j****n
发帖数: 3465 | 1 也就是所谓的红光LED，想问个epi structure的问题，谢了！ |
j****n
发帖数: 3465 | |
w********o
发帖数: 10088 | 3 你直接把问题提出来，知道的人自然就答了
【在 j****n 的大作中提到】
: 也就是所谓的红光LED，想问个epi structure的问题，谢了！
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a*******i
发帖数: 11664 | 4 现在做这个还能拿到funding?
【在 j****n 的大作中提到】
: 没有人做吗？
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w********o
发帖数: 10088 | 5 可能多少要参点奇怪的元素吧？
【在 a*******i 的大作中提到】
: 现在做这个还能拿到funding?
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j****n
发帖数: 3465 | 6 俺们是公司，不靠拿funding
【在 a*******i 的大作中提到】
: 现在做这个还能拿到funding?
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l****e
发帖数: 246 | |
s**********2
发帖数: 305 | 8 把问题说出来，大家才能给你出主意。我做半导体物理的，没准能帮上忙。
【在 j****n 的大作中提到】
: 俺们是公司，不靠拿funding
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j****n
发帖数: 3465 | 9 谢谢楼上各位的热心！
其实也很简单，我们就是想做一个红光LED的结构，但是限于干法刻蚀设备的原因，
wafer结构里不能含In，是不是说就只能用AlGaAs做有源区了？AlGaAs的发光效率比
InGaAlP能差多少？（如果差的不是很大的话，我们也能接受）。另外，限于feature，
我们也不能把p型层设计得太厚，请教一下要怎么设计才能兼顾电学和光学两方面的要
求？ |
w********o
发帖数: 10088 | 10 InGaAlP一般都lattice match么?如果是,换了AlGaAs reliability会不会有问题
【在 j****n 的大作中提到】
: 谢谢楼上各位的热心！
: 其实也很简单，我们就是想做一个红光LED的结构，但是限于干法刻蚀设备的原因，
: wafer结构里不能含In，是不是说就只能用AlGaAs做有源区了？AlGaAs的发光效率比
: InGaAlP能差多少？（如果差的不是很大的话，我们也能接受）。另外，限于feature，
: 我们也不能把p型层设计得太厚，请教一下要怎么设计才能兼顾电学和光学两方面的要
: 求？
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j****n
发帖数: 3465 | |
r*****r
发帖数: 110 | 12 用AlGaAs做active layer是可以做红光LED,但是效率比InGaAlP差的不是一点点,因为
AlGaAs是间接带隙材料,InGaAlP是直接.
【在 j****n 的大作中提到】
: 谢谢楼上各位的热心！
: 其实也很简单，我们就是想做一个红光LED的结构，但是限于干法刻蚀设备的原因，
: wafer结构里不能含In，是不是说就只能用AlGaAs做有源区了？AlGaAs的发光效率比
: InGaAlP能差多少？（如果差的不是很大的话，我们也能接受）。另外，限于feature，
: 我们也不能把p型层设计得太厚，请教一下要怎么设计才能兼顾电学和光学两方面的要
: 求？
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