j****n
发帖数: 3465 | 1 请问各位GaAs大牛，做GaAs/AlGaAs干法刻蚀的时候都用什么材料做mask？如果用oxide
的话，如何去调？直接在BOE中泡掉么？BOE会腐蚀GaAs/AlGaAs么？ |
j**y
发帖数: 7014 | 2 干刻用SiNx当mask应该可以吧
关键是你要刻多深，对selectivity要求高吗？
oxide
【在 j****n 的大作中提到】
: 请问各位GaAs大牛，做GaAs/AlGaAs干法刻蚀的时候都用什么材料做mask？如果用oxide
: 的话，如何去调？直接在BOE中泡掉么？BOE会腐蚀GaAs/AlGaAs么？
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H*****l
发帖数: 702 | 3 干法难道不是指RIE嘛？
很多case用photoresist就可以了
当然用SiNmask也成，都算standard procedure把
至于SiOx,你是sputter上去的？
【在 j**y 的大作中提到】
: 干刻用SiNx当mask应该可以吧
: 关键是你要刻多深，对selectivity要求高吗？
:
: oxide
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j****n
发帖数: 3465 | 4 我现在遇到的问题不是selectivity的问题，而是在我用oxide做mask以后，用BOE去掉
oxide时，发现BOE居然会腐蚀GaAs/AlGaAs。
【在 j**y 的大作中提到】
: 干刻用SiNx当mask应该可以吧
: 关键是你要刻多深，对selectivity要求高吗？
:
: oxide
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e****t
发帖数: 203 | 5 我没做过GaAs的
但用PECVD可以去掉si dioxide, 且不会腐蚀GaSb (也有可能是腐特别慢)
BOE腐蚀性太强,选择性极弱
【在 j****n 的大作中提到】
: 我现在遇到的问题不是selectivity的问题，而是在我用oxide做mask以后，用BOE去掉
: oxide时，发现BOE居然会腐蚀GaAs/AlGaAs。
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s******p
发帖数: 4962 | 6 PR不行？
HF etch很多III-V
【在 j****n 的大作中提到】
: 我现在遇到的问题不是selectivity的问题，而是在我用oxide做mask以后，用BOE去掉
: oxide时，发现BOE居然会腐蚀GaAs/AlGaAs。
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s*******l
发帖数: 146 | 7 wet etch: PR
dry etch: PECVD SiO2, then CF4 RIE SiO2. BOE attacks AlGaAs.
oxide
【在 j****n 的大作中提到】
: 请问各位GaAs大牛，做GaAs/AlGaAs干法刻蚀的时候都用什么材料做mask？如果用oxide
: 的话，如何去调？直接在BOE中泡掉么？BOE会腐蚀GaAs/AlGaAs么？
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j****n
发帖数: 3465 | 8 我就说呢，每次dry etch完GaAs后，扔到BOE里面去oxide的时候，都发现表面变花了，
靠，早点知道就好了。BOE attcks AlGaAs是不是常识啊？我怎么连这个都不知道？
【在 s*******l 的大作中提到】
: wet etch: PR
: dry etch: PECVD SiO2, then CF4 RIE SiO2. BOE attacks AlGaAs.
:
: oxide
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s******p
发帖数: 4962 | 9 kinds of
我就说呢，每次dry etch完GaAs后，扔到BOE里面去oxide的时候，都发现表面变花了，
靠，早点知道就好了。BOE attcks AlGaAs是不是常识啊？我怎么连这个都不知道？
【在 j****n 的大作中提到】
: 我就说呢，每次dry etch完GaAs后，扔到BOE里面去oxide的时候，都发现表面变花了，
: 靠，早点知道就好了。BOE attcks AlGaAs是不是常识啊？我怎么连这个都不知道？
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j**y
发帖数: 7014 | 10 这个你advisor应该告诉你，后者起码提醒你查一下
新学生开始做都是这样的，犯的错多了，水平也就上去了
关键是别重复犯同一个错误就行
【在 j****n 的大作中提到】
: 我就说呢，每次dry etch完GaAs后，扔到BOE里面去oxide的时候，都发现表面变花了，
: 靠，早点知道就好了。BOE attcks AlGaAs是不是常识啊？我怎么连这个都不知道？
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