荐,或者愿意给任何建议,我都将非常感激。

i*****e
发帖数: 633
28
我是外行啊。我当时就觉得他的程序还是dos界面的,好土。没想到他是鼻祖之一。

【在 j**y 的大作中提到】
: ft
: 你找到正主了

w********o
发帖数: 10088
29
嗯,snider的1d poisson那是绝对的鼻祖级,albertini有这个程序的源代码,我是相当的
眼红啊,哈哈
ucsb那里喜欢用另一种软件,好像是叫BandEng,你找Mishra或者Speck组里的学生,他们
都是高手

【在 i*****e 的大作中提到】
: 我是外行啊。我当时就觉得他的程序还是dos界面的,好土。没想到他是鼻祖之一。
w********o
发帖数: 10088
30
你留下来的宝贵财富有人继承了,我们这里周末牌局又开始兴旺了,新人辈出啊
你那里有opening不?我这找下家维持生计呢...

【在 j**y 的大作中提到】
: ft
: 你找到正主了

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j**y
发帖数: 7014
31
嗯,我会帮你看着

【在 w********o 的大作中提到】
: 你留下来的宝贵财富有人继承了,我们这里周末牌局又开始兴旺了,新人辈出啊
: 你那里有opening不?我这找下家维持生计呢...

a*******i
发帖数: 11664
32
哎, 我一直想用matlab给1dpoisson写个GUI,没时间啊。

【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯,snider的1d poisson那是绝对的鼻祖级,albertini有这个程序的源代码,我是相当的
: 眼红啊,哈哈
: ucsb那里喜欢用另一种软件,好像是叫BandEng,你找Mishra或者Speck组里的学生,他们
: 都是高手

b********o
发帖数: 772
33
弱问一下,如果只模拟一个dimension,用这个1D poisson和用SentaurusDevice主要有什么区别呀?1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧

【在 i*****e 的大作中提到】
: 我用一个比较傻瓜的软件,叫做1D poisson, 在http://www.nd.edu/~gsnider/
: 下载的。作者是Greg Snider @ notre dame
: 如果您有其他的软件推荐,或者愿意给任何建议,我都将非常感激。

w********o
发帖数: 10088
34
SentaurusDevice其实是2维的吧,因为你在y方向上可以加gate什么的

有什么区别呀?1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧

【在 b********o 的大作中提到】
: 弱问一下,如果只模拟一个dimension,用这个1D poisson和用SentaurusDevice主要有什么区别呀?1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
H*****l
发帖数: 702
35
1d poisson里面整合了电流连续性方程没有?
否则不能解i-v吧

有什么区别呀?1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧

【在 b********o 的大作中提到】
: 弱问一下,如果只模拟一个dimension,用这个1D poisson和用SentaurusDevice主要有什么区别呀?1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧
a*******i
发帖数: 11664
36
我有一个2D的版本,就是没试过。

【在 w********o 的大作中提到】
: SentaurusDevice其实是2维的吧,因为你在y方向上可以加gate什么的
:
: 有什么区别呀?1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧

w********o
发帖数: 10088
37
我手上的版本好像不可以

【在 H*****l 的大作中提到】
: 1d poisson里面整合了电流连续性方程没有?
: 否则不能解i-v吧
:
: 有什么区别呀?1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧

w********o
发帖数: 10088
38
你跟snider不是一般的铁啊,啥好东西都给你了
2d的可能算起来都比较慢吧

【在 a*******i 的大作中提到】
: 我有一个2D的版本,就是没试过。
H*****l
发帖数: 702
39
yes
x-y is the cross section of the device

【在 w********o 的大作中提到】
: SentaurusDevice其实是2维的吧,因为你在y方向上可以加gate什么的
:
: 有什么区别呀?1D poisson肯定不能simulate transistor结构吧

H*****l
发帖数: 702
40
but in many cases, I set Silvaco to be 1-D esp. process simulation
that saves hell lot of time
for the device simulation, in some cases, you can also use 1-D simulation...
2-D is for advanced device..
and 3-D is for producing wastes in journals and conferences....
O
I talked with some guy, one of the fathers of Silvaco. He said he never
trusted Silvaco...although he earned a lot of money from it...
And I spent most of my day time in past two months to tease with silvaco and
synopsys application

【在 w********o 的大作中提到】
: 你跟snider不是一般的铁啊,啥好东西都给你了
: 2d的可能算起来都比较慢吧

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l*******e
发帖数: 1485
41
我还在琢磨你(还有楼下albertini)的解释,没明白过来之前都不好意思回复了。。。汗。。。

【在 w********o 的大作中提到】
: 这个跟你设的substrate边界条件有关,如果你把fermi level pin在sub的band中间,
: 你就会看到Ec-Ef被拉上去了

w********o
发帖数: 10088
42
最简单的事情是,你在substrate上面加一层很厚很厚的GaAs,比如5000um
albertini的意思是,Ec-Ef和Ef-Ev的公式里用到了electron和hole effective mass,
有效质量不一样,intrinsic材料这两个间隔是不同的,不总是在mid gap (这是初学
semiconductor的一个误区,我也被搞过一次,呵呵)。

。。汗。。。

【在 l*******e 的大作中提到】
: 我还在琢磨你(还有楼下albertini)的解释,没明白过来之前都不好意思回复了。。。汗。。。
w********o
发帖数: 10088
43
嗯,你的最后一句是大实话,lol

..
and

【在 H*****l 的大作中提到】
: but in many cases, I set Silvaco to be 1-D esp. process simulation
: that saves hell lot of time
: for the device simulation, in some cases, you can also use 1-D simulation...
: 2-D is for advanced device..
: and 3-D is for producing wastes in journals and conferences....
: O
: I talked with some guy, one of the fathers of Silvaco. He said he never
: trusted Silvaco...although he earned a lot of money from it...
: And I spent most of my day time in past two months to tease with silvaco and
: synopsys application

l*******e
发帖数: 1485
44
我暂时还没有找到直接跟me mh有关的公式,不过我根据这个公式:
Ei=(Ec+Ev)/2+kBxT/2 x ln(Nc/Nv) http://web.mit.edu/6.730/www/ST04/Lectures/Lecture22.pdf
计算出GaAs的Ei偏离中心0.038V, 这相对Eg=1.42来说是个很小的偏差。
我用1D poisson,采用5000um sub, 没有看到明显的Ec-Ef变化。
但是改动 "surface schottky" (应该是指schottky barrier吧),发现Ec-Ef变化很明
显,也就是说,似乎是由于gate边界条件(shcottky barrier height)引起了这个Ec-
Ef的巨大偏移。
不知道我理解对否。
w********o
发帖数: 10088
45
嗯,你去看看Nc/Nv是怎么定义出来的

【在 l*******e 的大作中提到】
: 我暂时还没有找到直接跟me mh有关的公式,不过我根据这个公式:
: Ei=(Ec+Ev)/2+kBxT/2 x ln(Nc/Nv) http://web.mit.edu/6.730/www/ST04/Lectures/Lecture22.pdf
: 计算出GaAs的Ei偏离中心0.038V, 这相对Eg=1.42来说是个很小的偏差。
: 我用1D poisson,采用5000um sub, 没有看到明显的Ec-Ef变化。
: 但是改动 "surface schottky" (应该是指schottky barrier吧),发现Ec-Ef变化很明
: 显,也就是说,似乎是由于gate边界条件(shcottky barrier height)引起了这个Ec-
: Ef的巨大偏移。
: 不知道我理解对否。

H*****l
发帖数: 702
46
大牛解释一下
米是Nc,Nv,mh,me?
他们好吃不?

【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯,你去看看Nc/Nv是怎么定义出来的
l*******e
发帖数: 1485
47
呵呵。。。。
Nc/Nv=(mn*/mp*)^(3/2)

【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯,你去看看Nc/Nv是怎么定义出来的
H*****l
发帖数: 702
48
我看他之前的surface M-S接触不是理想平带把
那个i-GaAs基本没有active的carriers,随便表面一点 field,就能把fermi level pin死

【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯,你去看看Nc/Nv是怎么定义出来的
l*******e
发帖数: 1485
49
小甜甜教程
http://britneyspears.ac/physics/basics/basics.htm
就是现在有点老了,哈哈

【在 H*****l 的大作中提到】
: 大牛解释一下
: 米是Nc,Nv,mh,me?
: 他们好吃不?

H*****l
发帖数: 702
50
shur的
我还记得他那个波涛汹涌的k space 能带图

【在 l*******e 的大作中提到】
: 小甜甜教程
: http://britneyspears.ac/physics/basics/basics.htm
: 就是现在有点老了,哈哈

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l*******e
发帖数: 1485
51
那个是最ws的也最形象的,很多年以前看到的,就记住那一副图了。。。

【在 H*****l 的大作中提到】
: shur的
: 我还记得他那个波涛汹涌的k space 能带图

w********o
发帖数: 10088
52
那里你可以定义schottky barrier height

pin死

【在 H*****l 的大作中提到】
: 我看他之前的surface M-S接触不是理想平带把
: 那个i-GaAs基本没有active的carriers,随便表面一点 field,就能把fermi level pin死

a*******i
发帖数: 11664
53
surface 改成 ohmic?

【在 l*******e 的大作中提到】
: 我暂时还没有找到直接跟me mh有关的公式,不过我根据这个公式:
: Ei=(Ec+Ev)/2+kBxT/2 x ln(Nc/Nv) http://web.mit.edu/6.730/www/ST04/Lectures/Lecture22.pdf
: 计算出GaAs的Ei偏离中心0.038V, 这相对Eg=1.42来说是个很小的偏差。
: 我用1D poisson,采用5000um sub, 没有看到明显的Ec-Ef变化。
: 但是改动 "surface schottky" (应该是指schottky barrier吧),发现Ec-Ef变化很明
: 显,也就是说,似乎是由于gate边界条件(shcottky barrier height)引起了这个Ec-
: Ef的巨大偏移。
: 不知道我理解对否。

w********o
发帖数: 10088
54
嗯,我想他是在copy 1d poisson里面那行的程序,他改的可能是schottky 后面那个数字

【在 a*******i 的大作中提到】
: surface 改成 ohmic?
l*******e
发帖数: 1485
55
对,就是修改的txt文件里schottky.

数字

【在 w********o 的大作中提到】
: 嗯,我想他是在copy 1d poisson里面那行的程序,他改的可能是schottky 后面那个数字
w********o
发帖数: 10088
56
那个一般是材料的surface barrier height,基本上是一个固定的值
当然你也可以在后面用V1参数加电压什么的

【在 l*******e 的大作中提到】
: 对,就是修改的txt文件里schottky.
:
: 数字

l*******e
发帖数: 1485
57
我还不确定后面那个v1就是偏置电压Va,因为没见有默认值。
所以其实我的做法是假设通过改变phi_ms,来增加一个Va, 也就说,实际barrier
height对某种材料来说是固定的,改变后的barrier是假定为phi_ms+Vb。
:(
其实我还有一堆问题。比方,这个Ec是如何随phi_b+Va 改变的?难道只是schrodinger
-poison 方程(SPE)自己就这么数值解出来的?
断带处delta_Ec是固定的,是0.23ev, 问题是,这个断带的上下(能量)位置是如何随
phi_ms+Vb改变的,也只要SPE自己解出来的?没有其他限定条件?
断带边界处有没有电位移的限定条件?比如D1=D2?
在matlab中玩SPE,只是玩系数矩阵,那边界条件是如何带入的?
汗。。。学过两遍IC device,但都陷入到一堆公式里不可自拔,学的稀里糊涂的。

【在 w********o 的大作中提到】
: 那个一般是材料的surface barrier height,基本上是一个固定的值
: 当然你也可以在后面用V1参数加电压什么的

i*****e
发帖数: 633
58
猴子电话同学,我有点想笑。 我这个在EE上的处女帖人气还真旺,可是楼都要歪成比
萨斜塔了。哈哈。
不过楼里的牛们真的很nice哦。

schrodinger

【在 l*******e 的大作中提到】
: 我还不确定后面那个v1就是偏置电压Va,因为没见有默认值。
: 所以其实我的做法是假设通过改变phi_ms,来增加一个Va, 也就说,实际barrier
: height对某种材料来说是固定的,改变后的barrier是假定为phi_ms+Vb。
: :(
: 其实我还有一堆问题。比方,这个Ec是如何随phi_b+Va 改变的?难道只是schrodinger
: -poison 方程(SPE)自己就这么数值解出来的?
: 断带处delta_Ec是固定的,是0.23ev, 问题是,这个断带的上下(能量)位置是如何随
: phi_ms+Vb改变的,也只要SPE自己解出来的?没有其他限定条件?
: 断带边界处有没有电位移的限定条件?比如D1=D2?
: 在matlab中玩SPE,只是玩系数矩阵,那边界条件是如何带入的?

l*******e
发帖数: 1485
59
其实我看到你的头一贴就眼前一亮,兴奋不已---transistor simulation茫然困惑了很久了,就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多,都不好意思问了,所谓虱子多不怕痒是也。
顺便纠正一下,是狮子电话,不是猴子电话,嘎嘎。。

【在 i*****e 的大作中提到】
: 猴子电话同学,我有点想笑。 我这个在EE上的处女帖人气还真旺,可是楼都要歪成比
: 萨斜塔了。哈哈。
: 不过楼里的牛们真的很nice哦。
:
: schrodinger

a*******e
发帖数: 121
60
这个我要吱一声
有人有你jupy当年的风范呀

【在 w********o 的大作中提到】
: 你留下来的宝贵财富有人继承了,我们这里周末牌局又开始兴旺了,新人辈出啊
: 你那里有opening不?我这找下家维持生计呢...

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请问一下CADENCE问题问问CAD这个方向的前景
弱问:device simulation有哪些软件啊做Solar Cell的group
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a*******i
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61
jupy的风范是瞪大眼睛特别serious得注视你20秒以上,然后说我觉着你没我大,all-in?

【在 a*******e 的大作中提到】
: 这个我要吱一声
: 有人有你jupy当年的风范呀

H*****l
发帖数: 702
62
do not tell me i did not share the Silvaco 2010 version with you...

很久了,就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多,都不好意思问了,所谓虱子多不
怕痒是也。

【在 l*******e 的大作中提到】
: 其实我看到你的头一贴就眼前一亮,兴奋不已---transistor simulation茫然困惑了很久了,就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多,都不好意思问了,所谓虱子多不怕痒是也。
: 顺便纠正一下,是狮子电话,不是猴子电话,嘎嘎。。

i*****e
发帖数: 633
63
ft,我想的是狮子,怎么写出来就成了猴子?
算了,反正狮子猴子都是黄毛,长得也差不多

很久了,就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多,都不好意思问了,所谓虱子多不
怕痒是也。

【在 l*******e 的大作中提到】
: 其实我看到你的头一贴就眼前一亮,兴奋不已---transistor simulation茫然困惑了很久了,就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多,都不好意思问了,所谓虱子多不怕痒是也。
: 顺便纠正一下,是狮子电话,不是猴子电话,嘎嘎。。

i*****e
发帖数: 633
64
听wokaowokao说你是超级大牛,我来瞻仰一下。

-in?

【在 a*******i 的大作中提到】
: jupy的风范是瞪大眼睛特别serious得注视你20秒以上,然后说我觉着你没我大,all-in?
l*******e
发帖数: 1485
65
哈哈。。。这个当然得感谢。
我这里还都是在问最基础的物理知识,不行啊,层次太低。
你的Silvaco我还没来的及装上,从学校搬了台电脑回来想专装你的Silvaco的,键盘居
然不认,真是晕死。争取下周装好玩一玩。

【在 H*****l 的大作中提到】
: do not tell me i did not share the Silvaco 2010 version with you...
:
: 很久了,就等着牛人出来解答了。。。我的问题太多,都不好意思问了,所谓虱子多不
: 怕痒是也。

j**y
发帖数: 7014
66
哈哈哈哈哈哈呵呵

-in?

【在 a*******i 的大作中提到】
: jupy的风范是瞪大眼睛特别serious得注视你20秒以上,然后说我觉着你没我大,all-in?
w********o
发帖数: 10088
67
从我仅有的几次经验看,jupy的心理活动那是相当的复杂,他那一眼望下去,空气里面充
斥着金属撞击的声音,不是一般人能扛的下来的

-in?

【在 a*******i 的大作中提到】
: jupy的风范是瞪大眼睛特别serious得注视你20秒以上,然后说我觉着你没我大,all-in?
ET
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68
竟然没有带着浅浅的微笑??

【在 w********o 的大作中提到】
: 从我仅有的几次经验看,jupy的心理活动那是相当的复杂,他那一眼望下去,空气里面充
: 斥着金属撞击的声音,不是一般人能扛的下来的
:
: -in?

w********o
发帖数: 10088
69
大部分时候是带的,但是全力发功的时候不带

【在 ET 的大作中提到】
: 竟然没有带着浅浅的微笑??
H*****l
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70
楼彻底歪了

【在 w********o 的大作中提到】
: 大部分时候是带的,但是全力发功的时候不带
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i*****e
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71
恩,楼主决定弃楼而去。
l*******e
发帖数: 1485
72
楼是越来越高,只是已经改成做茶馆了。大牛们工作都累了,需要喝茶休息休息。

【在 H*****l 的大作中提到】
: 楼彻底歪了
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