l******o
发帖数: 51 | 1 貌似很好的解决了nand, nor, dram 的发展瓶颈。 |
y****y
发帖数: 179 | 2 PCM不能用作DRAM，endurance不够
而且现在programming电流始终很大，对selection device的要求很高，限制了
scalability的发展
【在 l******o 的大作中提到】
: 貌似很好的解决了nand, nor, dram 的发展瓶颈。
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c**y
发帖数: 99 | 3 三星大规模投入生产了
【在 y****y 的大作中提到】
: PCM不能用作DRAM，endurance不够
: 而且现在programming电流始终很大，对selection device的要求很高，限制了
: scalability的发展
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l******o
发帖数: 51 | |
c**y
发帖数: 99 | 5 phase change memory SET/RESET voltage都很大
你觉得 spin torque transfer RAM 前途如何呢？
【在 l******o 的大作中提到】
: 只看到NOR Type。
: 三星还没有吧。
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l******o
发帖数: 51 | 6 For MRAM type:
Cost:＞DRAM
and new material required for scalability |
y****y
发帖数: 179 | 7 三星是小规模生产吧...
【在 c**y 的大作中提到】
: 三星大规模投入生产了
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y****y
发帖数: 179 | 8 恩，其实power消耗也很大，因为每次reset都要到melt temperature以上，所以reset
电流也很大
【在 c**y 的大作中提到】
: phase change memory SET/RESET voltage都很大
: 你觉得 spin torque transfer RAM 前途如何呢？
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y****y
发帖数: 179 | 9 恩，PCM其实power消耗也很大，因为每次reset都要到melt temperature以上，所以
reset电流也很大
MRAM不是很了解，只知道endurance很好，ratio不是很大，好像thermal stability是
个问题
【在 c**y 的大作中提到】
: phase change memory SET/RESET voltage都很大
: 你觉得 spin torque transfer RAM 前途如何呢？
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c**y
发帖数: 99 | 10 field write MRAM scalability比较困难
但是 spin torque transfer MRAM scalability比较有希望
而且功耗比较小
比RRAM有前途啊
【在 l******o 的大作中提到】
: For MRAM type:
: Cost:＞DRAM
: and new material required for scalability
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L***s
发帖数: 9258 | 11 \多谢支持阿，给我们这些做STTRAM的以希望。
【在 c**y 的大作中提到】
: field write MRAM scalability比较困难
: 但是 spin torque transfer MRAM scalability比较有希望
: 而且功耗比较小
: 比RRAM有前途啊
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c**y
发帖数: 99 | 12 你用什么材料做的啊？
【在 L***s 的大作中提到】
: \多谢支持阿，给我们这些做STTRAM的以希望。
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v********a
发帖数: 155 | 13 理论上来说，STTRAM具备了理想存储器的所有条件，而且貌似现在实现的前景也很乐观
，PCRAM需要reset电流过大，导致1T1R结构中的transistor不能继续scaling，所以现
在PCRAM storage density不是很大，还有一种RRAM，据吹也比PCRAM强。
谁是做memory的呀，多交流交流 |
c**y
发帖数: 99 | 14 你说的那种比PCRAM强的RRAM是什么呢？
【在 v********a 的大作中提到】
: 理论上来说，STTRAM具备了理想存储器的所有条件，而且貌似现在实现的前景也很乐观
: ，PCRAM需要reset电流过大，导致1T1R结构中的transistor不能继续scaling，所以现
: 在PCRAM storage density不是很大，还有一种RRAM，据吹也比PCRAM强。
: 谁是做memory的呀，多交流交流
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c**y
发帖数: 99 | 15 STTRAM还有个reliability, thermal stability的问题，不过总的看来promising
【在 v********a 的大作中提到】
: 理论上来说，STTRAM具备了理想存储器的所有条件，而且貌似现在实现的前景也很乐观
: ，PCRAM需要reset电流过大，导致1T1R结构中的transistor不能继续scaling，所以现
: 在PCRAM storage density不是很大，还有一种RRAM，据吹也比PCRAM强。
: 谁是做memory的呀，多交流交流
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y****y
发帖数: 179 | 16 metal oxide RRAM, conducting bridge RAM
【在 c**y 的大作中提到】
: 你说的那种比PCRAM强的RRAM是什么呢？
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c**y
发帖数: 99 | 17 CBRAM is not CMOS compatiable
TMO RRAM seems better.
【在 y****y 的大作中提到】
: metal oxide RRAM, conducting bridge RAM
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